本文深入探讨了闪存技术中NAND、NOR、SPI和SRAM的特点，包括它们的存储原理、擦写特性、速度表现以及在实际应用中的差异。NAND Flash因其高可擦写次数和速度快成为U盘的首选；NOR Flash适合程序代码存储，读时序类似SRAM；SPI Flash采用串行接口，适用于不常更改的数据存储；SRAM内部与外部的主要区别在于速度性能。了解这些细节有助于选择合适的存储解决方案。
Flash有掉电数据保存的特点，RAM掉电则数据丢失，但是RAM的速度更高，擦写次数理论上没有限制，而Flash则不行。
Nand Flash相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多，擦写速度快，但是在使用以及使用过程中会出现坏块因此需要做特殊
处理才可以使用。其主要用于数据存储，大部分U盘都是Nand Flash。
Nor Flash读写时序类似于SRAM，只是写的次数较少，速度也慢，由于其读时序类似于SRAM，读地址是线性结构，多用于程序代码的
存储。
SPI Flash同Nand Flash很类似，只是接口变成串行节省IO口，写速度慢些，主要用于不需要经常更改的数据存储。
片内 SRAM 以及片外没什么本质区别，区别主要在于速度性能上。
都可以用于存数据，除了SPI Flash外其余的够可以存储程序并且运行程序。具体支持哪种需要核实cpu使用手册。
Nand Flash相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多，擦写速度快，但是在使用以及使用过程中会出现坏块因此需要做特殊
处理才可以使用。其主要用于数据存储，大部分U盘都是Nand Flash。
Nor Flash读写时序类似于SRAM，只是写的次数较少，速度也慢，由于其读时序类似于SRAM，读地址是线性结构，多用于程序代码的
存储。
SPI Flash同Nand Flash很类似，只是接口变成串行节省IO口，写速度慢些，主要用于不需要经常更改的数据存储。
片内 SRAM 以及片外没什么本质区别，区别主要在于速度性能上。
都可以用于存数据，除了SPI Flash外其余的够可以存储程序并且运行程序。具体支持哪种需要核实cpu使用手册。
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