【笔试题】华为校园招聘-硬件通⽤/单板开发、硬件工程师、硬件实习、华为机考笔试题

华为2024 届校园招聘-硬件通⽤/单板开发

自己整理，部分带解析，求个关注

1、⼀空⽓平⾏板电容器，两级间距为d，充电后板间电压为u。然后将电源断开，在平板间平⾏插⼊⼀厚度为d/3 的⾦属板。此时电容器原板间电压变为：
A.U/3
B.2U/3
C.3U/4
D.不变
解析：电容的⼤⼩不是由 Q（带电量）或U（电压）决定的，⽽是C=εS/4πkd。其中，ε 是⼀个常数，S 为电容极板的正对⾯积，d 为电容极板的距离，k 则是静电⼒常量。⽽常⻅的平⾏板电容器，电容为C=εS/d.（ε 为极板间介质的介电常数，S 为极板⾯积，d 为极板间的距离。） 电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2。
2、8086CPU 内部包括哪些单元？
A.ALU,EU
B.ALU,BIU
C.EU,BIU
D.ALU,EU,BIU
解析：80x86 从功能上分执⾏单元EU(Execution Unit)，和总线接⼝单元BIU(Bus InterfaceUnit)，执⾏单元由8 个16 位通⽤寄存器，1 个16 位标志寄存器，1 个16 位暂存寄存器，1个16 位算术逻辑单元ALU 及EU 控制电路组成。总线接⼝单元由4 个16 位段寄存器（CS,DS,SS,ES），1 个16 位的指令指针寄存器，1 个与EU 通信的内部暂存器，1 个指令队列，1 个计算20 位物理地址的加法器Σ及总线控制电路构成。
3、为了避免50Hz 的电⽹电压⼲扰放⼤器，应该⽤那种滤波器：
A.带阻滤波器
B.带通滤波器
C.低通滤波器
D.⾼通滤波器
4、关于SRAM 和DRAM，下⾯说话正确的是：
A.SRAM 需要定时刷新，否则数据会丢失
B.DRAM 使⽤内部电容来保存信息
C.SRAM 的集成度⾼于DRAM
D.只要不掉电，DRAM 内的数据不会丢失
解析：SRAM 和DRAM 都是随机存储器，机器掉电后，两者的信息都将丢失。它们的最⼤区别就是：DRAM 是⽤电容有⽆电荷来表示信息0 和1，为防⽌电容漏电⽽导致读取信息出错，需要周期性地给电容充电，即刷新；⽽SRAM 是利⽤触发器的两个稳态来表示信息0 和1，所以不需要刷新。另外，SRAM 的存取速度⽐DRAM 更⾼，常⽤作⾼速缓冲存储器Cache。DRAM 的集成度要⾼。因为SRAM 需要更⼤的体积。
5、在RS232 串⼝中，采⽤哪⼀种校验⽅式：
A.CRC 校验
B.明码校验
C.多种校验⽅式的组合
D.奇偶校验
6、对于D 触发器来说，为了保证可靠的采样，数据必须在时钟信号的上升沿到来之前继续稳定⼀段时间，这个时间称为:
A.保持时间
B.恢复时间
C.稳定时间
D.建⽴时间
7、本征半导体中加⼊（）元素可形成N 型半导体。
A.五价
B.四价
C.三价
D.⼆价
解析：掺杂3 价的原⼦形成P 性，掺杂5 价格的形成N 形半导体
8、模拟信号数字化的过程是
A.采样->量化->编码
B.采样->编码->量化
C.编码->采样->量化
D.量化->编码->采样
9、在Buck 电路中，不能起到减⼩纹波作⽤的措施是
A.采⽤多项并联的模式
B.开关管内置，提⾼电源的开关频率
C.输出滤波电容由陶瓷电容改为电解电容
D.增⼤输出滤波电感量
10、关于PCI 总线的描述，错误的是:
A.PCI 总线是⼀个16 位宽的总线
B.PCI 的地址线与数据线是复⽤的
C.PCI 是⼀种独⽴于处理器的总线标准，可以⽀持多种处理器
D.PCI ⽀持即插即⽤功能
解析：总线宽度为32/64 位。
11、中继器、以太⽹交换机、路由器分别⼯作在OSI 模型的哪位层次上：
A.物理层、链路层、⽹络层
B.物理层、⽹络层、链路层
C.物理层、链路层、传输层
D.链路层、链路层、⽹络层
12、Vgs 在可⽤的电压范围内，Vgs 越⼤, MOSFET 的漏源的导通电阻的变化是
A、变⼤
B、变⼩
C、不变
13、下⾯的哪个电路属于组合逻辑
A 计数器
B 移位寄存器
C 译码器
D 触发器
14、相啮合的标准⻮轮，⼩轮的⻮根厚度与⼤轮的⻮根厚度相⽐
A ⼩⻮轮更⼤
B ⼤⻮轮更⼤
C 相等
解析：⼀对相啮合的标准⻮轮中,⼩⻮轮的⻮根厚度⼩于⼤⻮轮的⻮根厚度,⽽⼩⻮轮的⼯作条件往往⽐⼤⻮轮恶劣,故容易损坏。
15、下⾯不能⽤带使能的⼆进制译码器实现的是（）
A 多路数据分配器
B 地址译码器
C 七段数字显示译码器驱动
D 计数器
16、基于IA 64 架构的软件可以运⾏在 IA32 位数的处理器上
A 正确
B 错误
17、 N 形的半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电荷
A 正确
B 错误
解析：多⼦确实是电⼦，但是整体是电中性的
18、对板料进⾏多次的拉伸，为了消除形变强化，中途应该（）
A 完全退⽕
B 再结晶退⽕
C 正⽕
19、Cache 的写策略⼀般包括 write back 和write through 两种 前者减少了对内存的访问，所有性能更⾼。
A 正确
B 错误
解析：Write back 是只是写到Cache 中，并不会⻢上写到memory 中，只有当Cache 被替换掉的时候，才会进⾏写到memory 中，效率⾼，但是结构复杂。Write through 就⼲脆的多，直接写到memory 中。结构简单，但是效率低。
20、锁相环的电路中，与鉴相器参考信号 R 相连 并且与运放正输⼊相连的是（）
A UP 信号
B VCO 压控信号
C DOWN 信号
D 其他的都可以
21、动态⼼电图使⽤的ECG 带宽是
A、0.05-40HZ
B、0.05-50HZ
C、0.0.5-150HZ
D、0.5-40Hz
22、计算机的字⻓是指
A、数据⻓度
B、CPU 的数据总线的宽度
C、CPU 内部⼀次可以处理的⼆进制数的位数
23、关于 PCB 的设置，以下描述错误的是（）
A 器件⾯下⾯（第⼆层）优先设置我地⾯层
B 优先采⽤对称结构设计
C 尽量避免两个信号层直接相邻
D 电源层离底层越远越好
24、考虑单板12V 总线最低电压不超过8v。如果12V 输⼊上跌落最⻓400us，负载最⼤电流10A,则12V 总线上的电容最⼩为：
A 1000UF
B 2500UF
C 500UF
D1500UF
25、电源纹波噪声那种测量⽅式最准确？
A ⽆源探头 示波器设置为50ohm DC 模式
B ⽆源探头 示波器设置为 1Mohm AC 模式
C 同轴线缆 10uf 电容隔直 示波器设置为50ohm DC 模式
D 有源探头 示波器设置为50ohm DC 模式
26、对于⼆进制信号传输来说，波特率在数值上等于⽐特率
A 正确
B 错误
解析：⽐特率=波特率 * ⽐特，也就说波特率是每秒钟电平的变化次数，⽐特率是每秒钟的传输的信息量。如果是4 进制，也就说每个位数可以代表四个含义，那么⽐特率就是波特率的4 倍。
27、数字电路设计中经常采⽤地址的⾼位译码器来产⽣芯⽚的⽚选
A 正确
B 错误
28、温度升⾼，熔体的表⾯张⼒⼀般将
A 不变
B 增加
C 减少
D 不确定
解析：促使⾦属熔体表⾯收缩的⼒量，叫做熔体的表⾯张⼒。在⼀定的温度下，纯液体的表⾯张⼒是⼀定的。随着温度的升⾼，表⾯张⼒减少。随着温度的升⾼，熔体的表⾯张⼒减少。
29、正常情况下，脉冲的下降沿Tf 的时间值应该在下述的哪个条件下测量？
A 在脉冲峰峰值的10%到90%
B 在脉冲峰峰值的0 到90%
C 在脉冲的峰峰值的10%到100%
D 在脉冲的峰峰值的0 到100%
30、疲劳破坏是由于裂纹扩展引起的。
A 正确
B 错误
31、在数字逻辑电路的设置中，要避免引起”竞争”，可以采⽤以下的那些⽅式（）
A 在电路中增加延时逻辑
B 采⽤同步时序电路
C 采⽤异步时序电路
D 修改状态转换表
32、计算机⽹络的物理层具有那些功能
A 定义报⽂的差错控制特性
B 定义接⼝的信号电⽓特性
C 定义连接器的机械特性
D 定义报⽂的路由特性
33、下⾯关于DMA 传输⽅式，正确的有
A 需要DMA 控制器参与传输
B 具有传输速度快，降低CPU 的负载的优点
C 传输前后不需要有CPU 的参与
D 计算机系统的地址总线，数据总线，控制总线在CPU 和DMA 控制器之间复⽤。
34、DRAM 上电时存储单元的内容是全0，⽽Flash 上电时存储单元的内容是全1。
A、正确
B、错误
解析：FLASH 上电后维持其原存储的信息。
35、眼图可以⽤来分析⾼速信号的码间⼲扰、抖动、噪声和衰减。
A、正确
B、错误
36、以太⽹交换机将冲突域限制在每个端⼝，提⾼了⽹络性能。
A、正确
B、错误
37、放⼤电路的输出信号产⽣⾮线性失真是由于电路中晶体管的⾮线性引起的。
A、正确
B、错误
38、1 的8 位⼆进制补码是0000_0001,-1 的8 位⼆进制补码是 1111_1111。
A、正确
B、错误
解析：正数的补码是⾃⼰，负数的补码是按位取反加1。
39、洗⾐机，电冰箱等家⽤电器都使⽤三孔插座，是因为如果不接地，家⽤电器是不能⼯作
的。
A、正确
B、错误
40、⼗进制数据0x5a 与0xa5 的同或运算结果为：0x00。
A、正确
B、错误
解析：同或运算，就是两个相同就是输出 1 不同就输出 0 和异或运算的结果相反。
41、硅⼆极管的正向导通压降⽐锗⼆极管的⼤。
A、正确
B、错误
解析：硅⼆极管的正向导通压降⼀般为0.6_{0.7V，⽽锗的压降⼀般是0.2V}0.3V。