Jack15302768279的博客

UIS 雪崩击穿能力高，生产时 100% 最后筛测。16串以上：100-150V。13~16串：80-100V。芯片体积小且散热性要好。10~13串：80V。

简而言之，对于三相电机，只需要两个电流传感器，因为第三相的电流可以从其他两相的总和中得出。然而，当考虑到系统的安全性和可靠性时，使用三个电流传感器是有利的，以便可以进行系统交叉检查。通常，无芯传感器具有出色的线性度，因为不存在芯饱和效应。相之间会存在串扰，但这将是系统性的，因此可以通过合适的算法进行补偿。该方法使用三个独立的电流传感器，这些传感器在所需的电流和温度范围内具有必要的精度。无芯电流传感器 用于牵引环境的下一代传感器将是无芯的。通常，无芯传感器具有出色的线性度，因为不存在芯饱和效应。

碰巧的是，现代集成电路的设计具有非常低的上升和下降时间（<10 -9 s），具有多个共享相同 Vss 和 Gnd 线（这会增加同时切换期间的电流）的输出引脚，并且具有非常小的噪声裕度。这些电线具有少量但不小的电感。如果电流幅度可以在很短的时间内发生变化，就像开关状态期间经常出现的情况一样，那么即使电路的电感非常低，所产生的电势差也将很大。大多数 PCB 设计人员无法控制封装结构，但他们有时可以在设计中选择较小的封装或倒装芯片封装 - QFN 封装几乎肯定比包含相同芯片的 DIP 封装具有更低的封装电感。

处理传感器电路输出信号的电路或计算公式必须生成传感器响应的反函数。例如，如果传感器响应是对数函数，则线性化部分的响应必须是指数的。在实际应用中，由于A/D转换的误差、数字大小的限制以及计算过程中的舍入误差，误差可能不会那么小；其中 N 是微控制器生成的数字，Vs 是传感器电路的输出电压。A 到 D 四个系数的存在提供了很大的灵活性来拟合所需的点集。图 1该计算方法在显示的数字和气流速率之间提供了高度线性的 1:1 关系。测试了几个不同复杂度的函数。图 2仔细观察揭示了整体响应的非常小的非线性。

D7805 构成的 5V 稳压电源为输出电压+5V，输出电流 1000mA 的稳压电它由滤波电容 C1,C3,防止自激电容 C2、C3 和一只固定三端稳压器（7805）后级加 LC 滤波极为简洁方便地搭成，输入直流电压范围为 7~35V，此直流电压经过D7805 的稳压和 C3 的滤波便在稳压电源的输出端产生了精度高，稳定度好的直流输出电压，本稳压电源可作为 TTL 电路或单片机电路的电源，因其体积小，成本低，性能好，成为目前稳压电源中应用最为广泛的一种单片式集成稳压器件。三、测试方案及测试结果。

参考文献 [19] 到 [26] 提出了某种 DAC 模型，而 [27] 到 [29] 描述了 DAC 的特性，但没有描述模型。在那些提出模型的人中，大多数（[19]、[20]、[22] 和 [23]）提出的模型似乎是 DAC 设计者感兴趣的，而不是用户感兴趣的，给出了详细的特定模型来确定诸如 SNR 之类的东西，或者输出频谱上的时钟抖动。此外，正如我们上一篇文章部分中所讨论的，改进的模型将允许添加高达 6 dB 的加性高斯白噪声，以更好地匹配真实 ADC 的本底噪声。和加泽尔，A， [24]

这些球隙在回路中起控制开关的作用，当它们都动作后，所有级电容C就通过各级的波头电阻Rf串联起来，并向负荷电容C0充电。此时，串联后的总电容为C/n，总电压为nV。n为发生器回路的级数。冲击电压发生器利用多级电容器并联充电、串联放电来产生所需的电压，其波形可由改变Rf和Rt的阻值进行调整，幅值由充电电压V 来调节，极性可通过倒换硅堆D两极来改变。图中C1为主电容，又称冲击电容，它相当于各级串联后的总电容，即;Rf和Rt分别为波头电阻和波尾电阻，它们相当于各级rf和rt的总和，即Rf=nrf，Rt=nrt；

电路的安培额定值取决于保护导体的断路器或保险丝的额定值，而不取决于电路中导体的尺寸。与第 210.19(A)(1) 节类似，对于导体载流量，第 210.20(A) 节规定，在分支电路提供连续负载或连续负载和非连续负载的任意组合的情况下，过流装置的额定值不得小于非连续负载加上连续负载的 125%。例外情况 1 至 210.19(A)(1)(a) 允许分支电路导体的载流量不小于连续负载加上非连续负载的总和，如果组件（包括分支的过流装置） -电路，被列为以其额定值的 100% 运行。这些导体的真实载流量是多少？

例如，在某些哈希算法和特定的优化算法中，异或操作可以用来代替复杂的逻辑运算。// 输出: a = 10, b = 5。异或（XOR）运算是一种基本的位运算操作，在计算机科学和数字电路中有广泛的应用。解密： plaintext = ciphertext ^ key 异或操作的自反性使得加密和解密过程相同。奇偶校验：例如，计算一串数据的奇偶校验位，确保数据传输中的正确性。a = a ^ b;// a 变成 a ^ b。a = a ^ b;

因为LLC电源的IC是通过高频扫描的方式启动的。由于电源起机和短路保护时最大磁通量Bm大于稳态工作时的Bm，所以我设定变压器的Bm时需要预留足够的裕度。实际上设定死区时间实则为了避免上、下管直通从而导致电源炸机，也就是说设定一段上、下管同时关断的时间，在上管关断后延迟一段时间再导通下管或在下管关断后延迟一段时间再导通上管，如图5所示td即为死区时间。在电源中有许多器件都有规定最大耐压值，比如：场效应管的Vds和Vgs、二极管的反向耐压、IC的最大VCC电压以及输入输出电容的最大耐压。

使用 VFD，电机的转速通过输入电压的频率来控制，然后再将其提供给电机。VFD 的目的 是使电机驱动的设备的速度与所需负载的速度相匹配。VSI 是常见的 VFD 类型，其中使用简单的二极管电路从交流信号中获取直流信号，并有一个存储能量的电容器。使用变频器控制设备可延长设备的使用寿命，减少维护需求，因为它们可达到适当的电机速度。进入电力转换器的频率为 60 Hz，但从转换器输出到电机的频率具有可调的可变频率，以实现所需的电机转速。VFD 使用频率来控制电机的速度，其中输入信号的频率在注入电机之前受到控制。

一般变压器的容量较小、可靠性高，大多安装在10kV、35kV的母线上，高压短路电流与系统的短路电流相同，而低压一侧的短路电流相对较大。但如果扩大系统的规模，短路电流就会随之增大，甚至达到互感器一次电流的上百倍，从而引起系统中本来能正常运行的互感器发生饱和。内阻减小，甚至接近于零；因为在电流互感器运行过程中，一旦发生二次开路，就会使一次电流转换成为励磁电流，引起铁芯的磁通密度增加，导致电流互感器的快速饱和。由于电流互感器的原方开路，没有原方电流的去磁作用，在不大的电流作用下，铁心很容易就会饱和。

不过，由于现代机器要求多次转换并包含预防性的维护例程，像国家仪器（NI）的LabVIEW这种以单一开发平台方式出现的语言能有效地整合用于规定操作模式的状态机、用于监视例程的数据流、用于精确控制的实时积分解算器、用于故障响应的事件以及用于开/关操作的时序逻辑。今后，机器控制领域将面临更大的挑战，比如在一个复杂的自动化系统中整合多个软件架构，进行系统验证，并达到较好的吞吐量、良品率和可用时间指标。设计这种系统在硬件方面的挑战是，在实现复杂的自动化任务的同时要达到规定的吞吐量、良品率和可用时间指标。

采用单片微机进行第一步控制，使310V以下和90V以上的输入电压，调整控制在190V—250V范围，再用参数稳压器进行稳压效果很好。在无输出电压，控制箱的温度过高，市电输入高过300V，市电输入低于130V时都会声光告警。参数稳压器由电感和电容组成LC振荡器，振荡频率50HZ。直流开关稳压电源的功率小，但能把60-320V的交流电压娈换成+5V，+12V，-12V的直流电压。由市电输入的交流电压变化波动很大，经过过压吸收滤波电路将高频脉冲等干扰电压滤去后，送入直流开关稳压电源、交流取样电路和控制执行电路。

3）当第2组线圈通电而第1组线圈断电时，第1组继电器常闭（normal close）触点与公共（com）触点连接连通，第2组继电器Normal Open（常开）触点与公共（com）触点连接，这时的电流回路是：VCC从第二组继电器Normal Open（常开）触点流经第二组继电器公共（com）触点到达电机B端，再从电机A端经组继电器公共（com）触点流经第1组继电器常闭（normal close）触点，到达电源GND端，形成回路，此时电机电压为B+A-，电机转动，设为反转。图4：两只继电器组成的正反转电路。

板环式称重传感器的结构具有明确的应力流线分布、输出灵敏度高、弹性体为一整体、结构简单、受力状态稳定、易于加工等优点。在承重台加载被测物时，板簧挠曲，两极板之间的距离发生变化，电路的振荡频率也随之变化。测出频率的变化，即可求出承重台上被测物的质量。利用光电管、转换电路和显示仪表，即可计算出移过的莫尔条纹数量，测出光栅转动角的大小，从而确定和读出被测物质量。有关称重传感器的知识，称重传感器是众多传感器产品中的一种，也是很常用的传感器之一，那么称重传感器有哪些种类，称重传感器的分类方式是什么样的，一起来了解下。

对于某些应用，只要波频在适当的范围内，方波形就不会有害，但是，对于更敏感的电气设备和交流电机的运行，它们可能会出现问题。方波逆变器是简单的逆变器设计，具有低成本的特点，在某些情况下比改进的正弦波或纯正弦波逆变器具有更高的效率。波形的形状就像电网产生的电力。纯正弦波逆变器的工作原理与改进的正弦波逆变器相同，但是需要额外的电子元件来进一步将改进后的正弦波细化为与电网电源非常相似的波。根据应用的不同，方波逆变器可以创建一种简单且经济高效的方式将直流电转换为交流电，只要被供电的设备不受非正弦波形交流电的不利影响。

有两个控制回路在运行：一个快速的内部回路，将控制信号 Ve 与模拟的开关电流 Vcs 进行比较以设置脉冲宽度，以及一个较慢的外部回路，将输出电压与参考电压进行比较以生成内部控制信号环形。可以看出，如果在比较器输入端添加一个斜率，等于来自电感下降斜率的等效信号的 50%，则峰值电流检测点会调整以使平均电感电流在占空比扰动的情况下保持恒定。一种有效的解决方案是在低电压电平下进行电阻式感应，在前沿消隐的情况下，控制芯片在固定周期内忽略电流感应信号，通常在每个周期开始时为 50ns。峰值电流模式控制的好处。

当机车速度下降到小于柴油机转速时，即Ua＜Ub，但Ua＞0．95Ub时，F1输出低电平，但由于此时F2的同相输入端U2＝0． 95Ub，F2的输出端仍然为低电平，这样，由于单稳触发器的S和R端都输入低电平，所以它的输出端仍维持原来的状态而不输出换档信号。拉霍尔传感器输出的是一个脉冲信号，这个信号的频率与机车的速度成正比。本文介绍的这套机车自动换档系统能够自动检测机车的实时运行速度，并把得出的机车速度信号和柴油机的转速进行比较，再由单片机根据比较出来的结果输出控制指令，以控制相应的执行组件进行自动换档。

提到的稳定器具有非常简单的优点，并且由很少的组件组成，但是它具有一定的不稳定性，并且由于齐纳电压会阻止输出电压的变化，因此无法改变它。因此，可以进一步改善输出电压的调节，使得输出负载，输入电压或温度的异常变化不会影响输出电压。使用功率晶体管以及电流放大器的功能，您可以创建和构建稳定器电路，以提供高工作电流，保持输出电压相当恒定，并且齐纳二极管上的电流很小。电路的输出电压不再与齐纳二极管的电压相对应，但是还必须考虑基极和发射极之间的电压降（通常等于0.7 V），这会使它降低某个值。

上拉（或下拉）电阻的适当值受两个因素的限制。上拉电阻的实际值取决于输入引脚的阻抗，而输入引脚的阻抗与引脚的漏电流密切相关。在此类电路中，当开关闭合时，微控制器输入处于逻辑高电平，但当开关开路时，下拉电阻将输入电压拉低至地电位（逻辑零值），从而防止输入端出现未定义状态。下拉电阻的电阻必须大于逻辑电路的阻抗，否则它可能会将电压拉低太多，并且引脚上的输入电压将保持在恒定的逻辑低值，而不管开关位置如何。如果没有上拉电阻，MCU的输入将在开关打开时处于浮动状态，而只有在开关闭合时才会下拉至逻辑低电平。

它们的区别主要体现在功能层次、计算能力、实时性、成本、用户界面、稳定性和可靠性等方面。上位机：主要负责处理较高层次的任务，如数据的收集、分析、存储和显示，以及系统的监控和管理。它通常具有较强的计算能力、丰富的数据处理功能和良好的用户界面。下位机：主要负责处理较低层次的任务，如直接控制设备、执行实时任务和处理简单的数据。上位机：通常具有较强的计算能力，以处理复杂的数据分析和图形展示。上位机：通常具有更丰富的用户界面，提供图形化的操作和展示。下位机：需要更高的稳定性和可靠性，因为它们直接控制设备。

此方法采用36T（43T）的丝网，安装在丝印机上，采用垫板或者钉床，在完成板面的同时，将所有的导通孔塞住，其工艺流程为：前处理--丝印--预烘--曝光--显影--固化此工艺流程时间短，设备的利用率高，能保证热风整平后过孔不掉油、导通孔不上锡，但是由于采用丝印进行塞孔，在过孔内存着大量空气，在固化时，空气膨胀，冲破阻焊膜，造成空洞，不平整，热风整平会有少量导通孔藏锡。导通孔藏锡珠，为了达到客户的要求，导通孔塞孔工艺可谓五花八门，工艺流程特别长，过程控制难，时常有在热风整平及绿油耐焊锡实验时掉油；

反馈参考电压及精度：反馈电压要与内部的参考电压相比较，配合外部的反馈分压电阻，输出不同电压。输出电容靠近电感，地端增加地过孔。开关频率：通常在 500 kHz 以上，关系到电感电容的选用，其它如 EMC，轻载下噪音等问题也与之有关。输入 / 输出电压：按照器件的推荐工作电压范围选用，考虑实际电压的波动范围，确保不超出器件规格。输出电流：输出电流要保留一定的余量，还需要评估电路的瞬间峰值电流和发热的情况，并满足降额要求。反馈电容：按数据手册要求取值，不同厂家芯片取值不同，输出电压不同也会有不同的要求。

一个基本的经验准则是使用不间断的地平面，这一常识降低了数字电路中的dI/dt（电流随时间的变化）效应，这一效应会改变地的电势并会使噪声进入模拟电路。在这两种走线配置中，一条走线上电流随时间的变化（dI/dt），由于这条走线的感抗，会在同一条走线上产生电压;在模拟布线设计中，旁路电容通常用于旁路电源上的高频信号，如果不加旁路电容，这些高频信号可能通过电源引脚进入敏感的模拟芯片。常用的技术是根据电容的方程，改变走线之间的尺寸。由于这种电容的存在，在一条走线上的快速电压变化，可在另一条走线上产生电流信号。

当Si MOS外置回流用的快速二极管时，由于体二极管和外置二极管的Vf大小相等，为了防止朝向恢复慢的体二极管侧回流，必须在MOSFET上串联低电压阻断二极管，这样的话，既增加了器件数量，也使导通损耗进一步恶化。SiC MOS由于材料特性其击穿场强远高于硅，故不需要很厚的漂移区厚度就可以实现高耐压和低阻抗，而且SiC MOS是单极型器件，原理上不产生尾电流，所以用SiC MOSFET替代IGBT时，在IGBT不能工作的高频条件下驱动，明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。

与前一种情况一样，所选组件的功率值必须至少是理论功率值的两倍，这可以通过应用欧姆定律计算（对于电阻器 R 1 为 P = R × I 2 ，对于电阻器 R 1 为 P = R × I 2 ，对于电阻器 R 1 为 P = R × I ，对于电阻器 R 1 为P = R × I 2 ， 对于二极管 D 1 和 D 2 )。二极管 D 1 的 功率应至少是由以下公式给出的理论值的两倍：小功率无变压器电源设计这同样适用于二极管 D 2的功率，其中现在可以使用恒压值 0.7 V 代替 V Z。

底XCm=l0l,ν=lw(1k)U底Xc=Xc,1k考虑在近似计算时，K取中频时的值，所以|A|=K,Xc约为X的(1+|k|)分之一，因此C′=(1k)G=(1+|K|)C,(4.2.1)be间总电容为C′=C,+C=C,+(1+|k|)C,(4.2.2)用同样的分析方法，可以得出Cr1Λ1kc(4.2.3)因为C′>c′,且一般情况下C,的容抗远大于R′,C;虽然利用β和，g=g。cb间的结电容，C.近似为C.c,的数值可通过手册给出的特征频率.和放大电路的静态工作点求解，具体分析见4.2.2节。

有趣的是，图 7 中所示的电流分布的总电感将主要由过孔附近的大电感决定。因此，多个通孔可以减小通孔附近的平面的电感，并且因此减小去耦环路的电感。因此，当我们的通孔承载相反方向的电流时，增加它们之间的磁耦合将减少每个通孔表现出的有效电感。因此，当我们有承载相同方向电流的过孔时，增加它们之间的磁耦合将增加每个过孔表现出的有效电感。由于这两个过孔的电流流向相反，因此增加的互感将减小每个过孔的净电感。如果连接到同一焊盘的过孔之间没有互感，我们可以很容易地得出结论，并联过孔的等效电感将与过孔的数量成反比。

LinkSwitch-LP 的设计目的是在输出功率低于 2.5 W 时无需初级侧钳位电路，从而显着减少组件数量和总系统成本。LinkSwitch-LP 系列经过优化，当变压器上的辅助或偏置绕组提供反馈时，可提供近似的 CV/CC 输出特性。这非常适合取代工频变压器的应用，提供兼容的输出特性，但过载、短路电流和输入线电压变化较小。LinkSwitch-LP 系列旨在取代手机/无绳电话、PDA、数码相机和便携式音频播放器等应用中输出功率 < 2.5 W 的低效线频线性变压器电源。

当一个线圈中的电流变化时，它所产生的变化磁场会在另一个线圈中产生感应电动势，这种现象叫做互感。互感现象是电磁感应现象的一种特殊情况，它不仅发生于绕在同一铁芯上的两个线圈之间，而且也可以发生于任何两个相互靠近的电路之间。电感的数值与线圈的圈数、线圈的形状、绕在线圈上的磁芯大小形状及线圈的绝缘材料等有关。有磁芯的线圈比无磁芯的线圈电感量大；磁芯的磁性越强，线圈的电感量也越大。电感的单位是亨利（Henry），简称“亨”，符号用H表示。电感的基本单位是亨利，简称“亨”，符号用H表示。

在图3—16（a）中，要负载从 信号源中获得功率，需让负载Z 载的阻抗Z与信号源内阻R相等，即Z=R，这里的负载可以是一个 元件，也可以是一个电路，它的阻抗可以用Z=表示。列如，某个电源变压器上标注“输入电压220V，输出电压6V”，那么该变压器的一、次绕组匝数比n=220/6=110/3≈37，当将该变压器接在电路中时，二次绕组流出的电是绕组流入电流的37倍。从上面式子可知，变压器的、二次电压与一、二次电流成反比，若提升了二次电压，就会使二次电流减小，降低二次电压，二次电流会增大。

N 沟道耗尽型 MOS 管的结构形式与 N 沟道增强型 MOS管的相同，都采用P 型衬底，导电沟道为 N型。MOS管接成的开关电路图3.3.9是 N沟道耗尽型 MOS 管的符号,图中 D-S间是连通的，表示vCS=0时已有导电沟道存在。vGS=0时不存在导电沟道，只有在栅极上加以足够大的负电压时，才能把 N型衬底中的少数载流子——空穴吸引到栅极下面的衬底表面，形成P型的导电沟道。P 沟道耗尽型 MOS管与 P 沟道增强型 MOS 管的结构形式相同，也是 N 型衬底，导电沟道为 P 型。

光伏逆变器主要由功率转换模块、微机控制模块、EMI模块、保护电路、监测模块、人机交互模块等组成，其发展依赖于电子电路技术、半导体器件技术及现代控制技术的发展。根据CPIA数据，2022年国内光伏新增装机达到87.41GW，实现了59.3%的同比增速，2023年表现更加亮眼，增速进一步扩大到148.1%，光伏新增装机量实现了216.88GW的新高。2023年全球光伏装机量表现优异，根据BloombergNEF统计数据，2023年全球光伏新增装机量444GW，同比增长76.2%，其中约一半新增装机量来自中国。

在不同储能技术中，机械储能中的抽水蓄能是当前商业化应用最为成熟的储能方式，以锂电池、钠硫电池为代表的电化学储能整体处于示范和部署到商业化过渡阶段，近年来发展迅速。电池管理系统BMS用于监控、调节电池的充放电，以及在故障时及时关闭输出回路，保证电池的使用安全。我们针对便携式储能、户用储能、工商业储能、集中式储能等应用场景进行全平台布局，产品方向包括Trench/SGT/SJ/SiC MOSFET，IGBT单管和模块同步在研发中。依据储存方式，储能可分为机械储能、电磁储能、电化学储能、热储能和化学储能。

便携式储能产品优先包括：电量更多；支持同时充多个数码设备；充电时间短续航时间长等等。• 较强的SOA和EAS性能的Trench MOSFET可以用于BMS 和 Vbus。• 低 FOM 值的 SGT MOSFET 产品，可以用于 MPPT，DC-DC。• 输入PFC、AC-DC 和输出 DC-AC 中可以使用SJ MOSFET。