Intellij上Junit配置

最新推荐文章于 2025-11-08 22:34:09 发布
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#junit #java #intellij

（1）在File-》Settings-》Plugins里搜junit，安装JunitGeneratorV2.0。
（2）File-》Project Structure-》Libraires里添加Java包，具体是<IntelliJ IDEA directory>\lib下的junit.jar和junit-4.11.jar。
ok，以上配置就可以了，需要生成Test时，在类文件里Ctrl+Shift+T生成Test文件。
编写好具体的测试方法后，在该方法名处右键即可运行测试方法。

每天学习一个电路----mos管开关电路
T99886777的博客
09-13 4487
NMOS 与 PMOS 管开关电路的核心差异源于导电沟道类型，决定了其电压偏置方向与应用场景：NMOS 适合低侧开关（接地侧控制），驱动简单且导通电阻小；PMOS 适合高侧开关（电源侧控制），但驱动较复杂。实际设计中需重点关注栅极驱动电压、导通电阻、负载特性及保护电路，确保开关可靠、高效工作。
模拟CMOS集成电路设计入门学习（3）
qq_61052827的博客
12-16 3951
模拟CMOS集成电路设计入门学习（3）：共源级
MOS做电源开关的电路，NMOS、PMOS高侧低侧驱动大全解，电容浮栅自举电路，泄放电阻的作用，MOS选型参数分析
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Mark_md的博客
07-02 7万+
随着对器件的控制需求提升，越来越多的电源开关电路出现在设计中。这些设计的目的各有不同：有的需要快速开通与关断，有的需要低导通电阻+大电流，有的需要闲时0功耗。虽然应用场合不同，但这都是MOS适用的强项。下面来介绍几种产品设计中常用的NMOS的电源开关电路。 1、NMOS做电源开关（低端驱动，最简单） 由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异，导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS，所以设计中尽量优先选择NMOS。 下图为使用NMOS，最简单的开关电路。（低端驱
什么是PMOS？什么是NMOS？两者有什么区别？
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硅农深芯的博客
11-08 2785
这个电压差被称为阈值电压（Vth），通常为0.7V至2V（低压NMOS）或4V至10V（功率NMOS）。当Vgs（栅极-源极电压）大于Vth时，沟道中的电子被吸引到栅极下方，形成导电通路，使电流可以从漏极流向源极。NMOS与PMOS的结构类似，都由三大部分组成：栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）。由于NMOS在开启时，电子是主要的载流子，电子的迁移率比空穴高，因此NMOS通常具有更低的导通电阻（Rds(on)），这使其成为高速开关电路中的首选。它的沟道由电子（负载子）传导。
MOS做电源开关的电路，NMOS、PMOS高侧低侧驱动大全解，电容浮栅自举电路，泄放电阻的作用，MOS选型参数分析_高侧用pmos
2401_85013863的博客
05-15 6562
大到一定程度，MCU端口能提供的几mA电流就显然不够用了，继续使用MCU端口直驱，一方面会使MCU过载，另一方面会对输出信号的波形造成衰减，严重时会影响NMOS的正常开通。分类，能外接NMOS的型号还是非常多的。，低频时对电流的需求不明显，而随着频率升高，电容充放电频率的加快，电容的容抗与频率成反比，容抗变小。，而单单低侧的栅极驱动由于较为简单，搞个NP对管就能实现相近的效果，即使芯片有很多选择，也并不常用。，在PMOS开通时，导致Vgs超出了手册中的Vgs允许范围，也会造成PMOS的损坏。
NMOS/PMOS原理基础
丢不掉的心伤
04-11 1万+
1.NMOS/PMOS原理图 2.导通性
NMOS 和 PMOS 的区别（通俗易懂）
he30837993的博客
07-05 6159
GS</sub> < -2.5V），形成P型导电沟道。栅极（G）电压比源极（S）高一定值（如V<sub>GS</sub> > 2.5V），形成N型导电沟道。（例如：源极接5V，栅极需低于5V-2.5V=2.5V才能导通）。低导通电阻（R<sub>DS(on)
NMOS和PMOS
weixin_69945979的博客
11-10 6098
先简单说下原理：当MCU通过I/O口输出高电平时，即POWER_EN =3.3V（假设MCU供电为3.3V），则Q1 NMOS管VGS > 阈值电压，Q1的漏极和源极导通，由图可知Q1源极接地，故Q2栅极接地，故Q2 PMOS管VGS > 阈值电压，所以Q2的源极和漏极导通，故电源VBAT通过Q2从漏极输出电压。那么又有疑问了，用MΩ不是更好么，说到这里我们再看上述提到的栅源之间的寄生电容，如果下拉电阻太大，栅源之间的寄生电容上的电荷在开关开闭后，得不到迅速释放，会影响MOS管的开关速度。
模拟IC入门之---电路基础（1）
qq_43861958的博客
09-28 3670
文章目录电路基础一、基本元器件的认识1.关于电容1.1电容的定义1.2关于电容的充放电问题1.3MOSFET中的电容效应2.关于电感3.MOSFET中常见电阻计算3.1二极管连接的等效电阻3.2 电流源等效电阻3.3 MOS源、漏端不同的电阻 电路基础 万丈高楼地起 为了更好的学习和认识魔法IC的设计，决定从头开始把基础打好，慢慢学。 提示：第一次的博文过于简陋，自己将就着看看吧！！！ 一、基本元器件的认识 常用的基本元器件包括有电阻、电容、电感；在模拟IC中，电阻和电容都可以用MOS管来制作。例如..
MOS管当开关控制时，为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管？
pan0755的博客
12-12 1万+
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图： NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一...
分享一个PMOS的电路设计
VBsemi的博客
09-04 3464
当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin，此时Q2的源极电压VS也等于Vin，Q2的G、S两端的电压等于0，Q2关断，此时的VOUT输出关断。R2的选值要根据MCU的IO电压、最大输出电流和开关管Q1的类型来选择，MOS管的限流电阻通常可以在几十Ω级别，三极管的限流电阻要根据MCU的IO电压/最大输出电流来计算，一般在ｋΩ级别。可以选择NMOS或者NPN三极管，根据MCU的IO电压来选择MOS管的开启电压要大于三极管的开启电压。
PMOS管典型电路
09-03
PMOS管典型电路，以及PMOS和NMOS电路的对比。
NMOS和PMOS的区别以及应用
qq_40170041的博客
08-16 1339
用控制导通，电流从，适合。：用控制导通，电流从，适合。箭头方向指向G的是NMOS，原理G的PMOS。
NMOS与PMOS详解：原理、参数与驱动策略
N沟道和P沟道MOS管在理解MOS集成电路的基本原理时至关重要，掌握它们的工作特性、损耗机制以及驱动条件，有助于提高电路设计的效率和性能。在实际应用中，选择合适的MOS管类型，并合理设计驱动电路，能够优化电路的...
MOS/CMOS集成电路详解：NMOS与PMOS
"MOS/CMOS集成电路的基本概念、工作原理以及NMOS和PMOS管的特性" MOS/CMOS集成电路是现代电子技术中的核心组件，广泛应用在各种数字和模拟电路设计中。MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）集成电路因其独特的优点，如...
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管
荷兰风车
04-20 7507
MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子，负载常用MOS管作为有源负载，这样不仅节省了硅片面积，而且简化了工艺利于大规模集成。常用
【MOS管】基础知识和简易电路
外来物种
01-11 9871
1. 简介 一、MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。 二、常见的 NMOS 和 POMS 的原理与区别 NMOS NMOS 英文全称为 N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为 NMOS 晶体管。 MOS晶体管
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