给年轻工程师的三个忠告——苹果传奇创办人沃兹尼克

苹果联合创始人沃兹尼克分享了三条宝贵建议,帮助有志于成为发明家的人士激发创新灵感。首先,要具备独立思考的能力,不被既定观念束缚;其次,将工程师的专业技能与艺术创作的精神相结合;最后,学会独立工作,利用业余时间进行个人研究。

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想要与苹果创办人沃兹尼克拥有同样的发明热情与成就吗?在《科技顽童沃兹尼克》一书中,他给了以下几个建议:

一、这个世界并不是黑白分明的。

首先你必须相信你自己,不要轻易动摇。大多数人看事情总认为他们是对的,其它人就是错的。身为发明家,你必须用灰色的尺度来看事情,必须开放,不能随波逐流。你必须绝对客观,忘掉你曾经听过的所有事情,把桌子清干净,像科学家一样实事求是,探索真相。

二、成为工程师中的艺术家。

为什么我说工程师很像艺术家呢?因为工程师通常都拚命想把事情做到尽善尽美,达到即使自己都认为不可能的完美境界。我们撰写一段段计算机程序码,就好像画家以画笔涂抹色彩,或音乐家编织音符一样。追求完美并且用别人不曾尝试过的方式,让工程师成为真正的艺术家。 

三、自己当家作主。

当你在组织严密的大公司上班时,比较没有机会凭一己之力将聪明构想变成革命性的新产品。不幸的是,我们在这社会,资助你研发的都是些生意人,他们规定谁拥有什么权利。因此要保护自己的心血,或应付一堆无聊企业文件,很不容易。如果你是个想要改变世界的年轻发明家,不要误入企业的环境里。一定要懂得独自工作,而非只是团队的一份子,才能设计出最好的革命性新产品。并利用公余之暇,凭着有限的资金和资源进行自己的研究计划。

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资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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