KF1013的博客

当对电子产品做EMC试验时，依据相关标准，有许多试验项目要做。尤其是对于大型复杂的通信系统设备而言，因为他们有许多对外接口线，对于设备的接口线，有时在PCB上的处理并不能解决全部问题。系统设备在进行EMC试验时，如果出现辐射发射测试、传导发射测试、雷击浪涌抗扰性试验的问题，可参考如下流程图形式思路解决问题。需要指出的是，当在试验中采取一项措施后，即使改善效果并不明显，仍然存在超标的发射点，不要急于去掉该项措施，而应该在该项措施的基础上，继续采取其他措施，直到问题解决为止；辐射发射与辐射抗扰性。

g) 在绘制差分线的过程中，使用45°弯角或圆弧弯角来代替90°弯角，并尽量在差分线周围的150 mil范围内不要走其他的信号线，特别是边沿比较陡峭的数字信号线更加要注意其走线不能影响usb差分线。带有USB接口的产品，需要满足相关电磁兼容要求，与USB相关的电磁兼容项目要求如下，其他如应用在军品、汽车电子、铁路电子要求则有所不一样，具体请参考相关电磁兼容标准要求。f) 保证差分线的线间距在走线过程中的一致性，如果在走线过程中差分线的间距发生改变，会造成差分线阻抗的不连续性。三、 USB接口标准要求。

R3、R4是接收端差模匹配电阻，通过中间电容C3接地，提供共模阻抗匹配，兼具共模滤波效果，使得外部共模干扰信号不会进入接收电路；初级端由电阻R5和R6、电容C4组成的电路是Bob Smith电路，以达到差模、共模阻抗匹配的作用，通过电容接地可以滤除共模干扰，该电路可以提供10dB的电磁干扰衰减。在产品的互连电缆、I/O口的信号线等共模干扰路径上使用共模电感相当于增加了共模干扰传输路径的阻抗，因此在一定的共模电压驱动下，流过产品互连电缆、I/O口的信号线等路径上的共模电流就会减小。图2 T4内部电路结构。

MAX3160E是Maxim美信半导体公司的一款驱动器-接收器产品，它具有是±15kV ESD保护、+3.0V至+5.5V、10nA、RS-232/RS-485/RS-422的多协议收发器。MAX3160E是可编程RS-232/RS-485/RS-422多协议收发器，可通过引脚编程设置为2Tx/2Rx RS-232接口或者单RS-485/RS-422收发器，具有增强的静电放电(ESD)保护功能。为更好的体现专业，后续的干货分享更多的关注设计指导分享，希望各位建议和点评！集成的电荷泵电路节省了电路板的空间。

1. 分析EMI问题时的守则频率越高，越可能是辐射耦合之路径；频率越低，越可能时传导耦合之路径。

DDR类别和参数介绍DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-Dimensional Stack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。

电感也是解决EMC问题的重要器件。利用电感增大回路的阻抗，以减小回路中的干扰电流，从而达到抑制干扰的目的。

电容是解决EMC问题的重要器件。不同类型的电容有不同的物理特性，因而设计时应根据需要选用合适的电容。

在放大电路设计中，电阻的选择极为重要。在高频范围内，由于电阻及其引线引入的寄生电感会导致阻抗增大，因此，增益调整的电阻应选用高频寄生电感较小的电阻，并尽可能地放置在靠近放大电路的地方，以减小引线电感的影响。对于有引脚的电阻，应首选碳膜电阻，其次是金属膜电阻，最后是绕线电阻。在相对低的工作频率下（约MHz数量级），金属膜电阻是主要的寄生元件，但是其过载能力强，所以它一般适合用在大功率电路中。在RC滤波网络中，必须考虑电阻的感性影响，因为绕线电阻的寄生电感与电容会产生谐振，在谐振频率上产生插入增益。