FLASH和EEPROM的区别和联系

网上有不少关于这方面的解释，但有的不够清楚，有的有略显复杂。现从ASIC的视角重新整理如下：

定义

• FLASH和EEPROM都属于广义的ROM，掉电数据不丢失。

读写特性

• FLASH是块擦除的，EEPROM任意bit可修改。
• NAND FLASH只能按页读取，NOR FLASH可按字节读取，EEPROM任意bit读取。

成本和寿命

• NAND成本最低，NOR成本也很低，EEPROM成本高
• NAND适合做大容量数据存储；NOR因为支持字节读取，适合做程序存储器；EEPROM适合做小容量的片内存储器。
• NAND擦写次数约十万次；NOR擦写次数约一万次；EEPROM擦写次数约一百万次。

产品和应用

• NAND一般是SPI接口，密度高、擦写快，控制略复杂。用在存储设备上，如U盘、SD和MMC等
• NOR可以提供SRAM接口，直接可访问，作为程序执行接口。用于MCU的程序存储。
• EEPROM读写简单，一般用于高可靠性小容量的片上存储。