- 博客(8)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 防护设计 一
1）防反接---二极管（损耗过大,选择肖特基二极管），MOS管（PMOS+稳压管）EMS防护，多级防护逐级递减 压敏电阻---电感（退耦的作用 阻碍）---TVS。3）过压---电源入口，信号入口--钳位二极管（双向）---形成闭环系统。6）过温/过热---过高的电流、NTC电阻检测温度---形成闭环系统。B）过高切断---MOS控制电路、过压防护电路。4）欠压---掉电检测---形成闭环系统。2）过流/短路---保险丝、电流监测。A) 监测电压---电阻分压ADC。A）监测电压---电阻分压ADC。
2025-10-10 15:44:29
204
原创 硬件驱动电路设计
PNP---射极接电源---基极偏置（有一个固定的电流）接上拉电阻和限流电阻---集电极接负载。NPN---射极接地---基极偏置（有一个固定的电流）接下拉电阻和限流电阻---集电极接负载。Cgs、Cgd主要由栅极的绝缘效应产生----由栅极电极的结构造成决定其电容值。Cds 由体二极管的结电容产生----垂直结构的PN结电容所决定的。PMOS-S极接电源---G接控制信号、上拉电阻---D极接负载。NMOS-S极接地---G接控制信号、下拉电阻---D极接负载。
2025-09-15 15:40:33
220
原创 MCU设计
此RC电路的唯一目的是延长复位时间（确保电源稳定后芯片启动)，3.3V-R-NRST-C-GND，低电平复位，在NRST引脚为超过最大低电平0.8V时，会一直复位，达到延时作用。2、看门狗复位：正常工作时，需要更具时钟计数器，在设定时间内进行喂狗操作，喂狗后，计数器重置，重新计时。有源晶振：内部集成震荡电路，需要外部供电（3.3V、5V等），直接输出时钟信号（连接MCU-OSC_IN引脚，OUT引脚无需连接。2、半双工：可以双向发送数据，但不在同一时刻，如9-10点 A到B，10-11点，B到A。
2025-08-18 15:45:06
399
原创 嚼碎电感（一）
自感电动势的电压方向与电源方向相反，可以抵消一部分进入电感的电流， 实际电压= 电源电压-自感电压，所以电感电流的上升或下降是缓慢的（电感电流不能突变）断路状态：电感电流急剧下降，产生很高的di/dt，则U=L×di/dt很大，产生很大的尖峰电压（反向电动势，使用二极管做续流，选择二极管时要考虑反向电压，电感电流大小，功耗）（注：电感达到磁饱和后，没有阻碍电流的能力，会出现浪涌电流，相当于电感短路，很容易烧坏电感） 磁芯材料有温度等级，超过温度会永久损坏。
2025-07-23 10:30:52
459
原创 嚼碎电容（一）
作为源（在电路设计中，需要稳定的电压，源往往离负载很远，电容具有稳定电压的功能，并在负载电流动态变化时，电容可以及时响应，解决负载的瞬态电流），对后极电路提供能量或对源进行充电。10nF以下选择NP0（C0G），1uF以下选择X7R（X:表示低温-55℃ 7:表示高温125℃ R:表示在此温度范围内电容容量的变化为±15%）滤波 震荡 延时 选择容值偏小的电容（用陶瓷电容，体积小、则寄生参数小，容值越小滤除高频毛刺效果越好），延时电阻选大，电阻精度高，让电阻起决定性作用。
2025-07-14 21:22:05
409
原创 电阻（一）
跳线调试、测电流（去掉0R电阻接万用表，万用表只能测均值，不能测瞬态电流）、单点接地（模拟地和数字地的连接：0R电阻相当于很窄的电流通路，可以大大降低地之间的互相干扰）、高频电路当作电感用来解决EMC问题。5% 电阻分压（三个电阻分压基本可以得到任意一个电压值）、限流。普通绝大多数电阻 负温度特性 随温度升高阻值降低 （NTC电阻、碳膜/金属膜电阻）2、功率：选取电阻时要计算功率是否满足，需保留余量（一般保留1.5倍）1、精度： 1% 电流采样（2512封装 mΩ）、电压采样。
2025-07-09 18:30:09
184
原创 电感的反向电动势
5、电感产生反向电动势时，相当于一个电源，内部电流方向仍然是低电势到高电势移动，电感的非静电力是由变化的磁场产生感应电场。化学能、电磁感应、燃料电池、太阳能电池、可以反抗静电力，将电荷从低电势到高电势移动。当电感电流减小、磁通量减小、产生反向电动势试图维持电流，不让减小。当电感电流增大、磁通量增大、产生反向电动势阻碍电流增大。电源负极，也是电场的方向，是静电力的作用。电源正极，电场的反方向，是非静电力的作用。在闭合回路中，电荷的流动是连续的。电感的反向电动势相当于电源。1、电场的方向：正极。
2025-07-08 15:26:09
689
1
原创 存储的分类
位宽的选择：SOC 128Bit，可选择4个32Bit的DDR。SOC 64Bit，可选择1个32Bit的DDR，但需更改SOC的配置。例如：手机8G+256G,其中8G是运行内存，是易失性存储，关机（掉电）丢失。256G是内存，非易失性存储，关机（掉电）不丢失。原理结构上是MOS+电容,电容储存电压，用放电和存电来控制MOS打开关断，电容较小，易失电，可信度低，有时需要刷新。Norflash: 3.3V或1.8V供电，成本高，可靠性高，不需要ECC校验。内存： 32GB-256GB。
2025-07-04 11:37:46
217
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人