内省

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内省

由内省引出JavaBean的讲解

内省--->了解JavaBean

JavaBean是一种特殊的Java类,主要用于传递数据信息,这种java类中的方法主要用于访问私有的字段,且方法名符合某种命名规则。

如果要在两个模块之间传递多个信息,可以将这些信息封装到一个JavaBean中,这种JavaBean的实例对象通常称之为值对象(Value Object,简称VO)。这些信息在类中用私有字段来存储,如果读取或设置这些字段的值,则需要通过一些相应的方法来访问,大家觉得这些方法的名称叫什么好呢?JavaBean的属性是根据其中的setter和getter方法来确定的,而不是根据其中的成员变量。如果方法名为setId,中文意思即为设置id,至于你把它存到哪个变量上,用管吗?如果方法名为getId,中文意思即为获取id,至于你从哪个变量上取,用管吗?去掉set前缀,剩余部分就是属性名,如果剩余部分的第二个字母是小写的,则把剩余部分的首字母改成小的。

setId()的属性名--->id

isLast()的属性名--->last

getCPU的属性名--->CPU

getUPS的属性名--->UPS

总之,一个类被当作JavaBean使用时,JavaBean的属性是根据方法名推断出来的,它根本看不到java类内部的成员变量。

一个符合JavaBean特点的类可以当作普通类一样使用,但把它当JavaBean用肯定需要带来一些额外的好处,我们才会去了解和应用JavaBean!好处如下:

在Java EE开发中,经常要使用到JavaBean。很多环境就要求按JavaBean方式进行操作,别人都这么用和要求这么做,那你就没什么挑选的余地!

JDK中提供了对JavaBean进行操作的API,这套API就称之为内省。如果要你自己去通过getX方法来访问私有的x,怎么做,有一定难度吧?用内省这套api操作JavaBean比普通类的方式更方便。

对JavaBean的简单内省操作

内省综合案例

演示用eclipse自动生成ReflectPoint类的setter和getter方法。

直接new一个PropertyDescriptor对象的方式来让大家了解JavaBean API的价值,先用一段代码读取JavaBean的属性,然后再用一段代码设置JavaBean的属性。

演示用eclipse将读取属性和设置属性的流水账代码分别抽取成方法:

只要调用这个方法,并给这个方法传递了一个对象、属性名和设置值,他就能完成属性修改的功能。

得到BeanInfo最好采用”obj.getClass()”方式,而不要采用”类名.class”方式,这样程序更通用。

采用遍历BeanInfo的所有属性方式来查找和设置某个ReflectPoint对象的x属性。在程序中把一个类当作JavaBean来看,就是调用IntroSpector.getBeanInfo方法,得到的BeanInfo对象封装了把这个类JavaBean看的结果信息。

package day1;

 

import java.beans.IntrospectionException;

import java.beans.PropertyDescriptor;

import java.lang.reflect.InvocationTargetException;

import java.lang.reflect.Method;

 

public class IntroSpectorTest {

 

    public static void main(String[] args)throws Exception {

        ReflectPoint pt1 = new ReflectPoint(3,5);

      

       String propertyName = "x";

       //"x"-->"X"-->"getX"-->MethodGetX-->

       Object retVal = getProperty(pt1, propertyName);

       System.out.println(retVal);

   

       Object value = 7;

       setProperties(pt1, propertyName, value);

      

       System.out.println(pt1.getX());

    }

 

    private static void setProperties(Object pt1, String propertyName,

           Object value) throws IntrospectionException,

           IllegalAccessException, InvocationTargetException {

       PropertyDescriptor pd2 = new PropertyDescriptor(propertyName,pt1.getClass());

       Method methodSetX = pd2.getWriteMethod();

       methodSetX.invoke(pt1, value);

    }

 

    private static Object getProperty(Object pt1, String propertyName)

           throws IntrospectionException, IllegalAccessException,

           InvocationTargetException {

       PropertyDescriptor pd = new PropertyDescriptor(propertyName,pt1.getClass());

       Method methodGetX = pd.getReadMethod();

       Object retVal = methodGetX.invoke(pt1);

       return retVal;

    }

 

}

对JavaBean的复杂内省操作

    private static Object getProperty(Object pt1, String propertyName)

           throws IntrospectionException, IllegalAccessException,

           InvocationTargetException {

       /*PropertyDescriptor pd= new PropertyDescriptor(propertyName, pt1.getClass());

       Method methodGetX = pd.getReadMethod();

       Object retVal = methodGetX.invoke(pt1);*/

      

       BeanInfo beanInfo = Introspector.getBeanInfo(pt1.getClass());

       PropertyDescriptor[] pds = beanInfo.getPropertyDescriptors();

       Object retVal = null;

       for(PropertyDescriptor pd : pds){

           if(pd.getName().equals(propertyName)){

              Method methodGetX = pd.getReadMethod();

              retVal = methodGetX.invoke(pt1);

              break;

           }

       }

       return retVal;

    }

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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