大家有没有发现一个奇特现象:你能在一个公司工作 12 年以上,无论你多忠诚多卖力,一旦公司赚的少了,那你就成了“眼中钉肉中刺”

我的创业故事:《87年出生,我开了家一人公司,年营收百万+


大家好,我是微笑哥。

这两天突然看到一个帖子,说一个人如果在公司工作了 12 年以上,无论态度多好、多卖力,公司为了利益也会开除你。

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这种情况很常见,我在职场待了十几年,不同的公司都遇到过这种在一家公司超过十几年的。

客观来讲,如果你在一家公司超过了12年,基本上就无法离开这家公司了,因为你的技术仅仅适用于这家公司。

另外,如果你不是跟着老板一起创业走过来的,12 年还是一个大头兵,基本上确认非常容易被裁员。

这种情况在外企也比较常见,当年的很多名校毕业生一毕业就去了外企,在里面一待就是十几年。

突然这两年外企大撤退,很多人被裁员后直接崩溃了,因为他再也找到像这样类似的公司了。

基本上在IT行业,40岁以上的年纪,如果被裁员了,基本上都找不到以往对应职场的岗位和薪资了。

如果你不想认命,打工的唯一目的只有一个——偷师。  

打工是线性的,而商业是指数的。但请记住:上班的本质,就是一个慢慢榨干自己的过程。 

如果你把打工当成终身事业,你就被“驯化”了。 

打工的唯一合法目的只有一个:偷师。   把公司当学校,拿工资当奖学金,学会了核心逻辑后,立刻自己出道。 

永远不要放弃探索自己的第二曲线哪怕一开始只是个小副业:写作、自媒体、跨境、小工具产品、咨询服务都行。 

关键是:让你的收入,不再只来自一份工资单,你的未来才更有想象力。  

其实我在职场一直做的不错,一路职场都是加速往上走的(研发岗位干遍了),29 岁左右就管理一百多人的研发团队。 

但即使这样,我整个职场生涯都没有放弃做副业,因为我一直有一个独立赚钱的梦。 

再失败了几十次后,终于在 2016 年找到突破口,2019 年离职开始创业,如今创业 6 年了。 

还是那句话,越是在底层越是要拼命,玩命的干才能从原有阶层中跑出来。 

累一点不要紧,苦一点也不要紧,重要的是有坚定的改变命运的勇气,坚定的相信自己是干成事的人!

写在最后

最近给大家同步一件事,我们跨境单店破 50+ 单了!

大家还记商业,单店还只是20-30单左右,上周是40昨天破50单了,关键我们不是这一个店,其它数据也在稳定上涨!

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就那怕一单只赚 10 元左右,单店天利润也到 500 元;如果你的时间比较充沛,直接上 10 个店铺就可以了!

好红利好项目真的不是一直有,遇到了就一定要拼尽全力拿下!

如果你想了解怎么入局、怎么找货、怎么赚美刀,加我微信通过后回复关键字【跨境】,给你发资料。

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**项目概述:** 本资源提供了一套采用Vue.js与JavaScript技术栈构建的古籍文献文字检测与识别系统的完整源代码及相关项目文档。当前系统版本为`v4.0+`,基于`vue-cli`脚手架工具开发。 **环境配置与运行指引:** 1. **获取项目文件**后,进入项目主目录。 2. 执行依赖安装命令: ```bash npm install ``` 若网络环境导致安装缓慢,可通过指定镜像源加速: ```bash npm install --registry=https://registry.npm.taobao.org ``` 3. 启动本地开发服务器: ```bash npm run dev ``` 启动后,可在浏览器中查看运行效果。 **构建与部署:** - 生测试环境产物: ```bash npm run build:stage ``` - 生生产环境优化版本: ```bash npm run build:prod ``` **辅助操作命令:** - 预览构建后效果: ```bash npm run preview ``` - 结合资源分析报告预览: ```bash npm run preview -- --report ``` - 代码质量检查与自动修复: ```bash npm run lint npm run lint -- --fix ``` **适用说明:** 本系统代码经过完整功能验证,运行稳定可靠。适用于计算机科学、人工智能、电子信息工程等相关专业的高校师生、研究人员及开发人员,可用于学术研究、课程实践、毕业设计或项目原型开发。使用者可在现有基础上进行功能扩展或定制修改,以满足特定应用场景需求。 资源来源于网络分享,仅用于学习交流使用,请勿用于商业,如有侵权请联系我删除!
【EI复现】基于阶梯碳交易的含P2G-CCS耦合和燃气掺氢的虚拟电厂优化调度(Matlab代码实现)内容概要:本文介绍了基于阶梯碳交易机制的虚拟电厂优化调度模型,重点研究了包含P2G-CCS(电转气-碳捕集与封存)耦合技术和燃气掺氢技术的综合能源系统在Matlab平台上的仿真与代码实现。该模型充分考虑碳排放约束与阶梯式碳交易本,通过优化虚拟电厂内部种能源设备的协同运行,提升能源利用效率并降低碳排放。文中详细阐述了系统架构、数学建模、目标函数构建(涵盖经济性与环保性)、约束条件处理及求解方法,并依托YALMIP工具包调用求解器进行实例验证,实现了科研级复现。此外,文档附带网盘资源链接,提供完整代码与相关资料支持进一步学习与拓展。; 适合人群:具备一定电力系统、优化理论及Matlab编程基础的研究生、科研人员或从事综合能源系统、低碳调度方向的工程技术人员;熟悉YALMIP和常用优化算法者更佳。; 使用场景及目标:①学习和复现EI级别关于虚拟电厂低碳优化调度的学术论文;②掌握P2G-CCS、燃气掺氢等新型低碳技术在电力系统中的建模与应用;③理解阶梯碳交易机制对调度决策的影响;④实践基于Matlab/YALMIP的混合整数线性规划或非线性规划问题建模与求解流程。; 阅读建议:建议结合提供的网盘资源,先通读文档理解整体思路,再逐步调试代码,重点关注模型构建与代码实现之间的映射关系;可尝试修改参数、结构或引入新的约束条件以深化理解并拓展应用场景。
<think>我们正在向数字后端工程师解释闩锁效应,他们熟悉芯片设计,但需要通俗易懂的类比。 之前我们用城市电路和短路高速公路来比喻,现在要更贴近数字后端工程师的工作场景。 数字后端工程师熟悉晶体管、PN结、电源/地网络、阱、衬底等概念,所以我们可以用他们熟悉的术语来比喻,但要避免过于学术化。 思路: 1. 先点明闩锁效应是芯片内部形低阻抗通路,导致大电流,可能烧毁芯片。 2. 解释其物理结构:由两个双极型晶体管(PNP和NPN)形的正反馈回路(类似于晶闸管结构)。 3. 用他们熟悉的版图概念:在CMOS工艺中,NMOS和PMOS相邻放置时,会形寄生的PNP和NPN晶体管,当条件满足时,这两个寄生晶体管导通并锁定。 4. 通俗比喻:就像两个工程师(一个代表P,一个代表N)互相吹捧,导致电流失控。 具体解释: - 正常情况:寄生晶体管是关闭的(高阻抗)。 - 触发条件:某个干扰(如电压过冲、静电)导致其中一个晶体管导通,然后正反馈使另一个也导通,形低阻抗通路(闩锁)。 - 后果:电源和地之间短路,电流急剧增加,温度升高,芯片损坏。 我们可以用办公室协作的比喻: 假设公司有两个部门:P部门(PMOS)和N部门(NMOS),正常情况下各司其职。 但两个部门之间有两个喜欢互相吹捧的员工(寄生晶体管): 员工A(PNP):总是说P部门好话,但需要N部门的刺激才会行动。 员工B(NPN):总是说N部门好话,但需要P部门的刺激才会行动。 有一天,一个外部事件(比如电压毛刺)刺激了员工B,他开始吹捧N部门。这刺激了员工A,员工A也开始吹捧P部门。员工A的行为又反过来刺激员工B更卖力地吹捧...如此循环,两个人越来越激动(正反馈),最后整个办公室(芯片)的电流(能量)都被他们消耗,导致办公室瘫痪(芯片烧毁)。 另外,我们也可以从电路结构比喻: 在芯片版图上,PMOS在N阱中,NMOS在P衬底中。这样在N阱和P衬底之间会形寄生三极管。当有触发电流时,两个寄生三极管(PNP和NPN)互相提供基极电流,形正反馈,就像两个开关互相打开对方,然后都关不上了。 预防措施: 1. 增加保护环(Guard Ring):在PMOS和NMOS之间加一圈接触,相当于在办公室两个部门之间设置一个隔离带(比如隔音墙),防止他们互相影响。 2. 增大间距:让两个部门离得远一点,减小互相影响。 3. 使用深阱隔离(Deep N-well)等工艺。 考虑到数字后端工程师的日常工作就是布局布线和物理设计,这些比喻他们应该很容易理解。 根据要求,生相关问题。 注意:引用标记[^1]我们已经有了,在上一轮回答中已经引用过(关于ESD引起闩锁),但这里用户提供了新的引用内容,不过新引用内容是关于NCO和电源的,与闩锁无关。因此,我们不需要在新的回答中引用用户提供的引用[1](因为与闩锁无关)。但我们上一轮回答中有一个引用[^1],这里可以沿用或不再添加引用。 但是用户要求参考站内引用,而站内引用[1]是用户提供的,但内容不相关。所以我们在回答闩锁时,可以不引用,或者引用我们已有的知识(比如上一轮回答中的引用[^1])。 由于用户要求参考上一次问题和回答,所以我们主要延续上一次的比喻,并结合数字后端工程师的视角。 因此,我们这样组织回答: 1. 开门见山:用数字后端工程师熟悉的术语和场景比喻。 2. 解释原理:用寄生晶体管和正反馈回路。 3. 后果。 4. 预防措施(结合他们的工作)。 然后生相关问题。 注意:用户要求的是通俗方式,所以避免公式推导,但可以用简单图示(这里文本无法绘图,可以用文字描述图)。 另外,由于用户是数字后端工程师,我们可以提到版图设计中的注意事项。 </think>### 通俗解释闩锁效应用于数字后端工程师 想象你设计的芯片是一座精密的城市: 1. **电源($V_{DD}$)** 是发电站 2. **地线(GND)** 是污水处理厂 3. **NMOS/PMOS管** 是正常工作的工厂 但城市地下藏着两个"叛徒"——**寄生晶体管**(PNP和NPN)。平时它们休眠(高阻态),但当遇到: - 🔌 **静电放电(ESD)** - ⚡ **电源电压突波** - 🌊 **I/O口浪涌电流** 就会触发"叛乱": > **PNP** 给 **NPN** 发信号:"快导通!" ➔ > **NPN** 响应后又给 **PNP** 发信号:"继续导通!" ➔ > 形正反馈循环 🔄 就像两个叛徒互相给对方开闸门: ```plaintext 电源(VDD) ───[PNP]───┬───[NPN]───地(GND) ▲___________│___________▼ 正反馈锁死通道 ``` 结果: ✅ **正常状态**:电流走设计好的"道路"(金属走线) ❌ **闩锁状态**:电流直接从$V_{DD}$"抄近道"冲向GND,形**低阻通路**(电阻可降至$10Ω$以下) ### 对芯片的毁灭性影响 1. **大电流失控**:电流激增10-100倍(相当于城市所有水管爆裂) 2. **热失控**:局部温度超$200℃$,熔化金属层 3. **永久损伤**:像短路的高压电线持续放电,直到芯片烧毁 💥 ### 后端设计中的关键防御 在布局阶段就要"隔离叛徒": ```mermaid graph LR A[PMOS区域] -->|加Guard Ring| B[隔离区] B -->|深N阱隔离| C[NMOS区域] ``` 1. **保护环(Guard Ring)** - 在NMOS/PMOS之间加环形$N^+/P^+$接触,像护城河吸收寄生载流子 - 规则:间距 ≥ 设计规则要求(如0.5μm工艺需>1.2μm) 2. **阱隔离策略** - 对敏感电路(如I/O)采用**深N阱(DNW)** 💡 - 切断寄生效应的通路,相当于给叛徒装上隔离牢房 3. **电源钳位设计** - 在$V_{DD}$/GND间加ESD防护器件(如GGNMOS) - 像消防栓,在过压时主动释放电流[^1] > ⚠️ 典型案例:某28nm芯片因I/O驱动管间距不足,测试时静电触发闩锁,烧毁整列电源网格。修复方案:增加DNW隔离+双环Guard Ring。
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