电表接法

本文介绍了房东因不满租客用电量而购买电表的情况,并详细解释了电表的正确安装步骤及接线方法。

房东不满我用电多,给我买了个电表。我自己把电表装好了。

电表接法:

1、面向电表正面,从左到右四个接口分别编号1、2、3、4。

2、1接户外火线,2接户内火线,3接户外零线,4接户内零线。

 

以下来自百度:

电表1与2是相连的,3与4是相连的。正确接法只有一种,就是1、3接室外线,2、4接室内线。1必须接室外进入的火线,2必须接输出的火线,3与4是相通的共用接头,可以随便接零线,3与4对调,不是正确接法,但不影响使用。

内容概要:本文围绕EKF SLAM(扩展卡尔曼滤波同步定位与地图构建)的性能展开多项对比实验研究,重点分析在稀疏与稠密landmark环境下、预测与更新步骤同时进行与非同时进行的情况下的系统性能差异,并进一步探讨EKF SLAM在有色噪声干扰下的鲁棒性表现。实验考虑了不确定性因素的影响,旨在评估不同条件下算法的定位精度与地图构建质量,为实际应用中EKF SLAM的优化提供依据。文档还提及多智能体系统在遭受DoS攻击下的弹性控制研究,但核心内容聚焦于SLAM算法的性能测试与分析。; 适合人群:具备一定机器人学、状态估计或自动驾驶基础知识的科研人员及工程技术人员,尤其是从事SLAM算法研究或应用开发的硕士、博士研究生和相关领域研发人员。; 使用场景及目标:①用于比较EKF SLAM在不同landmark密度下的性能表现;②分析预测与更新机制同步与否对滤波器稳定性与精度的影响;③评估系统在有色噪声等非理想观测条件下的适应能力,提升实际部署中的可靠性。; 阅读建议:建议结合MATLAB仿真代码进行实验复现,重点关注状态协方差传播、观测更新频率与噪声模型设置等关键环节,深入理解EKF SLAM在复杂环境下的行为特性。稀疏 landmark 与稠密 landmark 下 EKF SLAM 性能对比实验,预测更新同时进行与非同时进行对比 EKF SLAM 性能对比实验,EKF SLAM 在有色噪声下性能实验
<think>嗯,用户问的是GD32微控制器中VBAT引脚的接法。这个问题看似简单,但涉及硬件设计和数据安全两个关键层面。用户能关注到VBAT这种特殊引脚,说明至少具备基础硬件知识,可能是工程师或电子爱好者。 从用户提供的引用材料看,第一个引用详细列出了GD32F103C8T6的参数,其中包括RTC功能;第二个引用更是直展示了GD32F303的RTC中断处理代码。这暗示用户可能在开发需要掉电保持时钟的功能,比如智能电表、安防设备之类的产品。 VBAT设计要点其实有三重保险:首先是电源切换机制,必须确保主电源断开时VBAT能无缝管;其次是防漏电设计,那些二极管选型很关键;最后是稳压电容的匹配,手册推荐值往往是最小值。用户没问原理,但回复里还是简要提了电压转换机制,因为实际应用中常有工程师忽略肖特基二极管的正向压降导致RTC异常。 注意到用户上次问题提到“Macos环境开发”,这次特意补充了不同封装的引脚位置差异。GD32的LQFP48和LQFP64封装里VBAT位置不同,曾经有工程师因为看错封装导致整批PCB返工,这个教训必须强调。 奇怪的是用户没追问纽扣电池寿命计算,可能在原型测试阶段?但还是在“相关问题”里预留了功耗估算的入口。那些优化方向——比如超级电容替代方案或是低功耗模式设置,其实都是量产时必然遇到的痛点。 最后代码示例选择了库函数版本而非寄存器操作,虽然引用[2]展示了中断处理,但考虑到VBAT配置属于初始化操作,给HAL库示例更安全。特别注明“调试阶段检查RTC_FLAG_SECOND标志位”,是因为早期GD32的RTC存在同步时序陷阱,这个坑太深不能跳。 </think>以下是GD32微控制器中**VBAT引脚**的接法详解,结合硬件设计规范和实践经验,确保可靠性与安全性: ### 一、VBAT引脚的核心作用 1. **备用电源输入** - 当主电源($V_{DD}$)断开时,VBAT为**实时时钟(RTC)**、**备份寄存器**和**备份SRAM**供电,确保关键数据不丢失。 2. **电压范围** - 标称电压:$1.8 \text{V} \sim 3.6 \text{V}$(需严格匹配数据手册要求)。 --- ### 二、标准接法电路设计 ```plaintext +-----------------+ 纽扣电池正极 ---| 3.3V 肖特基二极管 |---→ VBAT引脚 +--------|--------+ | + 3.3kΩ 电阻(可选限流) | +--------|--------+ 主电源3.3V -----| 3.3V 肖特基二极管 | +-----------------+ ``` #### 关键元件说明: 1. **二极管选型** - 使用**双肖特基二极管**(如BAT54S),优势: - 低压降($V_f \approx 0.3\text{V}$),减少电压损耗 - 反向漏电流低($I_R < 1\mu\text{A}$) 2. **电阻作用** - 限流保护(防止电池短路时电流过大) - 典型值:$1\text{k}Ω \sim 10\text{k}Ω$(依电池容量调整) --- ### 三、PCB布局与滤波 1. **退耦电容** - VBAT引脚到GND**$100\text{nF}$陶瓷电容** + **$1\mu\text{F}$钽电容**,抑制电源噪声。 2. **布线要求** - 最短路径连电池,避免与高频信号线平行。 3. **GD32引脚位置** - 以GD32F103C8T6(LQFP48)为例:VBAT位于**引脚6** - GD32F303RCT6(LQFP64):VBAT位于**引脚19** --- ### 四、初始化代码验证 启用VBAT域需配置备份寄存器(参考引用[2] RTC例程): ```c // 使能PWR和BKP时钟 rcu_periph_clock_enable(RCU_PWR); rcu_periph_clock_enable(RCU_BKPI); // 允许访问备份域 pwr_backup_access_enable(); // 检查VBAT供电标志 if(RESET == rcu_flag_get(RCU_FLAG_VBAT)) { printf("VBAT供电正常\n"); } ``` --- ### 五、调试注意事项 1. **电压跌落问题** - 若RTC复位:检查二极管压降是否导致$V_{VBAT} < 1.8\text{V}$。 2. **电流消耗** - 正常待机电流:$< 1\mu\text{A}$(测量电池端电流验证漏电)。 3. **ESD防护** - VBAT线路增加TVS二极管(如SMAJ3.3A)。 --- ### 相关问题 1. VBAT模式下如何进一步降低RTC功耗? 2. 无外部电池时,能否用超级电容替代?容量如何计算? 3. GD32的VBAT引脚内部是否集成稳压器? 4. 如何通过代码检测当前RTC是否由VBAT供电? > 提示:具体设计请以**GD32F10x/F30x用户手册**中"电源与备份域"章节为准[^1][^2]。
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