该研究展示了利用各向异性硅蚀刻技术，通过氢氧化钾(KOH)处理，成功制造出深度159μm、纵横比达80:1的硅光栅。这一方法确保了侧壁轮廓平直，8μm间距均匀，且Si3N4硬掩膜边缘清晰。这种技术对于高密度材料的无损分析和光栅制造具有重要意义。
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：x射线相衬成像的各向异性硅蚀刻
编号：JFKJ-21-246
作者：炬丰科技
摘要
基于实验室的x射线相位对比成像系统一直专注于医学应用，但对低密度材料的无损分析的材料科学应用的兴趣日益浓厚。将这种成像技术扩展到密度更高的材料或更大的样品，以允许使用更高能量的x射线源。在这项工作中，我们演示了使用各向异性硅蚀刻氢氧化钾，以实现极高的纵横比光栅。这种方法已经被证明是有效的制造深度，均匀光栅利用不同晶面的刻蚀选择性硅。
介绍
基于光栅的x射线相位对比成像实验室实现依赖于微加工光栅:源光栅、相位光栅和分析仪光栅。源光栅和分析光栅都是透射光栅;它们的深度决定了可以达到的对比度。
实验细节
结果与讨论
KOH蚀刻的衍射光栅的横截面扫描电镜图像，深度159µm，在90分钟内产生了令人印象深刻的80:1纵横比特征。SEM图像显示，侧壁轮廓直，8µm间距均匀，Si翅片宽度接近2µm, Si3N4硬掩膜咬边约1µm。
结论 略
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