电力MOSFET的通态电阻与开关速度

1. 电力MOSFET的通态电阻

        通态电阻R_{on}是电力MOSFET的重要参数,它直接影响器件的通态压降和最大输出功率。通常规定:在确定的门极电压U_{GS}下,电力MOSFET由非饱和区转向饱和区时的直流电阻为通态电阻。一般通态电阻R_{on}由4部分组成:沟道电阻、栅漏积聚区电阻、夹断区电阻、轻掺杂漏极区电阻。

        通态电阻R_{on}的大小与器件结构有关;沟道越长越窄、夹断区越大、轻掺杂漏极区越厚电阻率越大,R_{on}越大。值得注意的是,增加轻掺杂漏极N—区的厚度和电阻率是提高器件耐压能力的关键,因此电压等级高的器件通态电阻一般较大。

        通态电阻R_{on}随着温度升高而增加,近似呈现线性关系,因此称R_{on}具有正的温度系数。器件电压等级越高

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