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<br />系统总线又称内总线或板级总线。因为该总线是用来连接微机各功能部件而构成一个完整微机系统的，所以称之为系统总线。系统总线是微机系统中最重要的总线，人们平常所说的微机总线就是指系统总线，如PC总线、AT总线（ISA总线）、PCI总线等。 系统总线上传送的信息包括数据信息、地址信息、控制信息，因此，系统总线包含有三种不同功能的总线，即数据总线DB（Data Bus）、地址总线AB（Address Bus）和控制总线CB（Control Bus） 数据总线DB用于传送数据信息。数据

http://zh.wikipedia.org/wiki/%E7%94%B5%E5%8A%A8%E6%9C%BA  http://media.open.edu.cn/media_file/rm/ip2/2003_12_05/jdjkjs/jdjkjs05/jdjkjs03.htm

http://wenku.baidu.com/view/3af3057102768e9950e73805.html

1. http://wenku.baidu.com/view/1d2be04b2e3f5727a5e96220.html

自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。升压电路原理举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来？就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电压，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上

BOOST升压电路中：     电感的作用：是将电能和磁场能相互转换的能量转换器件，当MOS开关管闭合后，电感将电能转换为磁场能储存起来，当MOS断开后电感将储存的磁场能转换为电场能，且这个能量在和输入电源电压叠加后通过二极管和电容的滤波后得到平滑的直流电压提供给负载，由于这个电压是输入电源电压和电感的磁砀能转换为电能的叠加后形成的，所以输出电压高于输入电压，既升压过程的完成；    肖特

与传统的机械式按键相比，电容式触摸感应按键美观、耐用、寿命长。电容式触摸感应按键实际只是PCB上的一小块“覆铜焊盘”，与四周“地信号”构成一个感应电容，触摸该按键会影响该电容值。现在检测电容值的方法有很多种，如电流与电压相位差检测、由电容构成的振荡器频率检测、电容桥电荷转换检测。而这里则是利用感应电容与电阻构成的RC回路，检测充放电时间的变化量，不需与传统的机械式按键相比，电容式触摸感应按

TL431典型应用电路

RC电路充放电时间计算  V0 为电容上的初始电压值；  V1 为电容最终可充到或放到的电压值； Vt 为t时刻电容上的电压值。 则，  Vt="V0"+（V1-V0）* [1-exp(-t/RC)] 或，  t = RC*Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]  求充电到90%VCC的时间。（V0=0，V1=VCC，Vt=0.9VCC） 代入上式： 0.9VCC=0+VCC*[[1-exp(-t

Max485使用说明http://wenku.baidu.com/view/77a7c20cb52acfc789ebc968.html

电池保护板工作原理锂电池保护板根据使用IC,电压等不同而电路及参数有所不同,常用的保护IC有8261,DW01+,CS213,GEM5018等，其中精工的8261系列精度更好，当然价钱也更贵。后面几种都是台湾出的，国内次级市场基本都用DW01+和CS213了，下面以DW01+ 配MOS管8205A（8pin）进行讲解:锂电池保护板其正常工作过程为:当电芯电压在2.5V至4.3V之间时，

转自Doctor_A 坛友的笔记！之前做接触过一次红外遥控器，现在有空想用简单的话来聊一聊，下面有错误的地方欢迎改正指出：1：红外的概念不聊，那是一种物理存在。以下聊38K红外发射接收，主要讲可编程的红外编码。2：红外遥控    红外遥控首先需要用来发“光”的红外发光管，还有一个接收光线的“接收管”（不是那种触发的红外对管），还有一个产生38K的信号源（可以是MCU中断实现还有就是

1bar（1巴）=1000mbar=100000Pa（帕斯卡）1mbar 毫巴=100Pa（1百帕）1mbar 毫巴=1hPa

1．PADS2007无模命令与快捷键D+O： 设置通孔显示模式P+O： 设置铜只显示外框形式L：   改变当前层（如改当前层为第二层，为L2）Q：   测量，从当前位置开始测量W：   改变线宽G：   设置栅格S：   对找元件管脚或元件S（n）(n) 寻找绝对坐标点AA任意角，AD斜角，AO直角：改变走线角度UN：

高斯简称高（Gs，G），非国际通用的磁感应强度或磁通量的单位。为纪念德国物理学家和数学家高斯而命名。 一段导线，若放在磁感应强度均匀的磁场中，方向与磁感应强度方向垂直的长直导在线通有1电磁系单位的稳恒电流时，在每厘米长度的导线受到电磁力为1达因，则该磁感应强度就定义为1高斯。 高斯是很小的单位，10000高斯等于1特斯拉（Ｔ）。 高斯是常见非法定计量单位，特［斯拉］是法定计量单位．

S3C2410处理器集成了8位NandFlash控制器。目前市场上常见的8位NandFlash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的数据页大小分别为512Byte、2kByte、2kByte。它们在寻址方式上有一定差异，所以程序代码并不通用。本文以S3C2410处理器和k9f1208系统为例，讲述NandFlash的读写方法。

高阻态这是一个数字电路里常见的术语，指的是电路的一种输出状态，既不是高电平也不是低电平，如果IC输出脚是高阻态，可用万用表分别测此脚对地和电源的电压，结果都是0V 。如果高阻态再输入下一级电路的话，对下级电路无任何影响，和没接一样，如果用万用表测的话有可能是高电平也有可能是低电平，随它后面接的东西定，把三态输出端（推挽方式的共集电极电路）看成是对电源和地接了两个开关，输出高是：接电源的开关闭合，接地的开关断开；输出低是：接电源的开关断开，接地的开关闭合；输出高阻是：两个开关都断开，悬空还有一种是两个开关都闭

2个1000μF的电容串联后是500μF，如果2个电容的耐压一样的话，则耐压是两个电容标称电压的和。如果标称电压不一样，串联后的总耐压与其容量有关系；首先要保证单个电容上的分压值要小于该电容的允许值，否则该电容一旦击穿，总电压就要全部加在另一个电容上，若这个电

1、正向特性另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1

场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。 MOS场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide SEMIconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型

sensor上有原点与方向固定的直角坐标系。无论sensor贴在被测物体上何种位置何种朝向，可被测物坐标系可以用sensor坐标系表示。那么被测物相对于参照系的实际加速度方向，就可以由sensor坐标系与参考系坐标系之间的相对运动求出。以上用经典力学的方式说得那么复杂，举个例子就很简单了。比如sensor底部贴在被测物的水平面上，那么sensor坐标系的Z轴就是参考系的重力方向的垂直轴。X

NAND Flash 在嵌入式系统中的地位与PC机上的硬盘是类似的。用于保存系统运行所必需的操作系统，应用程序，用户数据，运行过程中产生的各类数据，系统掉电后数据不会护丢失。现在的Flash主要有两咱，一种是NAND Flash 一种是Nor Flash。NOR Flash是由Intel公司于1988年发明的，用以代替EERPOM，NAND Flash由Toshiba 公司在1989年发明的。

二、通信的 SPI 概念2.1、SPI：高速同步串行口　　SPI：高速同步串行口。是一种标准的四线同步双向串行总线。　　SPI，是英语Serial Peripheral interface的缩写，顾名思义就是串行外围设备接口。是Motorola首先在其MC68HCXX系列处理器上定义的。SPI接口主要应用在 EEPROM，FLASH，实时时钟，AD转换器，还有数字信号处理器和数字信

最近刚买了块金牛的开发板，用的STM32F107VC的MPU，在网上搜了半天找了些资料，但测试过程中发现通信不太稳定，在自己的板子上调试了几天，修改了几个地方，现在通过i2c读写，24CL02正常，且稳定。下面整理些在开发中需要注意的问题，供初学者参考，并附上软件包。供大家研究。 代码是参照网上一位朋友的，在细节部分做了修改，在此表示感谢。 STM32 I2C开发注意问题，非中断方

一. 技术性能:    工作速率有100K和400K两种；    支持多机通讯；    支持多主控模块，但同一时刻只允许有一个主控；          由数据线SDA和时钟SCL构成的串行总线；    每个电路和模块都有唯一的地址；                        每个器件可以使用独立电源二. 基本工作原理:    以启动信号START来掌管总线，

1. PADS logic快捷操作:    F2                     -------   add connection   连接线    M                       -------   popmenu            弹出右键菜单     Ctrl+A               -------    select All

电路用途  了解NPN型三极管加电方向及通、断(开关)作用。    工作原理  三极管除了有对电流放大作用外,还有开关作用(即通、断作用),当基极加上正偏压时,NPN型三极管即导通处于饱和状态及灯会亮,反之,三极管就不导通,灯不亮。   实验方法  按接线图表5接好电路,注意三极管e、b、c三个管脚及发光二极管的极性不要接错。R1是基极的偏置电阻,当用红线(W)接到14

1，MOS管种类和结构 　　 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。　　 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。　　 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。

从小到大，我们对色彩都要接触到三基色、三原色的概念，由此可以看出，色彩是一个三维函数，所以应该由三维空间表示。如图1就是传统色度学著作常用来表示颜色的纺锤体，图2是按人对颜色分辨能力构造的三维彩色立体。由于人类思维能力和表现能力的限制，三维的坐标系在实际应用中都暴露出了很大的局限性。显示器的显示采用的是色光加色法，色光三原色是红、绿、蓝三种色光。国际标准照明委员会（CIE）1931