Java基础----容器篇

本文对比了Java中Hashmap与Hashtable的主要区别,包括继承关系、线程安全性及对null键值的支持情况。对于多线程环境,推荐使用Hashtable或通过Collections.synchronizedMap方法将HashMap包装成线程安全的形式。

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[b]一、Hashmap与Hashtable的区别[/b]
[b]1.[/b] java.util.Hashtable<K,V>继承java.util.Dictionary<K,V>类,同时实现java.util.Map<K,V>接口;java.util.HashMap继承java.util.AbstractMap抽象类,同时实现java.util.Map接口,但因为AbstractMap也实现了Map接口,所以HashMap的方法基本上都来自Map接口;
[b]2.[/b] Hashtable中的方法是同步的,而HashMap中的方法在缺省情况下是非同步的。即是说,在多线程应用程序中,不用专门的操作就安全地可以使用Hashtable了;而对于HashMap,则需要额外的同步机制。但HashMap的同步问题可通过java.util.Collections的一个静态方法得到解决:
Map Collections.synchronizedMap(Map m)

这个方法返回一个同步的Map,这个 Map封装了底层的HashMap的所有方法,使得底层的HashMap即使是在多线程的环境中也是安全的。
[b]3.[/b] 在HashMap中,null可以作为键,这样的键只有一个;可以有一个或多个键所对应的值为null。当get()方法返回null值时,即可以表示HashMap中没有该键,也可以表示该键所对应的值为null。因此,在HashMap中不能由get()方法来判断HashMap中是否存在某个键,而应该用 containsKey()方法来判断,并且HashTable中不允许存储null值。
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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