集电极开路(OC)/漏极开路(OD)输出的结构

本文详细介绍了集电极开路(OC)和漏极开路(OD)输出的工作原理,通过电路结构分析了这两种输出方式在高低电平状态下的特点。OC/OD输出无法直接输出高电平,需要通过上拉电阻实现,且输出内阻较大。推挽输出则可以提供更强的驱动能力,但若不同电平的输出口相连可能导致电流过大。51单片机的P0口作为OC结构的例子被提及。

A:我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输入为“0”时,输出也为“0”)。对于图1,当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极C跟发射极E之间相当于断开),所以5V电源通过1K电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合);当左端的输入为“1”时,前面的三极管导通,而后面的三极管截止(相当于开关断开)。

我们将图1简化成图2的样子。图2中的开关受软件控制,“1”时断开,“0”时闭合。很明显可以看出,当开关闭合时,输出直接接地,所以输出电平为0。而当开关断开时,则输出端悬空了,即高阻态。这时电平状态未知,如果后面一个电阻负载(即使很轻的负载)到地,那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平了,所以这个电路是不能输出高电平的。

再看图三。图三中那个1K的电阻即是上拉电阻。如果开关闭合,则有电流从1K电阻及开关上流过,但由于开关闭和时电阻为0(方便我们的讨论,实际情况中开关电阻不为0,另外对于三极管还存在饱和压降),所以在开关上的电压为0,即输出电平为0。如果开关断开,则由于开关电阻为无穷大(同上,不考虑实际中的漏电流),所以流过的电流为0,因此在1K电阻上的压降也为0,所以输出端的电压就是5V了,这样就能输出高电平了。但是这个输出的内阻是比较大的(即1KΩ),如果接一个电阻为R的负载,通过分压计算,就可以算得最后的输出电压为5*R/(R+1000)伏,即5/(1+1000/R)伏。所以,如果要达到一定的电压的话,R就不能太小。如果R真的太小,而导致输出电压不够的话,那我们只有通过减小那个1K的上拉电阻来增加驱动能力。但是,

漏极开路(Open Drain, OD输出集电极开路(Open Collector, OC输出是两种常见的数字电路输出结构,它们在功能上相似,但分别适用于不同的晶体管类型,并在具体应用中有一些差异。 ### 工作原理 漏极开路输出基于场效应晶体管(MOSFET)实现,通常使用N沟道MOSFET。在这种结构中,输出端连接到MOSFET的漏极,而源极接地。当MOSFET导通时,输出端被拉低至地电平;当MOSFET关断时,输出端呈现高阻态,此时需要外接上拉电阻到电源,才能获得高电平输出。这种方式允许输出端与其他OD输出端进行线与(wired-AND)连接,从而实现逻辑功能[^1]。 集电极开路输出则基于双极型晶体管(BJT)实现,通常使用NPN晶体管。在这种结构中,输出端连接到晶体管的集电极,而发射极接地。当晶体管导通时,输出端被拉低至地电平;当晶体管关断时,输出端同样呈现高阻态,也需要外接上拉电阻来提供高电平[^1]。 ### 应用区别 由于漏极开路输出基于MOSFET,具有较高的输入阻抗和较低的功耗,因此更适用于低功耗、高速逻辑电路设计。OD结构广泛应用于I²C总线、SMBus等通信协议中,以支持多个设备共享同一总线,并通过上拉电阻实现总线仲裁[^1]。 集电极开路输出基于BJT,虽然速度可能不如MOSFET快,但其结构简单、成本低,因此在一些中低速逻辑电路中仍有应用。OC结构常见于TTL逻辑电路中,如74系列逻辑芯片,用于实现多个输出信号的线与连接,或用于驱动继电器、LED等负载[^1]。 ### 电路示例 以下是一个典型的漏极开路输出结构示例: ```text VCC | +----+----+ | | RPU | | | --- | GND | | DRAIN | --- MOSFET GATE | --- | SOURCE | GND ``` 其中,RPU为外部上拉电阻,MOSFET为N沟道场效应管。当MOSFET导通时,DRAIN被拉低至GND;当MOSFET关断时,DRAIN通过RPU上拉至VCC。 对于集电极开路输出,其结构类似,只是使用的是NPN晶体管: ```text VCC | +----+----+ | | RPU | | | --- | GND | | COLLECTOR | --- NPN EMITTER | GND ``` 在该结构中,当NPN晶体管导通时,COLLECTOR被拉低;当晶体管关断时,COLLECTOR通过RPU上拉至VCC。 --- ###
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