电力场效应晶体管（Power MOSFET）

​ 1. 电力MOSFET

       电力场效应晶体管，简称电力MOSFET，是利用电场效应来控制半导体中电流的电力半导体器件，它是一种单极性电压控制器件，不但有自关断能力，而且有驱动功率小、工作频率高、无二次击穿现象、安全工作区高等优点。

       注：‌二次击穿现象‌是指在电力晶体管等功率器件中，当一次击穿发生后，如果继续增加偏压，器件会在极短的时间内进入一个低压大电流的区域，这种现象称为二次击穿。二次击穿主要是由于器件体内局部温度过高造成的。具体来说，当晶体管在正向偏置时，由于热不均衡性引起局部温度升高，形成所谓的“热点”，导致局部电流增加，进而使温度进一步升高，最终达到临界温度，造成管子击穿。‌

       MOSFET有N沟道、P沟道两种类型。N沟道中载流子是电子，P沟道中载流子是空穴，都是多数载流子。其中每一种又可分为增强型和耗尽型两种。所谓增强型就是控制极不加电压时器件就没有导电沟道，外加控制电压时才形成导电沟道的这类器件，属于常开型。所谓耗尽型就是控制极不加电压时器件就存在导电沟道，可以导电的这类器件，属于常闭型。耗尽型器件，由于使用不太方便，很少应用。常用的电力MOSFET，绝大多数是N沟道增强型器件，亦有少量P沟道增强型。

2. 电力MOSFET的体二极管

        下图是NMO