24、异质结双极晶体管太阳能电池与微电网频率控制技术研究

异质结双极晶体管太阳能电池与微电网频率控制技术研究

异质结双极晶体管太阳能电池性能分析

1. 材料与方法
   • 电池结构 ：采用3 - T HBTSC结构，包含p型Cu₂BaSnS₄₋ₓSeₓ（CBTSSe）发射极、n型CdS基极和p型(AgₓCu₁₋ₓ)₂ZnSnSe₄（ACZTSe）集电极。各层材料的带隙不同，CBTSSe和CdS面向太阳时带隙分别为1.65 eV和2.42 eV，ACZTSe在Ag/(Cu + Ag)比例为10%（摩尔分数x = 0.2）时带隙为1 eV。
   • 接触材料与厚度 ：钼（Mo）、铟掺杂氧化锡（ITO）和氟掺杂氧化锡（FTO）分别用于集电极、基极和发射极接触。各层的最佳厚度分别为：Mo 500 nm、ACZTSe 800 nm、CdS 50 nm、CBTSSe 300 nm、FTO 100 nm、ITO 100 nm。前表面单层抗反射涂层（SLARC）MgF₂的厚度为100 nm。
   • 双抗反射涂层（DLARC） ：DLARC对于光伏电池减少特定波长的反射非常有用。在DLARC中，顶层面向空气的折射率最小，其他层按折射率递增顺序依次附着。为了抵消材料周边反射的波，需要满足干涉条件，各层厚度通常为工作波长的一半或四分之一（λ₀/2和λ₀/4）。本文引入了MgF₂ - Ta₂O₅和MgF₂ - Si₃N₄两种DLARC结构，反射率R的计算公式为：
     [
     R = \frac{A + B + C + D + E + F}{1 + (r_1^2r_2