
CHA8054-99F
高输出功率: 23W
高功率附加效率: 50%
线性增益: 27dB
采用氮化镓 (GaN) HEMT 工艺制造
裸片形式提供
CHA8054-99F 采用氮化镓 (GaN) HEMT 工艺制造,这种工艺赋予了它强大的力量和高效的能量转换能力。它以裸片形式提供,就像一颗未经雕琢的宝石,等待着工程师们将其打磨成精美的首饰。
CHA8612-QDB
CHA8312-99F
CHA6710-99F
CHA6710-FAB
CHA5115-QDG
CHA5115-99F
CHA6005-QEG
CHA6005-99F
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CHA8212-99F
CHA8710a99F
CHA8611-99F
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CHA7215-99F
CHA7115-99F
CHA7114-99F
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