NAND FLASH 型号：（补充）地址计算

最新推荐文章于 2021-02-08 10:41:45 发布
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分类专栏： STM32的使用心得及相关外设驱动 文章标签： flash
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/hduxyc/article/details/6436262
本文解析了内存地址中的页内偏移地址及页地址等概念，并详细解释了如何通过不同位数的地址来确定页和块的位置。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

X8:A11-A0是页内偏移地址。2112字节 
     A27-A12是页地址。       共64pages/block*1024blocks=2^16pages
     =>A27-A18也看做是块地址 A17-A12是块内页偏移地址。
X16同理。
UI架构设计六 — 外部Flash资源地址Load
liuyuanbin9001
03-14 382
首先先贴个代码吧！ #include <stdio.h> #include <string.h> #include <stdint.h> #define EXT_FLASH_RES_ADDR (0) //假设在外部Flash从0地址开始存放资源 #define RES_VERSION (1) #define RES_MAGIC "NRES" ...
NandFlash详述
billswang的专栏
12-20 904
NandFlash详述 【Flash的硬件实现机制】 Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性，从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中，即使断电了，
nand flash地址机制
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feihuxiaozi的专栏
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K9F2G08U0A是三星公司生产的总容量为256M的NandFlash，常用于手持设备等消费电子产品。还是那句话，搞底层就得会看datasheet，我们就从它的datasheet看起。                这就是 K9F2G08U0A的内部结构，具体的各个部件的介绍，就不详细介绍了，想了解的话可以参考伟东山的《嵌入式linux应用开发完全手册》。       现在就看一下重点
请教NandFlash物理地址如何计算
行者
03-06 2638
转自：http://bbs.youkuaiyun.com/topics/300185659 在硬件上SDRAM可以通过nGCSi片选信号的连接确定，NandFlash看不出来，内存映射表上也看不出 请教各位，先谢了！ 根据读写的block和page计算出来的 nandflash 不是nor flash，在内存映射上没有地址 读写要看datasheet，发送命令字和地址
如何计算Nand Flash要传入的行地址和列地址
huangmc198907的专栏
09-07 2837
转载自：http://www.cnblogs.com/geneil/archive/2011/12/17/2291441.html 在介绍具体读取数据的详细流程之前,还要做一件事,那就是,先要搞懂我们要访问的地址,以及这些地址,如何分解后,一点点传入进去,使得硬件能识别才行。 此处还是以 K9F8G08U0A 为例,此 Nand Flash,一共有 8192 个块,每个块内
关于Nand Flash行地址和列地址的计算
Sloane0的博客
06-11 5636
Nand Flash行地址和列地址的计算不说废话，直接上图。 从图中可以看出Nand Flash有2048Blocks，每个Block有64页，每一页含有2K的用户可以使用的数据和64B的OOB。对于用户来说这64B的数据时不用操作的，读写的时候也会忽略这部分。也就是说用户在读这一页数据的时候只会发出11位地址，不会发出12位地址（12位地址包含了读写OOB）。 举一个例子： 加入user
【NAND Flash芯片型号实战指南】：选型与故障排除的权威策略
NAND Flash芯片作为一种重要的非易失性存储技术，在各类电子设备中占据着核心地位。本文首先概述了NAND Flash芯片的基础知识，随后详细介绍了芯片选型的策略，包括对芯片性能参数的分析和不同产品之间的比较。接着，...
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![K9GAG08 NAND Flash深度解析：架构与工作机制全揭秘...NAND Flash作为高密度非易失性存储解决方案，其基本架构包括存储单元结构和地址映射机制，工作模式涉及读取、编程与擦除操作的细节。此外，错误管理策略，如错误
SSD背后的秘密：NAND Flash在固态硬盘中的应用揭秘
![SSD背后的秘密：NAND Flash在固态硬盘中的应用揭秘]...
有关EMMC、Nandflash、SSD、HDD的科普类说明
lilifang_2011的专栏
02-08 3801
带着疑问，查了一些资料，梳理了一下思路。 目前的主要配置：手机存储用eMMC，笔记本电脑用SSD，台式机SSD与HDD组合使用 =======================================第一部分：文章出处:https://www.cnblogs.com/Christal-R/p/7230304.html============================================ 全面理解SSD和NAND Flash 　　Flash Memory又叫做闪存，是一种非易失
FLASH型号查询器
01-09
在这个信息发达的年代，信息资料的传载少不了存贮器，U盘便成了我们的首选。辨别它的优劣就成我们的难题了，内存查询便给我们带来了方便之门。
计算NandFlash要传入的行地址和列地址
Ailson Jack的专栏
02-26 2654
      By:Ailson Jack       Date:2015.11.25       个人博客:www.only2fire.com       最近在学习NandFlash相关的知识，NandFlash的操作貌似比NorFlash的操作还要复杂些，这里讲讲NandFlash的地址计算以及如何将物理地址转换为NandFlash所要求的格式，以下内容参考了网友的总结，对那位网友表示感...
Nand Flash 地址数据的确定
java开发指南博客 【转载】
08-05 451
NAND Flash使用8位数据线，同时作为地址线，命令线，数据线复用。类似于平时使用的点阵液晶显示器的操作方式。这里作为学习的记录，说一下nand flash 的地址的确定方式。nand flash 的内部分为 Block(块)、Page（页). 其中 一块nand flash 包含若干 Block，每个Block里包含若干Page.页是nand 的最小操作单元。 一下图片显示的是三星16Gb...
关于nand flash的地址 A8寻址
yoveldf的专栏
10-19 1145
在NAND Flash中有8个I/O引脚（IO0—IO7）、5个全能信号（nWE ALE CLE nCE nRE）、一个引脚，1个写保护引脚。操作NAND Flash时，先传输命令，然后传输地址，最后读写数据。对于64MB的NAND Flash，需要一个26位的地址。只能8个I/
Nandflash存储结构和地址分配
a_chinese_man的博客
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以三星的256MB nandflash存储结构介绍： 计算物理地址：0X32F018 (16) K9F2G08U0C是samsun出产的FLASH，容量为256MB 　　　　页--Page:(2K + 64)Byte 　　　　块--Block:(128K + 4K)Byte 128/ 2 = 64 Page 256M/ 128 K  = 2048 Block 　　　　现在以第25
FLASH位宽为8、16、32时，CPU与外设之间地址线的连接方法
adigita的专栏
08-18 983
FLASH位宽为8、16、32时，CPU与外设之间地址线的连接方法FLASH连接CPU时，根据不同的数据宽度，比如16位的NOR FLASH (A0-A19)，处理器的地址线要(A1-A20)左移偏1位。为什么要偏1位？从软件和CPU的角度而言，一个地址对应一个字节，就是8位数据。这是肯定的，不要怀疑这点。对于具体器件而言，它的位宽是一定的，所谓位宽，指的是"读/写操作时，最小的数据单元" -- 别说最小单元是"位"，一般设备上没有单独的"位操作"，修改位时通过把整个字节、字或双字读出来、修改，再回写。CP
ARM的Nand Flash入门使用手册（以K9F2G08X0M为例）
qq_44194231的博客
07-17 1982
组织结构： 存储芯片有几个重要的单位 device block page ，在这个芯片中 1 Device = 2048 block = 2k block 1 block = 64 page 1 page = (2048 + 64) Byte 共256M，也就是需要28根地址线来寻址，但是文档中是29根线，因为在寻址的时候，我们必须先找到page地址然后再找到页内地址。 页地址共有： 2048 * 64 page ，也就是2的（11+6）次方 ，即17跟地址..
支持FSMC接口的nand flash模块
最新发布
03-23
<think>好的，用户现在问的是关于支持FSMC接口的NAND Flash模块。首先，我需要回顾一下之前的对话历史。用户之前询问过支持TLC NAND的开发板，现在转向FSMC接口的NAND模块，可能是在实际开发中遇到了硬件选型或接口设计的问题。 用户可能是嵌入式开发者，尤其是使用STM32系列MCU的开发人员，因为FSMC是STM32中常用的存储接口。用户的需求可能是在项目中需要扩展存储，使用NAND Flash，并且希望通过FSMC接口来实现，因此需要了解相关的模块和开发注意事项。 接下来，我需要确定FSMC接口的基本概念，以及它与NAND Flash的关系。FSMC全称Flexible Static Memory Controller，主要用于连接外部存储设备，如SRAM、NOR Flash和NAND Flash。对于NAND Flash的支持，FSMC需要特定的配置，包括时序设置、地址映射等。 用户可能需要了解哪些开发板或模块支持FSMC接口的NAND Flash，以及如何选型。根据之前的回答，STM32系列尤其是F4和F7系列是常见的支持FSMC的MCU，所以需要推荐具体的开发板，比如STM32F4 Discovery或Nucleo系列，并提到这些开发板如何连接外部NAND模块。 另外，用户可能需要知道如何选择兼容的NAND模块，例如常见的型号如MT29F4G08ABADA，以及这些模块的接口要求，比如8位或16位数据总线，符合ONFI标准等。 开发注意事项方面，需要包括硬件连接要点，比如地址线、数据线的连接，片选信号的使用，以及上拉电阻的必要性。软件配置部分，要提到如何使用HAL库或者LL库来初始化FSMC，设置时序参数，ECC配置和坏块管理。此外，文件系统的选择，如LittleFS或FATFS，可能也是用户关心的点。 调试工具方面，逻辑分析仪和ST-Link工具是常用的，需要推荐这些工具来验证时序和调试代码。 可能用户还关心实际应用案例，比如在工业控制或数据采集中的使用，以及采购时的建议，比如选择有明确文档和驱动支持的模块。 需要确保回答结构清晰，分步骤说明，涵盖基础概念、选型要点、推荐模块、开发注意事项、调试工具和应用场景，同时结合之前的回答内容，保持一致性，并补充FSMC特有的配置和问题。最后，提醒用户注意硬件设计和保留调试接口，确保信息全面且实用。</think>以下是对支持FSMC接口的NAND Flash模块的完整技术说明，采用分步骤结构： 一、FSMC基础原理 $$ FSMC = Flexible\ Static\ Memory\ Controller $$ STM32系列MCU特有的存储控制器，可配置为NOR/PSRAM/NAND模式。在NAND模式下： - 支持8/16位数据总线 - 提供硬件ECC计算 - 最大时钟频率：F4系列达90MHz，H7系列达133MHz 二、模块选型标准 1. 物理接口要求： - 必须兼容TSOP-48封装 - 引脚定义需匹配： ```plaintext DQ0-DQ7 → FSMC_DATA[0:7] CLE/ALE → FSMC_NADV/FSMC_NWAIT RE/WE → FSMC_NOE/FSMC_NWE ``` 2. 关键参数匹配表： | NAND参数 | FSMC配置要求 | |----------------|-----------------------| | Page Size | 必须为2KB/4KB/8KB | | Block Size | 128KB/256KB/512KB | | Timing tCLR | ≤ 10ns (HCLK=90MHz时) | 三、推荐硬件模块 1. Micron MT29F4G08ABADA - 容量：4Gb (512MB) - 接口：TSOP-48, ONFI 2.3 - 适配开发板：STM32F429 Discovery 2. Winbond W29N04GV - 特点：工业级宽温(-40℃~85℃) - 总线：8-bit异步接口 - 典型电路：需外接22Ω阻抗匹配电阻 3. 国产替代方案： - XTX XT26G04A - 支持Hynix H27U4G8F2E 四、硬件设计要点 1. 信号连接规范： ```c // STM32F4连接示例 #define NAND_CE GPIO_PIN_7 // PG7 #define NAND_RB GPIO_PIN_6 // PG6 ``` - 必须配置FSMC_Bank2/3用于NAND - RB(Ready/Busy)信号建议接EXTI中断 2. 电源设计： - VCCQ需匹配：3.3V或1.8V（需电平转换） - 典型电流：工作态25mA，待机≤5μA 五、软件配置流程 1. CubeMX配置步骤： ```c // 生成代码结构 hnand1.Instance = FSMC_NAND_DEVICE; hnand1.Init.NandBank = FSMC_NAND_BANK2; hnand1.Init.Waitfeature = FSMC_NAND_WAIT_FEATURE_ENABLE; ``` 2. ECC配置： ```c HAL_NAND_ECC_Enable(&hnand1); // 启用硬件ECC ``` 六、典型应用场景 1. 大容量数据记录： - 工业现场参数存储 - 医疗设备波形记录 2. 固件升级载体： - 通过USB/UART更新NAND中的固件镜像 - 配合Bootloader实现安全启动 调试建议：使用STM32CubeMonitor实时监测坏块增长情况，建议保留5%的备用块用于动态替换。实际测试中需特别注意tADL时序参数（Address Delay Time）的匹配。
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