快速了解SRAM/DRAM/SDRAM/DDR SDRAM 及 NOR Flash与NAND Flash、FMC与FSMC的区别

特性	SRAM	DRAM	SDRAM	DDR SDRAM
存储机制	双稳态触发器	电容电荷	电容电荷（同步接口）	电容电荷（双倍速率）
刷新需求	无需刷新	需定期刷新	需定期刷新	需定期刷新
速度	最快（低延迟）	最慢	较快（同步优化）	最快（双倍速率）
功耗	最低	较高（刷新功耗）	中等	中等（优化后更低）
成本	最高	最低	中等	较高（技术复杂）
典型容量	小容量（KB-MB级）	大容量（GB级）	中等容量（MB-GB级）	大容量（GB级）
应用场景	缓存、寄存器	主存	早期PC主存、嵌入式	现代PC主存、服务器

• SRAM：向低功耗、高稳定性方向发展（如汽车级SRAM）。
• DRAM：通过3D堆叠技术提升容量（如HBM高带宽内存）。
• SDRAM：逐渐被DDR SDRAM取代，后者通过双倍数据速率进一步提升速度。
• DDR SDRAM：向更高带宽（如DDR5）、更低功耗（如LPDDR5）演进。

NOR Flash的速度快于NAND Flash

• NOR Flash：
  • 优势：支持随机访问（如读取单个字节），无需预读取整个块。
  • 典型速度：并行接口下可达 50-100 MHz（等效 50-100 MB/s），适合代码直接执行（XIP, Execute In Place）。
• NAND Flash：
  • 劣势：需按页读取（通常为 2KB~4KB），存在页内随机访问延迟。
  • 典型速度：并行接口下可达 30-80 MHz（等效 24-64 MB/s），但通过多通道并行或高速模式（如 Toggle DDR）可接近或超越NOR Flash。

擦除变为1 写变为0
NOR Flash: 基于字节进行读写  无坏块  扇区   速度快   支持XIP(XIP允许CPU直接从非易失性存储器（如Flash）中执行代码，而无需将代码复制到RAM中。这减少了代码加载时间，并降低了对RAM的需求。)可以直接在flash上面进行访问运行程序无需再加载到RAM上 可以直接运行   16M字节默认都是1   只能写0不能写1 写1靠擦除 
扇区擦除最小16*256字节 

NAND Flash:  基于快进行读写  有坏块  块区   速度慢  不支持XIP需要先读到RAM上， 不能存储代码

XIP优势：

• 节省内存空间：代码直接在存储器中执行，无需复制到RAM，节省了宝贵的内存空间。
• 提高性能：减少了代码加载和执行的时间，从而提高了系统的性能。
• 简化系统设计：降低了对RAM的需求，简化了系统设计，并降低了系统成本。
• 提高系统可靠性：避免了代码复制过程，减少了因复制错误导致的系统崩溃风险。