磁盘行为

本文通过实验展示了对/dev/xzram0设备进行不同顺序的读写操作时,内核层面的行为变化。具体包括先读后写时内核如何预读页面,以及先写后读时页面缓冲层的操作特点。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

 

count=4K,执行结果是内核先预读4个页面,然后写一个页面。

 

count=4K,执行结果是先写一个页面,读页面操作直接在页面缓冲层完成,没有提交到块设备层。

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