VECSEL(垂直外腔面发射激光器)工作原理
1. 核心结构
VECSEL由以下关键组件构成:
- 半导体增益芯片:包含量子阱结构(通常为砷化镓或磷化铟材料),用于产生光子17。
- 外置谐振腔:由顶部高反射率分布式布拉格反射镜(DBR)和外部凹面反射镜组成,形成光反馈路径13。
- 泵浦源:通过光泵浦(如808 nm激光二极管)或电泵浦方式激发增益区17。
2. 工作流程
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载流子注入与光激发
- 泵浦源能量注入量子阱,激发电子-空穴对复合,释放光子17。
- 光泵浦优先激发短波长量子阱(如吸收区泵浦),产生初始激光脉冲1。
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谐振腔内的光放大
- 光子在顶部DBR和外部反射镜之间多次反射,通过增益介质时持续放大37。
- 外置谐振腔允许调节腔长(10–50 mm),优化波长匹配和模式稳定性16。
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波长调控与输出
- 长波长量子阱(阱内泵浦)受短波长光强调制,形成双波长输出(如967.5 nm和969.8 nm)1。
- 高功率下,双波长稳定输出,光斑呈对称高斯分布,发散角可低至6.6°(正交方向)16。
3. 光束特性优化机制
特性 | 实现原理 | 技术手段 |
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低发散角 | 外置凹面反射镜压缩光束发散,结合准直透镜优化输出方向性16。 | 曲率半径<10 mm的反射镜可降低发散角50%6。 |
高光束质量 | 基模(TEM₀₀)主导,高阶模被腔长和反射镜设计抑制,M²因子接近1.1–1.526。 | 腔长动态调节+模式选择元件(如光阑)16。 |
波长可调谐 | 外部反射镜倾斜或腔内插入光栅,改变谐振条件实现波长调谐27。 | 机械调谐范围可达±5 nm7。 |
4. 对比传统VCSEL的关键优势
- 功率提升:外置腔设计允许更高泵浦功率,输出功率可达50 W(VCSEL通常<5 W)26。
- 热管理优化:外部散热结构(如微通道冷却)降低热透镜效应,功率每提升1 W,发散角仅增加0.2°–0.5°6。
- 功能扩展性:腔内可集成非线性晶体(倍频)、光栅(锁模)等元件,实现超快脉冲或可见光输出27。