看编号识现代内存

最新推荐文章于 2024-04-29 01:12:44 发布
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看编号识别内存 现代(Hynix)是非常知名的内存品牌，以前称为Hyundai。在前两年的DIY市场，大家熟悉的LGS内存也已被Hynix收归门下，所以现代的内存芯片会出现以上三种品牌，最新的当然是Hynix。下面，就向大家详细介绍现代SDRAM、DDR SDRAM、DRDRAM内存芯片的编号规则。 SDRAM内存芯片的旧编号 ──┬──┬─┬───┬──┬─┬─┬─┬──┬──┬─┬──┬── HY │X X │X │X X X │X X │X │X │X │X X │X X │- │X X │X X ──┼──┼─┼───┼──┼─┼─┼─┼──┼──┼─┼──┼── 　A │ B │C │D │E │F │G │H │I │J │　│K │L ──┴──┴─┴───┴──┴─┴─┴─┴──┴──┴─┴──┴── 示例编号：HY57V651620A TC-10S 9902B KOREA A字段表示HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。 B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存；5D代表DDR SDRAM内存。 C字段表示工作电压。U代表CMOS、2.5v电压；V代表CMOS、3.3v电压。 D字段表示密度与刷新速度。4代表4Mbit密度、1K刷新速度；16代表16Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、8K刷新速度；65代表64Mbit密度、4K刷新速度；129代表128Mbit密度、4K刷新速度；257代表256Mbit密度、8K刷新速度。 E字段表示内存结构。40代表x4；80代表x8；16代表x16；32代表x32。 F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。 G字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL_2。 H字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。 I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表低功耗。 J字段表示内存芯片的封装方式。TC代表400milTSOPII封装；TQ代表100Pin TQFP封装。 K字段表示内存芯片的速度标识。5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz);6代表6ns(166MHz);7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；10P代表10ns(100MHZ CL=2 或3)；10S代表10ns(100MHz CL=3)；10代表10ns(10MHz)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。 L字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度；E代表扩大温度。 小提示：大家不要以为速度标识为10P、10S和10的SDRAM内存就一定符合PC100规范。实际上只有速度标识为10P和10S的SDRAM内存才符合PC100规范，而速度标识为10的SDRAM内存只是PC66。 LGS SDRAM 内存芯片的旧编号 ──┬──┬─┬──┬──┬─┬─┬─┬──┬──┬─── GM │ 72 │X │X X │X X │X │X │X │X X │X X │X X X ──┼──┼─┼──┼──┼─┼─┼─┼──┼──┼─── 　A │ B │C │D │E │F │G │H │I │J │K　 ──┴──┴─┴──┴──┴─┴─┴─┴──┴──┴─── A字段由GM组成，代表LGS内存芯片的前缀。 B字段表示产品类型。72代表SDRAM内存。 C字段表示工作电压。V代表CMOS、3.3V电压。 D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、4K刷新速度；17代表16Mbit密度、2K刷新速度；64代表64Mbit密度、16K刷新速度；65代表64Mbit密度、8K刷新速度；66代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度。 E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16；32代表x32。 F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表1Bank；2代表2Bank；4代表4Bank；8代表8Bank。 G字段表示电气接口。1代表LVTTL。 H字段表示内存芯片的修正版本。空白代表原版本；A代表第1版；B代表第2版；C代表第3版；D代表第4版；E代表第5版；F代表第6版。 I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗。 J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装(正常)；R代表TSOP封装(颠倒)；I代表BLP封装；S代表Stack封装。 K字段表示内存芯片的速度标识。6代表166MHz；65代表153MHz；7代表143MHz；75代表133MHz；8代表125MHz；7K代表PC100、2-2-2(tCK=10ns、CL=2、tAC=6ns)；10K代表PC66(tCK=15ns、CL=2、tAC=9ns)；10J代表 PC66(tCK=10ns、CL=3、tAC=9.5ns)；12代表83MHz；15代表66MHz。 SDRAM 内存芯片的新编号 ──┬──┬─┬──┬──┬─┬─┬──┬─┬─┬─┬─┬──┬─ HY │X X │X │X X │X X │X │X │X X │X │X │X │- │X X │X ──┼──┼─┼──┼──┼─┼─┼──┼─┼─┼─┼─┼──┼─ 　A │ B │C │D │E │F │G │H │I │J │K │ │L　 │M ──┴──┴─┴──┴──┴─┴─┴──┴─┴─┴─┴─┴──┴─ A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。 B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存。 C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/ D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。 E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。 F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。 G字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL_3。 H字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。 I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。 J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；K代表Stack封装(Type1)；J代表Stack封装(Type2)。 K字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。 L字段表示内存芯片的速度标识。5代表200MHz；55代表183MHz；6代表166MHz；7代表143MHz；K代表PC133(CL=2)；H代表PC133(CL=3)；8代表125MHz；P代表PC133(CL=2)；S代表PC100(CL=3)；10代表100MHz。 M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度；E代表扩大温度。 DDR SDRAM 内存芯片的新编号 ──┬──┬─┬──┬──┬─┬─┬─┬─┬─┬─┬─┬──┬─ HY │X X │X │X X │X X │X │X │X │X │X │X │- │X X │X ──┼──┼─┼──┼──┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼──┼─ 　A │ B │C │D │E │F │G │H │I │J │K │ │L　 │M ──┴──┴─┴──┴──┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴──┴─ A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。 B字段表示产品类型。5D代表DDR SDRAM内存；5P代表DDR-II内存。 C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为2.5V；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V。 D字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、4K刷新速度；66代表64Mbit密度、2K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度；1G代表1Gbit密度、8K刷新速度。 E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16；32代表x32。 F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank；3代表8Bank。 G字段表示电气接口。1代表SSTL_3；2代表SSTL_2；3代表SSTL_18。 H字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版。 I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗。 J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；Q代表LQFP封装；F代表FBGA封装；S代表Stack封装(Hynix)；K代表Stack封装(M&T)；J代表Stack封装(其它)。 K字段表示内存芯片的封装村料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。 L字段表示内存芯片的速度标识。26代表375MHz；28代表350MHz；3代表333MHz；33代表300MHz；45代表222MHz；5代表200MHz；55代表18MHz；6代表166MHz;D4代表DDR400；D5代表DDR533；J代表DDR333；M代表DDR266 2-2-2；代表DDR266A；H代表DDR266B；L代表DDR200。 M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度；E代表扩大温度。 DRDRAM 内存芯片的新编号 ──┬──┬─┬───┬──┬─┬─┬── HY │X X │X │X X X │X X │X │X │X X ──┼──┼─┼───┼──┼─┼─┼── 　A │ B │C │D │E │F │G │H ──┴──┴─┴───┴──┴─┴─┴── A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的彰缀。 B字段表示产品类型。5R代表DRDRAM内存。 C字段表示工作电压。空白代表CMOS、1.5V电压；W代表CMOS、1.8V电压。 D字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、8K刷新速度；72代表72Mbit密度、8K刷新速度；128代表128Mbit密度、8K刷新速度；144代表144Mbit密度、8K刷新速度；256代表256Mbit密度、16K刷新速度；288代表288Mbit密度、16K刷新速度。 E字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版；D或HD代表第5版。 F字段表示内存芯片的封装方式。E代表Edge Bonding封装；C代表Center Bonding封装；M代表Mirror封装。 G字段表示工作频率。6代表600MHz；7代表711MHz；8代表800MHz。 H字段表示内存芯片的速度标识，此速度是指tRAC(Row Access Time)。40代表40ns；45代表45ns；50代表50ns；53代表53ns。 小提示：如何得知内存条的总容量 只需查看“密度与刷新速度”字段，如果密度是64Mbit，则表示一片内存芯片的容量为8MB(64Mbit÷8) 。现在再数数内存条的正反两面的内存芯片数量(有些带ECC功能的内存条是会多加一片内存芯片，不要将它计算在内)，我想大家就不难计算出这条内存条有多大容量了吧！ 本文摘自《电脑爱好者》

 

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内存是我们平常接触最频繁的计算机硬件之一，内存的大小、多寡和型号和我们计算机、手机等性能密切相关。内存系列计划通过三篇文章由浅入深介绍内存的软硬件特性以及与固件的关系。这是第一篇，以一个生活情景给读者介绍内存的背景知识，为后面打下基础。 情景 小张有一定的计算机背景知识，最近他在京东上买了两条DDR3的内存，打算把笔记本升级成8G。可是一拆开包装到就傻眼了: 4GB看起来很好，两根刚好8GB。2Rx8是啥，PC3又是啥，10600似乎和他想买的1333的差好远，后面那串数字又代表什么呢？ 小
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点击关注公众号，回复“1024”获取2TB学习资源！为什么要学习 Kubernetes?虽然 Docker 已经很强大了，但是在实际使用上还是有诸多不便，比如集群管理、资源调度、文件管理等...
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02-25 1881
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