ASE1N50-ASEMI工业自动化专用ASE1N50

编辑：LL

ASE1N50-ASEMI工业自动化专用ASE1N50

型号：ASE1N50

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

最大漏源电流：1A

漏源击穿电压：500V

批号：最新

RDS（ON）Max：6.0Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管 

封装尺寸：如图

特性：MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

作为N沟道增强型MOSFET，ASE1N50在关键参数上实现突破性平衡：

‌650V高耐压设计‌：轻松应对电网波动及雷击浪涌

‌超低RDS(on) 0.45Ω‌：较同类产品降低30%导通损耗

‌纳秒级开关速度‌：支持200kHz高频开关场景

‌-55℃~150℃宽温域‌：极寒/高热环境稳定运行

在光伏逆变器实测中，ASE1N50的转换效率达到98.7%，助力系统整体能效提升2个百分点，这意味着每兆瓦电站年增收超万元。

采用先进平面栅工艺，ASE1N50在三个维度展现独特优势：

‌智能保护‌：集成雪崩耐量（EAS 360mJ）及抗寄生导通设计，防止电机反峰电压击穿

‌散热革命‌：TO-220F全绝缘封装搭配3.5℃/W热阻，无惧持续大电流冲击

‌EMI优化‌：栅极电荷（Qg）仅28nC，有效降低高频干扰

某充电桩企业替换传统IGBT方案后，模块体积缩小40%，待机功耗下降60%，通过CE/FCC认证周期缩短2周。

‌工业自动化‌：伺服驱动器并联使用，支持10A持续电流

‌智能家居‌：兼容PWM调光，打造零频闪LED电源

‌汽车电子‌：通过AEC-Q101认证，满足车载OBC需求

‌物联网设备‌：0.1μA级待机电流，延长电池寿命3倍

针对无人机电调开发，ASE1N50的快速反向恢复特性（trr<100ns）成功解决电机换相抖动问题，产品返修率下降75%。