Mr1sky的博客

Cache：是一种高速、小容量的存储器，用于临时存储频繁访问的数据和指令，以加速访问。：STM32F7 系列微控制器配备了 L1 Cache，包括 ICache 和 DCache。配置：可以通过 HAL 库或直接操作寄存器来使能、禁用、刷新和清空 Cache。优点：提高性能和降低功耗。缺点：增加系统复杂性和数据一致性问题.2 Cache 脏数据的概念脏数据：在 Cache 中，已经被修改但尚未写回到主内存中的数据。产生：通过写操作产生，根据写回策略决定何时写回主内存。管理。

1）本次实验只是实现功能，实际应用中需要对机械按键做消抖处理；1 查看原理图，确定按键对应的IO----GPIOH.3。2）GPIOH.3引脚映射到EXTI3中断线需要用到。实验目的：寄存器实现EXTI中断，控制LED亮灭；实验环境：参考上一篇【

下图可以看到开启GPIOB的时钟的寄存器相对于RCC基地址偏移量 0x30 ，也就说寄存器地址是（0x40023800+0x30）；之前做的项目都是用HAL库或者厂家已经封装好的库，没有很底层的实现过相关功能。原理图上确定驱动LED的引脚，本人用的是LED1----->GPIOB-0引脚；下图可以看到，GPIOB是挂载AHBI总线上的；可以参考RCC确定相应寄存器地址（基地址+偏移）；上图可以看到，RCC寄存器基地址0x40023800；主函数调用gpio_ini就可以观察到实验现象！

第一次遇到这种编译问题，当作笔记记录下来，也给遇到同样问题的同学参考下！现象：链接器对定义在头文件里面的内联函数报未定义错误；2）在inline 关键字前面加上static关键字。1）将编译等级调整到（o2）

在做项目的时候，驱动有时会用到us级别的延时比如软件模拟i2c、DS18B20驱动等 ，使用定时器可以实现，但是需要频繁进入中断，在RTOS环境下会影响实时性。ARM M3内核及更高级内核都会自带一个DWT模块，具体有作用可自行问度娘！在网上找到有人提到这个问题，缺少解锁 dbg regs（DWT->LAR = 0xC5ACCE55）（a.先使能DWT外设，由内核调试寄存器DEM_CR的位24控制，写1使能。c.使能CYCCNT寄存器，由DWT_CTRL的位0控制，写1使能。），试一下果然解决了；

（废）话多不表，开整！.cpp（c++源文件）和.hpp（c++头文件）只做和C++有关的，.c（c源文件）和.h（c头文件）只做和C有关的。.h文件：最不可思议的就是这个头文件了，所做的事就是把用c++写的对外函数的接口用extern“引用”，如果其他.c文件中的函数要调用c++写的接口，只需要包含这个头文件就可以了。.hpp文件：类的声明，c语言头文件的引用（要加extern "C"，看图）以及用c++写的对外函数的接口的声明（要加extern "C"，看图）不管不管就不管，我就要用c++开发！

首先查看用到的XXX-RAM的映射地址，其中主SRAM映射的起始地址从0x20020000开始，大小368kb，TCM-RAM起始地址0x20000000，ITCM-RAM起始地址0x00000000。具体能带来多大的优势，没有查询，但是不经过其他协议直接与CPU交流，效果应该非常好！目的：将关键数据重定位到DTCM-RAM，关键代码段重定位到ITCM-RAM中，SRAM1作为主SRAM。说明：散列文件的语法以及AC6和AC5区别自行查资料（推荐硬汉论坛，如有哪里不正确的地方，有问题可以留言交流！

2)没什么大用处，主要是学习---->看资料说是代码在sram中运行会快一点，本人没有测试过。那些不明白的地方，如果哪天搞明白了，会在文中更新，同时也希望有知道的大佬能留言指导下小弟！学习过程有点曲折，虽然实验现象符合预期，还是有很多不明白的地方，话多不表，开始！任务：bootloader不变，app自我复制，将app搬运到sram中运行。至此，通过app的自我复制，将代码搬运到sram中运行功能就实现了！启动文件改动的地方比较多，里面有很多不太明白的地方！散列文件改动了一点，一个一个说明！

首先就是外部SystemInit（）（C语言实现，关于stm32内部环境初始化等等），然后再跳到__main（）,__main(）是运行环境(keil自带的)的初始化，然后再跳到main（）（自己实现）执行。1）单片机上电开始，并不是从main（）函数直接运行，而是从单片机的内核开始，经过一些初始化再跳到main（）运行。1）因为不需要初始化外设，启动文件去掉了系统初始化和mdk初始化的代码，直接跳到app的入口地址，也就是mymain（）4）boot工程main（）函数的实现。2）app的散列文件。

按照网上的教程也能实现PWM波的输出，占空比和频率都符合预期。但是当波形时间拉长以后，就会出现ARR周期的高电平或者低电平，定位了好久。图中红框CCR的值超过ARR的值了，目前用注释掉的代码测试，现象是没了，但是长时间运行会不会有问题不确定。出现问题的原因很简单：比较寄存器超出ARR设定的值了；这两天在学习STM32 TIM定时器。此时ARR设定的值是6000。