备份恢复Lesson 12. Performing Recovery II

1. spfile 丢失后有几种恢复的方法? 12-3 12-4 12-8

1)从内存中复制 spfile <-> spfile相互转换
2)从控制文件的自动备份中

spfile功能

2. 多路复用的控制文件全部丢失后如何进行恢复? 12-6

1)从控制文件的自动备份
2)从控制文件的跟踪文件

nomount mount

控制文件前滚 -> 数据文件、控制文件、联机重做文件转状态保持一致
完全恢复也要open [resetlogs]? 
日志复位,新的日志和重做新的线程更新控制文件,新的SCN刷新数据文件和控制文件头

3. 请对重做日志组丢失后的的恢复做一个详细的说明? 12-13 12-14

重做日志组状态
	current:
	正在把重做日志缓冲区的重做条目整体刷新到联机重做日志文件中
	active:
	完全检查点时,CKPT会触发数据库写进程(DBWn)
	[正在进行中]通知DBWn将当前检查点队列中已标记为提交状态的数据块从缓存高速缓冲区读出并写入到数据文件中
	[已完成]DBWn在执行前会首先触发一次日志写,确保写入数据文件的提交过的数据块所对应的的重做条目都已持久化在联机重做日志文件中
	inactive:
	LGWR和DBWn都没有运行   
	unused:
	没有有使用过的

流程图(12-14)

在这里插入图片描述

4. 口令文件丢失后如何进行处理? 12-16

1)重新创建密码文件通过使用 orapwd
2)将用户添加到密码文件中,并为每个用户分配适当的权限
orapwd file=$ORACLE_HOME/dbs/orapw+实例名 password=oracle entries=5;

5. 索引表空间丢失后如何处理? 12-18

仅包含索引,重新创建表空间和索引

6. 临时表空间数据文件丢失后如何处理? 12-20

1)重启时自动重新创建临时文件
2)手动重新创建一个

7. 请描述灾难恢复的完整过程。 12-27

目标数据库还原和恢复
对备份最小的需求集合:
    数据文件备份
    相对应的归档重做日志文件(把还原过的数据库进行前滚)
    至少有一个控制文件的自动备份(实例可以启动)
基本过程:
    还原自动备份对于服务器参数文件
    启动目标数据库实例
    从自动备份中还原控制文件
    加载数据库
    还原数据文件
    恢复数据文件
    用 resetlogs选项打开数据库
<think>嗯,用户遇到了Silvaco TCAD的报错问题,具体是“Warning: No solution present”和“Performing zero carrier zero bias calculation for initial guess”。我需要先理解这些警告的含义以及可能的原因,然后给出解决方法。 首先,“No solution present”通常表示仿真过程中无法找到收敛的解。这可能是因为初始条件不合适,比如初始电压或载流子浓度设置不当。另外,网格划分不够精细或者材料参数错误也可能导致这个问题。用户可能在仿真复杂器件结构时遇到了这种情况,特别是在边界条件设置不当的情况下。 接下来是“Performing zero carrier zero bias calculation for initial guess”这条信息,这说明软件在尝试使用零载流子和零偏置条件作为初始猜测。这通常是软件在遇到收敛问题时自动采取的补救措施,但可能并不总是有效。用户需要检查他们的偏置设置是否合理,或者是否需要调整初始条件来帮助收敛。 可能的解决方法包括调整初始偏置条件,逐步增加电压而不是一步到位;优化网格划分,特别是在关键区域如PN结附近;检查材料参数是否正确;调整数值方法参数,比如迭代次数或收敛容差。此外,启用详细日志输出可以帮助定位问题所在。 用户可能还需要参考一些示例资源,比如Silvaco TCAD的官方文档或社区提供的示例,看看他们是如何处理类似问题的。比如提供的项目地址中的示例可能包含类似情况的处理方式,用户可以参考这些设置进行调整。 另外,用户提到的引用[1]虽然是一个示例资源下载链接,但里面的资源可能包含有用的仿真配置文件,用户可以通过对比自己的设置和示例中的设置,找出潜在的问题点。例如,检查边界条件、材料模型、网格密度等是否与示例一致。 需要注意的是,这类收敛问题通常没有通用的解决方案,需要根据具体的仿真设置进行调整。因此,建议用户逐步排查可能的原因,从初始条件开始,再到网格和材料参数,最后调整求解器设置。如果问题依然存在,可能需要更详细地查看日志文件中的警告和错误信息,或者寻求社区的帮助。</think>Silvaco TCAD仿真中出现$Warning: No solution present$通常与器件物理方程的收敛性相关,以下是分步解决方案: ### 问题解析与解决方法 1. **初始条件优化** - 检查偏置条件设置是否超过器件物理极限 - 尝试逐步加载偏置电压(如从0V开始分步增加) $$V_{bias} = 0 \rightarrow 0.1 \rightarrow 0.5 \rightarrow 1.0V$$ - 使用`contact name=... voltage=...`时确保参数连续变化 2. **网格细化**(关键区域密度提升) ```tcl mesh rect x.mesh=0.0 x.max=0.1 spacing=0.001 mesh rect x.mesh=0.1 x.max=1.0 spacing=0.01 ``` 3. **数值方法调整** ```tcl method newton trap carr=1e10 solve init solve vstep=0.1 vfinal=5.0 name=anode ``` 4. **载流子注入控制** - 使用`impact selb`命令限制雪崩击穿效应 - 添加热载流子模型参数: ```tcl models conmob fldmob srh auger bgn ``` ### 典型错误场景对照表 | 警告类型 | 常见原因 | 验证方法 | |---------|---------|---------| | No solution present | 初始电势分布不合理 | 检查log文件中的初始电势分布 | | Zero carrier calculation | 掺杂浓度异常 | 用`tonyplot`可视化掺杂剖面 | | Divergence detected | 材料参数不匹配 | 验证材料模型激活状态 | [^1]: 具体数值参数设置可参考Silvaco官方示例中的MOSFET基准测试案例
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