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原创 ICM创芯微 CM1003-BGD DFN1.9x1.6-6 BMS电池保护芯片

放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV。过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV。过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV。放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV。

原创 ICM创芯微 CM1002-UD SOT23-6 BMS电池保护芯片

原创 ICM创芯微 CM1003-BFS SOT23-6 BMS电池保护芯片

放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV。过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV。过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV。放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV。

原创 ICM创芯微 CM1003-BLS SOT23-6 BMS电池保护芯片

放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV。过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV。过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV。放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV。

原创 ICM创芯微 CM1002-N SOT23-6 BMS电池保护芯片

放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV。过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV。过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV。放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV。

原创 ICM创芯微 CM1003-BKS SOT23-6 BMS电池保护芯片

放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV。过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV。过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV。放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV。

原创 ICM创芯微 CM1003-BFD DFN1.9x1.6-6 BMS电池保护芯片

放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV。过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV。过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV。放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV。

原创 ICM创芯微 CM1003-BJS SOT23-6 BMS电池保护芯片

放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV。过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV。过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV。放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV。

原创 ICM创芯微 CM1002-J SOT23-6 BMS电池保护芯片

放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV。过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV。过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV。放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV。

原创 ICM创芯微 CM1003-BES SOT23-6 BMS电池保护芯片

放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV。过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV。过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV。放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV。

原创 ICM创芯微 CM1002-C SOT23-6 BMS电池保护芯片

放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV。过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV。过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV。放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV。

原创 ICM创芯微 CM1003-BBS SOT23-6 BMS电池保护芯片

放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV。过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV。过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV。放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV。

原创 ICM创芯微 CM1003-BBD DFN1.9x1.6-6 BMS电池保护芯片

原创 ICM创芯微 CM1001-ADS SOT23-6 BMS电池保护芯片

3)充电器检测及负载检测功能4)可选择向0V电池充电功能5)可选择休眠功能。6)可选择放电过流状态的解除条件7)可选择放电过流状态的解除电压。2)内部检测延迟时间·过充电保护延时·过放电保护延时。1.5pA(典型值)(Ta=+25°C)50nA(最大值)(Ta=+25°C)过放电解除电压放电过流保护电压。9)RoHS、无铅、无卤素。1)高精度电压检测功能。

原创 ICM创芯微 CM1001-AES SOT23-6 BMS电池保护芯片

短路保护电压 0.500 V 精度+60mV。过充电保护电压 4.475 V 精度+25 mV。过充电解除电压 4.375 V 精度±45 mV。过放电保护电压 2.600 V 精度±50mV。过放电解除电压 3.000 V 精度±100 mV。放电过流保护电压 0.200 V 精度±10 mV。充电过流保护电压 -0.150V 精度 ±10mV。

原创 3PEAK思瑞浦 TPT20204-QFMR QFN3.5X3.5-14 电平转换器

高阻抗A1~4和B1~4引脚，用于OE=LOW时·VCC隔离功能:当VCC输入为GND时，所有输出处于高阻态。-在VccA=3.3V和VccB=5V下，最大数据速率为100 Mbps。·OFF支持部分关断模式·VccA和VccB无需上电序列。-B端口+4000VIEC61000-4-2接触放电。电压电平转换在:-VCcA范围:1.2V至3.6V。-VcCB范围:1.65V至5.5V。·5V容错OE(输出使能)引脚。-A端口+4000V人体模型。-B端口±8000V人体模型。-1500V充电设备模型。

原创 3PEAK思瑞浦 TPT20204-TS2R TSSOP14 电平转换器

5V容错OE(输出使能)引脚高阻抗A1~4和B1~4引脚用于OE=低电平VCC隔离功能:无论VCC输入为何值，所有输出均处于高阻态。-B端口+4000VIEC61000-4-2接触放电-1500V充电设备模型。-在VccA=3.3V和VccB=5V下，最大数据速率:100Mbps。-A端口+4000V人体模型-B端口+8000V人体模型。电压电平转换范围:-VcCA范围:1.2V至3.6V。-VccB范围:1.65V至5.5V。VccA和VccB无需上电序列。LOFF支持部分关机模式。

原创 3PEAK思瑞浦 TPT20204-QN5R QFN1.7X2-12 电平转换器

原创 3PEAK思瑞浦 TPT20104-QN5R QFN1.7X2-12 电平转换器

5V容错OE使能引脚输出处于高阻态IOFF支持部分关机模式VccA、VCCB无需上电时序。-100 Mbps (推)，1.2 Mbps (开漏)-B端口+4000VIEC61000-4-2接触放电。高阻抗A1~4和B1~4引脚，用于OE=低电平。·VCC隔离功能:当VCC输入为GND时，所有。-VCCA范围:1.65V至3.6V。-VCCB范围:1.65V至5.5V。-A端口+4000V人体模型。-B端口+8000V人体模型。1500V充电设备模型。

原创 3PEAK思瑞浦 TPT20104-TS2R TSSOP14 电平转换器

原创 3PEAK思瑞浦 TPT20104-QFMR QFN3.5X3.5-14 电平转换器

原创 3PEAK思瑞浦 TPT20108-QN7R QFN3.5X4.5-20 电平转换器

原创 3PEAK思瑞浦 TPT20104Q-TS2R-S TSSOP14 电平转换器

高阻抗A1~4和B1~4引脚，OE=低电平时VCC隔离功能:VCC输入=地，所有输出处。符合汽车应用的AEC-Q100要求-设备温度等级1:-40°C至125°C。IOFF支持部分关断模式·VccA和VccB无需上电序列。-B端口+4000VIEC61000-4-2接触放电。电压电平转换:-VCCA范围:1.65V至3.6V。100 Mbps(推)，1.2Mbps(开漏)ESD保护:-A端口+4000V人体模型。-VCCB范围:1.65V至5.5V。-B端口+8000V人体模型。5V容错OE使能引脚。

原创 3PEAK思瑞浦 TPT20102-VS3R VSSOP8 电平转换器

高阻抗A1~2和B1~2引脚，OE=低电平时VCC隔离功能:无论VCC输入为何，所有输出均处于高阻态。电压电平转换在以下之间:-VcCA范围:1.4V至3.6V-VCCB范围:1.65V至5.5V。100 Mbps (推)，1.2 Mbps (开漏)-B端口+4000VIEC61000-4-2接触放电。最大数据速率(VccA=3.3V，VCCB=5V)·5V容错OE使能引脚。1500V充电设备模型。

原创 3PEAK思瑞浦 TPT20208-QN7R QFN3.5X4.5-20 电平转换器

VccB范围:1.65V至5.5V5V容错OE(输出使能)引脚·高阻抗A1~8和B1~8引脚，OE=LOW时·VCC隔离功能:当VCC输入为GND时，所有输出。-A端口+4000V人体模型-B端口+8000V人体模型1500V充电设备模型。-在VccA=3.3V和VccB=5V 下，最大数据速率:100 Mbps。-B端口+4000VIEC61000-4-2接触放电。电压电平转换:-VCCA范围:1.2V至3.6V。

原创 3PEAK思瑞浦 TPT20202-VS3R VSSOP8 电平转换器

5V容错OE(输出使能)引脚高阻抗A1~2和B1~2引脚，OE=低电平时。在VccA=3.3V和VccB=5V时，数据速率为100 Mbps。-B端口+4000VIEC61000-4-2接触放电。电压电平转换在:-VcCA范围:1.2V至3.6V。VCC隔离特性:无论VCC输入为何值，所有输。-VcCB范围:1.65V至5.5V。VccA和VccB无需上电序列。-A端口+4000V人体模型。-B端口+8000V人体模型。IOFF支持部分关机模式。-1500V充电设备模型。

原创 3PEAK思瑞浦 T74L1G07Q-SC5R-S SOT353 缓冲器和收发器

静电放电保护:+4kVHBNM型号，±1kVCDM型号。·符合汽车应用的AEC-Q100标准，等级1。·宽电源电压范围，从1.65V到5.5V。·闩锁性能超过JESD78标准，II类。·所有输入具有Schmitt触发动作。输入电压容差:最高可达5.5V。·1/OFF支持部分断电保护。

原创 3PEAK思瑞浦 T74L2G07-SC6R SOT363 缓冲器和收发器

原创 3PEAK思瑞浦 T74L1G17Q-SC5R-S SOT353 缓冲器和收发器

宽电源电压范围，从1.65V到5.5V1/0容差输入至5.5V。静电放电保护:+4kVHE3M型号，+1kVCDM型号。·符合汽车应用的AEC-Q100标准，等级1。·锁存性能超过JESD78标准，II类。·所有输入均带施密特触发器输入。·1/OOFF支持部分断电保护。·CMOS低功耗特性。

原创 3PEAK思瑞浦 T74L1G126Q-SC5R-S SOT353 缓冲器和收发器

闩锁性能超过JESD78标准，II类，每通道100mA。·ESD保护:+4kVHEM型号，+1kVCDM型号。·CMOS低功耗特性·IOFF支持部分断电保护。·符合汽车应用的AEC-Q100标准，等级1。·宽电源电压范围，从1.65V到5.5V。·所有输入具有Schmitt触发动作。输入端子耐压高达5.5V。

原创 3PEAK思瑞浦 T74L1G125Q-SC5R-S SOT353 缓冲器和收发器

原创 3PEAK思瑞浦 T74L2G17-SC6R SOT363 缓冲器和收发器

原创 3PEAK思瑞浦 T74LV1T34-S5TR SOT23-5 缓冲器和收发器

原创 3PEAK思瑞浦 T74AT1G08Q-SC5R-S SOT353 逻辑门

ESD保护:±4kVHE3M型号，±1kVCDM型号。·所有输入具有Schmitt触发动作CMOS低功耗。·符合汽车应用的AEC-Q100标准，等级1。·宽电源电压范围，从4.5V到5.5V。·闩锁性能超过JESD78标准，II类。1/0容差输入至5.5V。IOFF支持部分断电保护。·输入兼容TTL电压。

原创 3PEAK思瑞浦 T74L1G08-S5TR SOT23-5 逻辑门

原创 3PEAK思瑞浦 T74L1G08-SC5R SOT353 逻辑门

原创 3PEAK思瑞浦 T74L1G08Q-SC5R-S SOT353 逻辑门

原创 3PEAK思瑞浦 LM2903A-SR SOP8 比较器

宽单电源电压范围或双电源:+2.5V至+36V或+1.25V至+18V。·低输入偏置电流:最大1纳安·低偏移电压:最大土6.0mV。.静电放电等级:HBM4kV，CDM2kV。.工作温度范围:-40°C至125°C。·极低供电电流(150uA/通道)·内部差分输入电压范围等于供电电压。输入共模电压范围包含地线。

原创 3PEAK思瑞浦 LM2903AL1-SR SOP8 比较器

原创 3PEAK思瑞浦 LM393A-SR SOP8 比较器