STM32 FLASH操作

1.stm32f10xxx闪存编程参考手册写的很详细。

2.主闪存编程：

对主闪存编程每次可以写入16位。当FLASH_CR寄存器的PG位为’1’时，在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。在编程过程中(BSY位为’1’)，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束。

3.

4. 写入flash函数

代码正点原子例程。
用一个数组u16（半字）存放数据，然后在解锁的情况下，一个一个的复制到被写入的flash地址中去。
这里没有跨越页区。

//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else 
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
#endif       
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 * pBuffer,u16 NumToWrite) 
{
    u32 secpos;    //扇区地址
    u16 secoff;    //扇区内偏移地址(16位字计算)
    u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)       
    u16 i;    
    u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址

    if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址

    FLASH_Unlock();                     //解锁

    offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;     //实际偏移地址.
    secpos= offaddr / STM_SECTOR_SIZE;          //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
    secoff=(offaddr % STM_SECTOR_SIZE)/2;       //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
    secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;     //扇区剩余空间大小        
    if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
    //为后面的循环写入提供方便，第92行的判断

    while(1) 
    {   
        STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
        for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
        {
            if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除        
        }
        if(i<secremain)//需要擦除
        {
            FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
            for(i=0;i<secremain;i++)//复制
            {
                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];    
            }
            STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
        }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                    
        if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
        else//写入未结束
        {
            secpos++;               //扇区地址增1
            secoff=0;               //偏移位置为0     
            pBuffer+=secremain;     //指针偏移
            WriteAddr+=secremain;   //写地址偏移    
            NumToWrite-=secremain;  //字节(16位)数递减
            if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
            else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
        }    
    };  
    FLASH_Lock();//上锁
}    
#endif

5# 速度匹配问题