集成电路设计
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BigOrangeZee
这个作者很懒，什么都没留下…
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模拟集成电路设计基础知识(二)：MOS管二级效应及其小信号等效
文章目录二级效应体效应沟道长度调制亚阈值导电MOS的小信号等效：在前一篇文章介绍了MOS管结构及其I/V特性，本篇文章接着介绍MOS管的几个二级效应以及其小信号等效。二级效应体效应由于源极和衬底之间存在电压差，是的器件的电流方程偏离上述公式。主要是由于当源极与衬底存在压差时，阈值电压会发生变化，具体可参考刘恩科等著《半导体物理》第七版第八章MOS结构的介绍。考虑体效应后阈值电压变化为：V...原创 2020-02-04 16:32:31 · 19254 阅读 · 0 评论 -
模拟集成电路设计基础知识(一)：MOS管结构及其I/V特性
文章目录MOSFET的基本结构MOSFET的I/V特性模拟集成电路的设计与数字集成电路的设计不同，数字集成电路倾向于使用现有集成电路的器件、模型来实现一些高级的功能，而模拟集成电路一方面要将半导体器件看作一个黑箱，实现封装设计，另一方面还要深入理解器件的微观原理，知晓半导体材料的参杂、电导电容特性等基本概念，实现单元设计。有关于器件物理的知识可以参考台湾施敏编著的《半导体器件物理》以及国内刘恩科...原创 2020-02-03 17:49:55 · 16624 阅读 · 2 评论