本文深入探讨了EDA工具在功耗分析中的SDPD（StatusDependencyPathDependency）概念及其对功耗计算的影响。通过详细解析工艺库中的漏电功耗和内部功耗描述，展示了如何基于输入状态和路径依赖来计算芯片的leakage_power和internal_power。同时，介绍了StatusPossibility（SP）和togglerate（TR）这两个关键参数在功耗估算中的作用。最后，通过实例说明了如何利用这些参数进行功耗计算，并提供了自研的计算工具。
功耗分析方法的更新终于上线了，希望没有让大家久等 😃
在上一篇分享EDA工具里的功耗分析方法（上）中，一起见识了EDA工具在功耗分析中的策略和归一化的方法，便于表述起见，引用下表作为本章的知识起步点：
| 功耗类别 | 目标类别 | 计算公式 | 解释 |
|---|---|---|---|
| 内部功耗 | pin | P l i n t e r n a l = ∑ 1 n A P i n i n t e r n a l P_{linternal}=\sum_1^nAPin_{internal} Plinternal=∑1nAPininternal | 基于所有pin上漏电功耗的总和 |
| 翻转功耗 | net | P s w i t c h i n g = O N e t s w i t c h i n g P_{switching}=ONet_{switching} Pswitching=ONetswitching | 基于cell的output net 上的反转率和cap进行的核算 |
| 漏电功耗 | cell | P l e a k a g e = C e l l l e a k a g e P_{leakage}=Cell_{leakage} Pleakage=Cellleakage</ |
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