主存储器基本组成
- 存储体->读写电路->MDR->数据总线
- 存储体->驱动器->译码器->MAR->地址总线
主存储器的技术指标
- 存储容量
- 主存存放二进制代码的总位数
- 存储速度
- 存取时间:存储器的读出时间或写入时间
- 存取周琦:连续两次独立的存储器操作(读或写)所需的最小时间间隔
- 存储器的带宽
- 位/秒
半导体存储芯片简介
- 基本结构
- 译码驱动
- 存储矩阵
- 读写电路
- 地址线:单向
- 数据线:双向
- 片选线:用来判断数据存储在哪个芯片里
- 读写控制线:低电平写,高电平读
随机存取存储器(RAM)
- 静态(SRAM)
- 保存0和1的原理:开关的闭合,熔丝的熔断
- 静态RAM基本电路读操作
- 6晶体管触发器存储结构
- 动态(DRAM)
本文介绍了主存储器的基本组成及其技术指标,包括存储体、读写电路、MDR、MAR等关键组件的工作原理。此外,还详细阐述了存储容量、存取时间、存取周期及带宽等衡量标准,并对比了静态RAM与动态RAM的特点。
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