MOS管金属氧化物半导体场效应晶体管

(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)金属氧化物半导体场效应晶体管

 N沟道MOS管

栅极没有电压时，他是截止的

给栅极施加电压时他就导通了

 

 原理

蓝色部分为N型半导体(掺磷+5价带自由电子)无论正接还是反接都可以导通

黄色区域为P型半导体(掺硼+3价空穴带正电)

P型和N型结合形成二极管，通上电就有了电场，电子的。受力方向和电场线方向相反

P端接正电时，N端的自由电子受到吸引跑到P端与空穴结合持续不断，形成电流

当N端接正极时，自由电子受到吸引不能与空穴复合，没有形成电流，这就是二极管的单向导通性

 给两块N型半导体引出两个金属电极，分别作为mos管的漏极和源极

 

 而且方向相反，有一个导通就有一个截止，所以此时Mos管截止，为了让他导通，在P

区加了很薄一层二氧化硅绝缘层又在绝缘层上制作了一个金属板形成了栅极，那我们给栅极接上电，这时金属板就有了电场，他就可以把P区里的电子吸引到绝缘层附近，而把空穴赶走，电压越大吸引的空穴越多，就行成了N沟道，此时N沟道取代了原本半导体中的空穴，使得原来半导体之间的PN结不复存在，

 所以在栅极施加电压之后，他就导通了，当我们把栅极电压去掉，N沟道就消失了此时mos管必然截止

两个重要特性

一个特性是mos管的栅极输入阻抗非常高，这是因为有绝缘层的存在，他几乎完全关闭了电子的通道，造成它的输入电阻可达到上亿欧姆所以说他的输入几乎不取电流，这就是为什么芯片内部集成的几乎都是mos管

 第二个特性就是mos的栅极很容易被静电击穿，由于栅极输入阻抗很大，感应电荷很难释放，它产生的高压很容易就把这一层薄薄的绝缘层给击穿，造成Mos管永久损坏，因为被击穿后电荷就不能像以前一样聚集成N沟道而是形成栅极和源极之间的电流