[翻译自mos文章]关于_FIX_CONTROL参数的一点知识

_FIX_CONTROL是一个特殊的隐含参数,用于启用或禁用特定的bug修复。该参数常用于优化器方面,可以控制某些修复是否生效,因为这些修复可能会显著影响执行计划。默认情况下,某个修复是开启还是关闭取决于其详细设置。
摘自:
Init.ora Parameter "_FIX_CONTROL" [Hidden] Reference Note (Doc ID 567171.1)

_FIX_CONTROL是一个特别的隐含参数,该隐含参数从10.2.0.2开始被引入,用来启用或者禁用特定的bug fixes.
该隐含参数的典型用法是优化器方面,用来允许特定的修复(fixes)被打开或者关闭,因为有些修复(fixes)会对执行计划有显著的影响.
在默认情况下一个fix是默认打开还是关闭,需要查看该fix的detail才能确定.经常情况下,一个fix的默认值(on or off)是被OPTIMIZER_FEATURES_ENABLE的值决定的.
请见Init.ora Parameter "OPTIMIZER_FEATURES_ENABLE" Reference Note (Doc ID 62337.1)


下面的"Known Bugs"部分仅仅描述了fix control的fixes的一部分.
由fix control 控制的bug number的全部列表可以从如下v$视图中找到:
V$SYSTEM_FIX_CONTROL
V$SESSION_FIX_CONTROL


Other code areas besides the optimizer can use this parameter

to control if a fix is on or off.

本参数的格式如下:
_FIX_CONTROL='bug_number:ON|OFF'

举例:
alter session set "_fix_control"='4969880:ON';

对于需要指定多个值的情况,举例如下:
alter session set "_fix_control"='4969880:ON','5483301:off';

注意:
在一个release中使用_fix_control的fix可能不适用于其他的release,
因此,当有upgrade或者downgrade时,请注意审核该_fix_control.
有些fix control使用数字来控制,而不是on或者off.
### MOSFET增强型与耗尽型的区别及特性对比 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)分为增强型和耗尽型两大类,这两类在工作原理、结构以及应用上有显著差异。以下是它们的详细对比: #### 1. 增强型MOSFET(Enhancement Mode MOSFET) 增强型MOSFET需要在栅极施加一个特定的电压才能导通。根据载流子类型的不同,又可以分为N沟道增强型(MOS_ENH_N)和P沟道增强型(MOS_ENH_P)。 - **MOS_ENH_N**:N沟道增强型MOSFET在栅源电压 \(V_{GS}\) 高于阈值电压 \(V_{th}\) 时导通[^2]。其特点是当 \(V_{GS} = 0\) 时,漏极和源极之间没有电流流动。 - **MOS_ENH_P**:P沟道增强型MOSFET则在 \(V_{GS}\) 低于某个负阈值电压时导通[^3]。同样地,当 \(V_{GS} = 0\) 时,漏极和源极之间无电流。 #### 2. 耗尽型MOSFET(Depletion Mode MOSFET) 耗尽型MOSFET在栅极电压为零时,默认处于导通状态。通过改变栅极电压,可以减少或切断漏极电流。 - **MOS_DEPLETION**:无论是N沟道还是P沟道,耗尽型MOSFET在 \(V_{GS} = 0\) 时都有一定的漏极电流 \(I_D\) 流过。只有当栅极电压达到特定值时,才会完全关闭通道[^4]。 #### 3. 复合型增强型MOSFET(MOS_ENH_COMP) 复合型增强型MOSFET通常指由多个增强型MOSFET组合而成的电路元件,用于实现更复杂的开关功能或提高驱动能力。这种类型的MOSFET结合了N沟道和P沟道的优点,能够在高频和高压环境下表现出更好的性能[^5]。 #### 特性对比表 | 参数 | MOS_ENH_N | MOS_ENH_P | MOS_DEPLETION | MOS_ENH_COMP | |-------------------|-----------------|-----------------|------------------|-----------------| | 默认状态 | 关断 | 关断 | 导通 | 根据设计而定 | | 导通条件 | \(V_{GS} > V_{th}\) | \(V_{GS} < -V_{th}\) | \(V_{GS}\) 达到特定值 | 组合条件 | | 应用场景 | 高频开关 | 电源管理 | 稳压器 | 高效驱动电路 | ```python # 示例代码:模拟MOSFET的开关行为 class MOSFET: def __init__(self, type): self.type = type self.vgs = 0 self.threshold = 2 if type == "ENH_N" else -2 def set_vgs(self, vgs): self.vgs = vgs def is_conducting(self): if self.type == "ENH_N": return self.vgs > self.threshold elif self.type == "ENH_P": return self.vgs < self.threshold elif self.type == "DEPLETION": return True if self.vgs == 0 else self.vgs > self.threshold enh_n = MOSFET("ENH_N") enh_p = MOSFET("ENH_P") depletion = MOSFET("DEPLETION") enh_n.set_vgs(3) enh_p.set_vgs(-3) depletion.set_vgs(0) print(f"Enhanced N-MOSFET conducting: {enh_n.is_conducting()}") # True print(f"Enhanced P-MOSFET conducting: {enh_p.is_conducting()}") # True print(f"Depletion MOSFET conducting: {depletion.is_conducting()}") # True ```
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