故障处理积累

本文详细解析了JVM的关键优化参数,包括在内存溢出时自动DUMP、监控GC状态、线程dump及内存dump的方法。通过提供实用的JVM命令,帮助开发者在日常开发中更有效地管理和优化JVM性能。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

JVM

参考JVM参数意义:http://blogs.oracle.com/watt/resource/jvm-options-list.html

(1) OOM时自动DUMP

添加参数-XX:+HeapDumpOnOutOfMemoryError

(2) jstat  -gcutil  [pid]  [interval]  [count]

查看gc情况,如:

  S0     S1     E      O      P     YGC     YGCT    FGC    FGCT     GCT  
  3.47   0.00   7.79   8.31  60.59    118    1.689     0    0.000    1.689

gc日志可以使用GCLogViewer软件查看

(3) 查看线程的dump

jstack [pid]

(4) 内存的dump

jmap -dump:file=dump.bin pid

dump文件可以使用mat查看。

内容概要:本文详细介绍了900W或1Kw,20V-90V 10A双管正激可调电源充电机的研发过程和技术细节。首先阐述了项目背景,强调了充电机在电动汽车和可再生能源领域的重要地位。接着深入探讨了硬件设计方面,包括PCB设计、磁性器件的选择及其对高功率因数的影响。随后介绍了软件实现,特别是程序代码中关键的保护功能如过流保护的具体实现方法。此外,文中还提到了充电机所具备的各种保护机制,如短路保护、欠压保护、电池反接保护、过流保护和过温度保护,确保设备的安全性和可靠性。通讯功能方面,支持RS232隔离通讯,采用自定义协议实现远程监控和控制。最后讨论了散热设计的重要性,以及为满足量产需求所做的准备工作,包括提供详细的PCB图、程序代码、BOM清单、磁性器件和散热片规格书等源文件。 适合人群:从事电力电子产品研发的技术人员,尤其是关注电动汽车充电解决方案的专业人士。 使用场景及目标:适用于需要高效、可靠充电解决方案的企业和个人开发者,旨在帮助他们快速理解和应用双管正激充电机的设计理念和技术要点,从而加速产品开发进程。 其他说明:本文不仅涵盖了理论知识,还包括具体的工程实践案例,对于想要深入了解充电机内部构造和工作原理的人来说是非常有价值的参考资料。
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