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RSS订阅原创 HDMI应用与说明
HDMI接口（High-Definition Multimedia Interface，高清多媒体接口）是一种用于传输高质量信号的标准接口。
2024-10-02 13:33:05
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原创 DC-DC电源电路的设计要点
输出电压： 当开关管Q1导通，储能电感L1被充磁，流经电感的电流线性增加，同时给电容C1充电，给负载提供能量，二极管反向截止等效于断路。 当开关管Q1关断，储能电感L1通过续流二极管放电，电感电流线性减少，输出电压靠输出滤波电容C1放电及减小的电感电流维持。 当上管Q1导通，此时下管Q2关断，储能电感L被充磁，流经电感的电流线性增加，同时给电容C充电，给负载提供能量。 当上管Q1关断，在下管Q2还没完全导通的时候，储能电感L1通过MOSFET的体二极
2024-09-09 21:12:56
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原创 晶振容性负载的计算
50ppm，在对应的温度范围内，晶体最大频偏不会超50ppm(——晶体容性负载，这是晶体稳定工作的基本要求，根据芯片资料可得。——引线(Trace）电容，根据芯片资料可得。——引脚电容，根据芯片资料可得。——外部( Trim）电容。三者并联，再与两边并联。
2024-07-27 17:16:16
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原创 TVS管、ESD和自恢复保险丝的参数说明与选型
具有正的温度系数，当某个MOSFET通流比较多，功耗就会大，温度上升，导致电阻变大，使一部分电流分配到导通电阻小的MOSFET，实现多个MOSFET并联使用时的均流。N个MOSFET并联使用时，漏源极之间的等效导通电阻为单个MOSFET导通电阻。功率MOSFET 的功耗主要消耗在漏源极之间的导通电阻。的 1/N，即 MOSFET并联使用有利于减小MOSFET上的功耗。一般而言，MOSFET尺寸越大，——栅极与源极之间的寄生电容。设计时不能只是略大于。——栅极与漏极之间的寄生电容。
2024-07-25 14:09:22
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原创 电容的选型及应用
note：泄漏特性——电容在工作过程中，由于介质材料的缺陷或外界环境的影响，会导致电容内部产生泄露电流。ESR：由电容器件的引脚电阻和电容器件两极间等效电阻构成，主要取决于电容工作温度、工作频率以及电容体本身的导线电阻等。ESL：电容器件的引脚电感和电容器件两极间等效电感串联而成，主要取决于封装。note：交流耦合——交流信号从一个电路传输到另一个电路，同时阻止直流。Rated Voltage：额定电压，需要降额20%（2）高频噪声的重要泄放通路。Rleak：取决于电容器件本身特有的泄漏特性。
2024-07-22 13:55:38
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原创 笔记1——LDO（低压差线性稳压器）
而在电流不大的场合，由于电源通路上压降较小，可尽量少地使用SENSE 功能，此时，SENSE引脚应在电源输出端直接与Vout相接。即可，由于SENSE信号线不承载大电流，因此压降极小，可忽略，从而使电源芯片的SENSE引脚对地电压近似等同于负载电压，电源芯片获取该信息后，可自动调节Vout，直到SENSE引脚对地电压接近电源电压的设定值。调整管上产生的功耗全部转换了热能，为了提高散热能力，一些LDO器件会在腹部焊盘提供散热焊盘，一般将该焊盘连接到GND，且在散热焊盘上打多个到内层GND的过孔。
2024-07-20 12:35:24
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空空如也
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