如何看戏,很有讲究

信息化时代,信息很值钱,但真假很难辨。信息化时代需要人们做哲学家来洞彻其里,也需持有怀疑精神去对待一切。有人说得好,给你看的新闻都不是新闻,那是什么呢?多是洗脑剂。

越是信息化社会,越是演戏社会,人们都希望通过演戏来达到自己的目的,从上到下,从左到右,从富到穷,从老到幼,只是有些演技高超,而有些表演拙劣而已。那本真何在呢?当然在心中(一句带有哲学味道的台词)!

听说,IT手机“巨头”雷老大和周老大,最近对战很激烈,据说此对战对手机科普还做出了贡献,增长了观众的知识。不过,这或许也是一场戏,演戏的演的很投入,很真诚,很到位,对观众是否真有益,只能是看戏者自己估量,但雷老大和周老大的手机广告效果好,投入低倒是铁板上钉钉的事情。

现在的房地产也是戏,也演得好,还创造性的配了个角--刚需(本来是没有的,创造出来就是有目的的),在信息化时代生成,而且这个角是留给观众互动的,故事讲得优美,动听,要不入角都难,目前的情况下,看这出戏,是需要非凡的定力,哪些被角为刚需的,口袋捂紧点,即使有CPI这个丑角在恐吓。既然是演戏,就有穿的时候。

 

 

做技术久了,容易被入戏,但用写程序的逻辑思维去丈量这些,很容易发现戏得成分多,真的成分少,因此捂紧自己的口袋看戏才是王道。

当然,既然是看戏,就多少留点距离吧,别太近,别太迷,淡定为好!

<think>嗯,用户这次想了解ESD设备放置的注意事项,之前系统给出了详细的引用资料。用户特意提到要参考站内引用[1]的内容,看来需要重点围绕芯片级ESD防护设计展开。 用户可能是集成电路设计工程师或相关专业学生,从提问方式看应该具备一定专业基础。ta没有简单问“什么是ESD防护”,而是聚焦在“设备放置的讲究”,说明需要实操层面的指导。结合引用[1]提到的五条原则,需要把技术要点转化为具体布局规则。 注意到引用[1]强调的几个核心:电源走线宽度、VDD-VSS箝位结构分布、内外走线分离、设计平衡性。其中第(2)条关于箝位结构的均匀分布特别重要——这直接决定ESD电流能否均匀泄放。用户可能在实际布局时遇到了热点不均的问题。 另外用户上次对话涉及快速排序,但本次话题完全转向硬件设计,说明是新问题。需要忽略之前的编程示例,专注ESD主题。引用[2]提到的电源布局虽然相关,但用户明确指向ESD设备,故以引用[1]为主框架。 在组织回答时,应该把“均匀分布”放在首位,因为引用[1]多次强调这点(芯片四周放置、外围多PAD)。其次才是走线设计,最后补充阱衬接触等细节。技术要点需要配上布局示意图,比如芯片四角的钳位结构分布,这样比单纯文字更直观。 用户可能会追问具体参数(如走线宽度计算),但当前问题集中在“注意事项”,所以先给出框架性指导。最后的相关问题设计要引导用户向深度延伸,比如工艺容差的影响——这在引用[1]第(4)条提到但未展开。 </think>以下是ESD保护设备在芯片设计中的放置注意事项及技术要点,结合集成电路设计原则整理: ### 🔌 一、电源网络布局要点 1. **走线宽度优化** - 外围电源(VDD/VSS)走线需**最大化宽度**,降低电阻($R = \rho \cdot L/A$),减小ESD电流通过时的电压降[^1]。 - 示例:若金属层电阻率$\rho = 50 \ \text{m}\Omega/\square$,走线宽$W$从$5\mu m$增至$20\mu m$,电阻降低至1/4。 2. **内外走线隔离** - 外围ESD保护结构的电源/地走线需与内部核心电路走线**物理分离**,避免ESD电流涌入内部电路[^1]。 ### 🔁 二、钳位结构部署策略 1. **分布式布局** - 在芯片**四周边界均匀放置**VDD-VSS钳位结构(如GGNMOS/SCR),确保ESD电流就近泄放 ```plaintext ┌───────────────────┐ │ 钳位 │ 钳位 │ 钳位 │ ← 芯片边界 ├───────────────────┤ │ 核心电路区域 │ └───────────────────┘ ``` - 大型芯片需增加钳位结构密度,推荐每$500\mu m$间距部署一组[^1]。 2. **PAD协同设计** - 在电源PAD(VDD/VSS)旁**直接集成钳位结构**,强化电流泄放能力 ```plaintext PAD → 二极管 → 钳位单元 → VSS │ V VDD ``` ### ️ 三、版图平衡设计 1. **对称性保障** - 对称分布的钳位单元需保持**完全一致的版图尺寸**与**连线长度**,避免局部成为ESD薄弱点 $R_{\text{path,A}} = R_{\text{path,B}} = ... = R_{\text{path,N}}$(各路径电阻相等)[^1]。 2. **阱衬接触优化** - 无专用钳位结构时,在VDD/VSS PAD周围**密集排布阱-衬底接触**(N+/P+间距一致),利用寄生二极管形成泄放路径[^1]。 ### 🔧 四、系统级协同设计 1. **电源瞬态响应** - 高频模块(如无线电路)的ESD保护需与电源布局协同: - 续流二极管与IC地**距离≤100μm** - 功率电感/电容就近放置 (满足$V = L \cdot di/dt$的瞬态稳定性需求)[^2]。 2. **多模式防护增强** - VDD-VSS钳位单元同时提升 **I/O-I/O模式** ESD能力:当I/O间电压差超过阈值,电流通过钳位单元形成双向泄放通路 ```plaintext I/O1 → ESD器件 → VDD ───┐ 钳位单元 → VSS I/O2 → ESD器件 → VDD ───┘ ``` ### 📐 五、设计平衡原则 | 考量维度 | 优化方向 | |----------------|----------------------------| | ESD防护等级 | 满足HBM≥8kV / CDM≥1kV | | 信号完整性 | 添加ESD后输入电容≤0.5pF | | 面积成本 | 钳位结构总面积≤芯片的3% | | 工艺容差 | 覆盖工艺角(FF/SS/TT) | > 典型案例:某蓝牙芯片通过四角部署12组SCR钳位(每组$40\mu m \times 60\mu m$)+ 电源走线加宽至$50\mu m$,ESD等级从2kV提升至12kV[^1]。
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