NAND FLASH 型号：（补充）地址计算

最新推荐文章于 2023-08-03 00:01:30 发布
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本文解析了内存地址中的页内偏移地址及页地址等概念，并详细解释了如何通过不同位数的地址来确定页和块的位置。
X8:A11-A0是页内偏移地址。2112字节 
     A27-A12是页地址。       共64pages/block*1024blocks=2^16pages
     =>A27-A18也看做是块地址 A17-A12是块内页偏移地址。
X16同理。
UI架构设计六 — 外部Flash资源地址Load
liuyuanbin9001
03-14 409
首先先贴个代码吧！ #include <stdio.h> #include <string.h> #include <stdint.h> #define EXT_FLASH_RES_ADDR (0) //假设在外部Flash从0地址开始存放资源 #define RES_VERSION (1) #define RES_MAGIC "NRES" ...
NandFlash详述
billswang的专栏
12-20 935
NandFlash详述 【Flash的硬件实现机制】 Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性，从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中，即使断电了，
nand flash地址机制
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feihuxiaozi的专栏
11-07 1万+
K9F2G08U0A是三星公司生产的总容量为256M的NandFlash，常用于手持设备等消费电子产品。还是那句话，搞底层就得会看datasheet，我们就从它的datasheet看起。                这就是 K9F2G08U0A的内部结构，具体的各个部件的介绍，就不详细介绍了，想了解的话可以参考伟东山的《嵌入式linux应用开发完全手册》。       现在就看一下重点
请教NandFlash物理地址如何计算
行者
03-06 2743
转自：http://bbs.youkuaiyun.com/topics/300185659 在硬件上SDRAM可以通过nGCSi片选信号的连接确定，NandFlash看不出来，内存映射表上也看不出 请教各位，先谢了！ 根据读写的block和page计算出来的 nandflash 不是nor flash，在内存映射上没有地址 读写要看datasheet，发送命令字和地址
如何计算Nand Flash要传入的行地址和列地址
huangmc198907的专栏
09-07 2892
转载自：http://www.cnblogs.com/geneil/archive/2011/12/17/2291441.html 在介绍具体读取数据的详细流程之前,还要做一件事,那就是,先要搞懂我们要访问的地址,以及这些地址,如何分解后,一点点传入进去,使得硬件能识别才行。 此处还是以 K9F8G08U0A 为例,此 Nand Flash,一共有 8192 个块,每个块内
关于Nand Flash行地址和列地址的计算
Sloane0的博客
06-11 5824
Nand Flash行地址和列地址的计算不说废话，直接上图。 从图中可以看出Nand Flash有2048Blocks，每个Block有64页，每一页含有2K的用户可以使用的数据和64B的OOB。对于用户来说这64B的数据时不用操作的，读写的时候也会忽略这部分。也就是说用户在读这一页数据的时候只会发出11位地址，不会发出12位地址（12位地址包含了读写OOB）。 举一个例子： 加入user
【NAND Flash芯片型号实战指南】：选型与故障排除的权威策略
NAND Flash芯片作为一种重要的非易失性存储技术，在各类电子设备中占据着核心地位。本文首先概述了NAND Flash芯片的基础知识，随后详细介绍了芯片选型的策略，包括对芯片性能参数的分析和不同产品之间的比较。接着，...
K9GAG08 NAND Flash深度解析：架构与工作机制全揭秘
![K9GAG08 NAND Flash深度解析：架构与工作机制全揭秘...NAND Flash作为高密度非易失性存储解决方案，其基本架构包括存储单元结构和地址映射机制，工作模式涉及读取、编程与擦除操作的细节。此外，错误管理策略，如错误
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FLASH型号查询器
01-09
在这个信息发达的年代，信息资料的传载少不了存贮器，U盘便成了我们的首选。辨别它的优劣就成我们的难题了，内存查询便给我们带来了方便之门。
计算NandFlash要传入的行地址和列地址
Ailson Jack的专栏
02-26 2668
      By:Ailson Jack       Date:2015.11.25       个人博客:www.only2fire.com       最近在学习NandFlash相关的知识，NandFlash的操作貌似比NorFlash的操作还要复杂些，这里讲讲NandFlash的地址计算以及如何将物理地址转换为NandFlash所要求的格式，以下内容参考了网友的总结，对那位网友表示感...
Nand Flash 地址数据的确定
java开发指南博客 【转载】
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NAND Flash使用8位数据线，同时作为地址线，命令线，数据线复用。类似于平时使用的点阵液晶显示器的操作方式。这里作为学习的记录，说一下nand flash 的地址的确定方式。nand flash 的内部分为 Block(块)、Page（页). 其中 一块nand flash 包含若干 Block，每个Block里包含若干Page.页是nand 的最小操作单元。 一下图片显示的是三星16Gb...
NAND FLASH地址
m0_68090412的博客
08-03 420
我们知道K9F2G08U0A的每一页有（2K+64）=2112Byte，2112byte 需要12bit来表示，对于2112byte系列的NAND，这2112byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的访问由地址指针命令来选择，A[11:0]就是所谓的column address（列地址），在进行擦除操作时不需要它，因为以块为单位擦除。K9F2G08U0A的内部结构，具体的各个部件的介绍，就不详细介绍了，想了解的话可以参考伟东山的《
关于nand flash的地址 A8寻址
yoveldf的专栏
10-19 1216
在NAND Flash中有8个I/O引脚（IO0—IO7）、5个全能信号（nWE ALE CLE nCE nRE）、一个引脚，1个写保护引脚。操作NAND Flash时，先传输命令，然后传输地址，最后读写数据。对于64MB的NAND Flash，需要一个26位的地址。只能8个I/
Nandflash存储结构和地址分配
a_chinese_man的博客
06-19 3331
以三星的256MB nandflash存储结构介绍： 计算物理地址：0X32F018 (16) K9F2G08U0C是samsun出产的FLASH，容量为256MB 　　　　页--Page:(2K + 64)Byte 　　　　块--Block:(128K + 4K)Byte 128/ 2 = 64 Page 256M/ 128 K  = 2048 Block 　　　　现在以第25
FLASH位宽为8、16、32时，CPU与外设之间地址线的连接方法
adigita的专栏
08-18 1021
FLASH位宽为8、16、32时，CPU与外设之间地址线的连接方法FLASH连接CPU时，根据不同的数据宽度，比如16位的NOR FLASH (A0-A19)，处理器的地址线要(A1-A20)左移偏1位。为什么要偏1位？从软件和CPU的角度而言，一个地址对应一个字节，就是8位数据。这是肯定的，不要怀疑这点。对于具体器件而言，它的位宽是一定的，所谓位宽，指的是"读/写操作时，最小的数据单元" -- 别说最小单元是"位"，一般设备上没有单独的"位操作"，修改位时通过把整个字节、字或双字读出来、修改，再回写。CP
ARM的Nand Flash入门使用手册（以K9F2G08X0M为例）
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组织结构： 存储芯片有几个重要的单位 device block page ，在这个芯片中 1 Device = 2048 block = 2k block 1 block = 64 page 1 page = (2048 + 64) Byte 共256M，也就是需要28根地址线来寻址，但是文档中是29根线，因为在寻址的时候，我们必须先找到page地址然后再找到页内地址。 页地址共有： 2048 * 64 page ，也就是2的（11+6）次方 ，即17跟地址..
嵌入式Linux设备上如何查看NAND flash 容量
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