多线程抢票1

本文通过12306抢票场景,深入解析多线程并发操作同一资源时可能遇到的死锁问题。演示了如何使用synchronized关键字来同步线程,确保在高并发环境下资源的正确访问与更新,防止出现资源竞争导致的数据不一致。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

1.12306抢票 (线程 死锁)
方法一:

public class ThreadGetOneResource
{
    private int  ticket=1000;
 
 public static void main(String[] args)
 {
  //多个线程抢占同一个资源
  //所有的传值过程就是复制过程
  //静态只能访问静态
  ThreadGetOneResource one=new ThreadGetOneResource();
  for(int i=0;i<3;i++)
  {
   new Thread(){  //匿名内部类(不能访问外部类)
    public void run()
    {
     //加锁   某个线程  获得到锁   将它的代码全部都执行 执行完毕之后 才会释放锁 
     //1.必须是包装类型  2.全局只有一份
     while(true)
     { 
      synchronized (one)
      {
      if(one.ticket<=0)
      {
       break;
      }      
      System.out.println(Thread.currentThread().getName()+"ticket的数量是="+one.ticket);      
         one.ticket--;
     }
      
     }
    }             
   }.start();
  }
 } 
}
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升间(tr)、下降间(tf)、开启间(ton)和关闭间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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