本文详细介绍了DRAM中的关键定时参数，包括行地址控制器(RAS)、列地址控制器(CAS)及其CL值，解释了这些参数如何影响内存性能。此外，还讨论了交错模式(Bank Interleave)、内存使用的Bank号(ddrSDRAMAtBank)以及DRAM命令延迟(dramCommandDate)等概念，并简要提及了AGP加速图形端口的相关内容。
dram timing setting
ras ： 行地址控制器
cas ： 列地址控制器 cl值
ras active time 行地址动态时间 越小越好 对内存品质要求高！
ras precharge time 行地址预充电时间 越小越好！ 对内存要求品质高！
cl值 是北桥到内存的时间
bank interleave 交错模式
启动时候
ddr sdram at bank ： 内存所再用的bank号
dram command date ：有一个延时的概念
AGP 。。。 size 显存不够用 用内存
AGP fast write 对于现存的快速写入
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