【摘】请教关于SDRAM阻抗匹配的问题

本文探讨了SDRAM与PCB板之间的阻抗匹配问题,包括如何计算匹配电阻、不同条件下阻抗匹配的重要性以及在实际设计中如何进行合理的阻抗控制。

现在正在做4755与SDRAM连接,SDRAM的频率为166M,手册上说是需要阻抗匹配的,大概是60欧。参考君正给的参考设计发现其在SDRAM的地址线源端串联了一个33欧电阻。显然,这33欧电阻是用来做阻抗匹配的。

 

问:参考设计所说的60欧的阻抗包不包括这33欧电阻呢? 
答:这个60欧的阻抗应该是传输线的特征阻抗,不包括33欧姆电阻。那个电阻是去振铃的,但振铃就是阻抗不匹配造成的,匹配了就没振铃了。


问:用串联电阻做阻抗匹配的话,还需不需要计算走线的阻抗?还是说两者都需要?
答:DRAM Layout时第一就要保证走线的阻抗,例如 DDR的数据线保证特征阻抗为50-60欧姆,差分信号线为100-120欧姆。
如果不加串联电阻,其实大多数情况下,也可以正常跑起来。但是,为了可靠性来讲,并不建议这样做。
如果在在DRAM的端口串联一个电阻,可以使DRAM端口的输出阻抗加上这个串联电阻阻抗等于传输线的特征阻抗,简单的说这样可以有效的避免信号反射,提高可靠性。

 

问:如果我用POLAR计算得传输线的阻抗为87欧,DRAM端口的输出阻抗为22欧,是不是说我只要串联一个65欧的就行?如果这样的话,那么很多书上写的:传输线阻抗为50欧是什么意思呢?
是的,加入电阻式串行匹配的一种方式。
传输线阻抗为50欧是这个意思:在信号的传输过程中,在信号沿到达的地方,信号线和参考平面(电源平面或地平面)之间由于电场的建立,就会产生一个瞬间的电流,如果传输线是各向同性的,那么只要信号在传输,就会始终存在一个电流I,而如果信号的输出电平为V,则在信号传输过程中(注意是传输过程中),传输线就会等效成一个电阻,大小为V/I,我们把这个等效的电阻称为传输线的特征阻抗Z。要格外注意的是,这个特征阻抗是对交流(AC)信号而言的,对直流(DC)信号,传输线的电阻并不是Z,而是远小于这个值。举例:50欧姆就是这个Z。

 


问:2层板怎么解决阻抗问题?

阻抗控制是要有参考层的(就是所谓的地或电源层),需要参考层没问题,但参考层可以和信号线在同一面,叫Coplanar Strip。不过这个对布线要求更高,弄起来更麻烦。
两层板的阻抗控制比较累吧,如果底层敷地的话容易产生阻抗不连续 !双面板阻抗控制的问题是50欧姆线太宽了。如果偶尔需要,不太关键的信号,可以用coplanar凑合一段。

2层板不考虑阻抗,运气好也跑得起来,但是稳定性不敢说。玩玩可以,做产品不要这样。
高频的东西,该遵守的规则还是要遵守。

 

问:如果sdram布线的时候不考虑阻抗会怎么样?(也就是说直接串个33欧的电阻,不考虑做阻抗板)
使dram端口的输出阻抗加上这个串联电阻阻抗等于传输线的特征阻抗。如果频率不高,线又很短不考虑阻抗也可以。

问:“如果线小于6inch的话是可以不考虑阻抗,只要差不多就行了”,请问是不是有这一说法???
线路的阻抗匹配,在高频上主要是看这段线是否要被视为传输线。是否视为传输线和这段线的尺寸及主要的信号波长相关。
有的说法是,长度是波长的1/20以下,传输时间是上升沿的多少分之一,还有个什么条件,满足了就可以认为是集总参数的较为理想的线,不太用管阻抗了。此时,如果条件许可,尽量匹配阻抗也是有好处的,减小反射。

 

问:pcb走线相对于高频信号有一个特征阻抗,串接进去的电阻怎么相对于高频就按其电阻值算呢?电阻相对于高频的特征阻抗难道就是其阻值吗?

我的理解是…要是做匹配的话…假如你设计的传输线50欧的…但是器件的阻抗实际上并不都是能与50欧传输线匹配的…而且还经常有各种拓扑结构…所以在终端接上器件就没办法匹配…出现瞬间阻抗不连续…引起反射…所以必须找一个外部的办法让器件与传输线匹配…其中之一就是串接一个电阻…让电阻和器件一起得到的阻抗与传输线匹配…这样就能实现消除反射了…这个电阻是把传输线看成50欧的时候器件要与它匹配时候需要的电阻。

 

实体电阻是集总参数元件,其参数可以用集总RLC的串并联,etc,表示。集总元件表现出来的是其在指定频率下的复数阻抗。一般所说的特征阻抗,是无损传输线的同向行波电压和行波电流比给出的参数,是传输线专有的概念,对集总参数元件不适用。集总参数元件在体积满足足够小的情况下,表现出来的特性就是其复数阻抗。电阻一般就认为是其阻值,LC参数考虑的貌似不多。基本上就是这个意思,元件的参数是元件的;传输线的是传输线的,各算各家。

 

 

/***************************************************************************************/

 

首先要预估走线的长度,所谓传输线(Transmission Line)效应在高速PCB的布线中也不是普遍存在的,一般当走线产生的延迟接近其信号沿变化速度(rise/fall)的1/3(保守按1/3算)时,需要面对传输线效应,采用各种端接(Terminate)的方式实现阻抗匹配加以解决;1/2到1/3之间建议纳入考虑范围;
保守计算:电信号在PCB线路中的传播速度取光速的一半,大约是30cm/ns,反射需要个跑来回,再对折,约15cm/ns;

SDRAM的信号延变化速度大致是1ns,其允许不考虑匹配的延迟范围大致是15cm * 1/3 = 5cm = 1968mil,也就是说走线长度控制在5cm以内就能基本避免传输线效应,而无需端接;实际上放宽到1/2(7.5cm)也没问题;

如果走线长度超过5cm较多,那么再配合PCB的叠层(Stackup)间距,计算走线的阻抗和匹配的电阻值;一般原理图中由于不知道PCB的具体情况,所以都会串或并一些端接电阻的。


转自:http://hi.baidu.com/start_from_abc/item/5ba5056e9a351c94c4d24967
SDRAM(同步动态随机存取存储器)在现代计算机系统中扮演着重要角色,尤其是在需要高速数据访问的场景中。然而,由于其物理特性和访问机制,SDRAM 可能会引入延迟,影响系统性能。以下是一些常见的 **SDRAM 延迟问题的调试方法** 和 **优化方案**。 ### 调试方法 1. **分析内存访问模式** 通过性能分析工具(如 perf、Intel VTune、ARM Streamline)监控内存访问行为,识别是否存在不规则访问模式或热点访问。这些工具可以提供详细的内存访问统计信息,帮助定位瓶颈所在。 2. **检查时序参数配置** SDRAM 的访问延迟与控制器配置的时序参数密切相关,包括 RAS-to-CAS 延迟(tRCD)、行预充电时间(tRP)、CAS 延迟(CL)等。不合理的配置可能导致访问延迟增加。应根据 SDRAM 芯片规格书调整控制器寄存器设置,确保参数匹配实际硬件特性[^2]。 3. **评估内存带宽利用率** 使用内存带宽测试工具(如 STREAM、Bandwidth Benchmark)测量当前系统内存带宽使用情况。如果带宽接近饱和,说明可能存在并发访问冲突,导致延迟上升。 4. **监控刷新周期影响** SDRAM 需要周期性刷新以维持数据完整性,刷新操作会暂时阻塞正常访问。通过分析刷新间隔(tRFC)是否合理,或是否存在刷新冲突,可以判断是否由刷新机制引起延迟。 5. **检查硬件连接与电源稳定性** 不良的 PCB 布线、信号完整性问题或电源波动可能导致 SDRAM 控制器与芯片之间的通信不稳定,进而引发访问延迟。使用示波器或逻辑分析仪检测信号完整性是有效手段。 --- ### 优化方案 1. **优化内存访问模式** 尽量采用顺序访问模式而非随机访问,以提高缓存命中率并减少行切换开销。例如,在数组遍历时优先按行访问,避免跨行跳跃。此外,合理使用 **DMA(直接内存访问)** 技术,绕过 CPU 直接进行数据传输,可显著降低访问延迟[^1]。 2. **利用缓存机制** 在访问 SDRAM 前,优先使用片上缓存(如 L1/L2 Cache)存储频繁访问的数据。通过合理的缓存替换策略和预取机制,减少对 SDRAM 的直接访问次数,从而降低整体延迟。 3. **启用预取机制** 在循环或可预测的访问模式中,提前将后续需要的数据加载到缓存中。例如,利用硬件预取器或软件插入预取指令(如 ARM 的 `PRFM` 指令),可以有效掩盖 SDRAM 的访问延迟[^1]。 4. **调整 SDRAM 控制器参数** 根据具体应用场景调整 SDRAM 控制器的突发长度(Burst Length)、列地址选通(CAS Latency)等参数。例如,在高带宽需求场景中,适当增加突发长度可以提升数据吞吐量,减少单位数据的访问时间。 5. **采用低功耗高带宽内存技术** 随着 LPDDR5X 等新一代内存标准的发展,其支持更高的数据传输速率(可达 9600Mbps 以上)和更低的访问延迟。对于需要极致性能的系统,如 6G 通信、L4 自动驾驶等场景,应优先考虑采用这类先进内存技术[^2]。 6. **优化内存分区与并发访问** 在多核或多任务系统中,合理划分内存区域,避免多个处理器或任务同时访问同一内存区域,减少访问冲突。此外,利用 SDRAM 的多 Bank 架构实现并发访问,提高整体访问效率。 --- ### 示例:优化内存访问模式的代码片段(C语言) ```c #include <stdio.h> #include <stdlib.h> #define SIZE 1024 * 1024 int main() { int *data = (int *)malloc(SIZE * sizeof(int)); // 顺序访问模式(优化前) for (int i = 0; i < SIZE; i++) { data[i] = i; } // 随机访问模式(优化后) for (int i = 0; i < SIZE; i += 16) { data[i] = i; } free(data); return 0; } ``` --- ###
评论
成就一亿技术人!
拼手气红包6.0元
还能输入1000个字符
 
红包 添加红包
表情包 插入表情
 条评论被折叠 查看
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值