htc t528d解锁

本教程详细介绍了如何通过HTC官方网站进行手机官方解锁,并指导如何进行手机ROOT操作,确保操作前电脑和手机的安全状态,以及提供必要的软件下载链接。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

一、官方解锁

1).进入点此直达(HTC官方解锁网站http://www.htcdev.com/bootloader/)

2).注册

 

(此处需要用英文填写,中文无法注册) 填写完成后,点击下方的绿色按钮 Register 提交注册信息

 

 

正确填写注册信息提交注册后,会提示注册已经成功,并且需要您前往注册邮箱收取激活邮件激活注册!

 

3).前往您的注册邮箱查看激活邮件,点击相关链接完成注册。

 

4) . 登陆账号并选择「UnlockBootloader」点击「Get Started」

 

5) .下载一个手机助手(例如360,或者腾讯的都可以)确保手机驱动安装完成。当手机助手能连接上手机的时候,完全退   出手机助手软件。

6) . 进入Bootloader模式:

1.「抠掉电池放电几秒后重新插上电池」

2.「按住音量下键+电源键 即会进入BootLoader模式」

3.「按住音量上下键选择,按电源键确定,选择进入Fastboot」

4.「用数据线将手机跟电脑连接」

7). 使用ADB 获取机器解锁所需文本

1. 下载ADB

2.下载后将 adb.zip 解压获得 adb 文件夹,打开 adb文件夹双击运行 shell.bat 文件,此时出现黑色运行命令框。

3. 输入命令: fastboot oem get_identifier_token 按回车

按回车后会自动运行出现一段文本。

4. 如下图:在命令提示窗口内 点击鼠标右键 ---> 标记 选择框内的字体,(切记,不要复制空格!)

5. 按"回车" 确认复制所选区域文本!

6. 进入该网页 点此直达( HTC解锁页面)

将页面拖至最下方有如下图的文本框

7. 将文本刚才复制获得的文本, 拷贝到HTC解锁页面的文本框内

 

8.点击「Submit」 后HTC会重新发一封邮件到您的注册邮箱内,里面会包含一个名为"unlock_code.bin"的附件

9. 下载附件并放到之前下载获得的 ADB文件夹

8).回到刚刚的黑色命令行窗口

输入:fastboot flash unlocktoken Unlock_code.bin 按"回车"键

此时手机会弹出一个解锁界面,按 音量上键按键选择YES,点电源按键确认,重启后即完成解锁。

官方解锁会删除手机上的一切数据,请切记有重要文件请先备份!!!!!

备注:此官方解锁教程来自本论坛。如有侵权,请联系。谢谢。

二.ROOT

    ROOT之前请先确保自己的电脑、手机都处于安全状态,且驱动正常。

1).打开USB调试模式。【设置-开发人员选项-USB调试】

2).将手机连上电脑(一定确保手机完全连接上电脑)

3).彻底关闭杀毒软件。包括安全卫士之类的软件(此类的软件有可能会误杀ROOT工具)

4).下载Root_with_Restore_by_Bin4ry_v15.rar

5).解压得到文件夹。

6).运行 RunMe.bat

7).在出现的文本框中输入“1”。

8).点击回车后,程序自动运行。

9).当程序运行到“Runing...”之后看手机,直接选择“恢复我的数据”不需要输入密码。

7).手机会自动重启。重启完成后手机将ROOT完成。

恭喜你! HAVE FUN 吧!

若完全按照该教程ROOT以后出现错误,请将手机恢复出厂设置后重新解锁+ROOT。

如果该教程对你有帮助,请回复,这是对我的支持。如果要扩散,请标注本教程来源 谢谢!

附件中就是本教程中所需要的软件。[手机助手自行搜索下载]

PS:本解锁+ROOT图文教程来自添翼圈zhumeng_zgk.

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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