
模拟电子技术
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欢迎来到模拟电子技术专栏!在这里,我们将深入探讨模拟电子技术的基本原理、关键组件及其在各个领域的应用。模拟电子技术是电路设计中的重要分支,涵盖了放大器、滤波器等核心设备。这些设备在音频处理、信号传输、自动控制和医疗设备等方面发挥着重要作用。
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模电学习第三天--三极管梳理
基本概念晶体三极管中有两种不同极性电荷的载流子参与导电,称为双极性晶体管(BJT),又称半导体三极管,以下简称晶体管。并分为两种类型基本电路分为输入回路和输出回路,由于发射极是两个回路的公共端,故称该电路为共射放大电路放大状态条件:发射结正向偏置Ube>Uon ;集电结反向偏置Ucb>=0,即Uce>Ube。其放大的意思是信号放大而不是能量放大,能量由电源提供,是一定的。内部运动共射直流放大系数的推导该系数含义相当于:未被复合的电子数 / 复合掉的电子数Ice原创 2021-09-08 21:05:23 · 3417 阅读 · 1 评论 -
直接耦合互补输出级(模电3.3小节)
为什么提出直接耦合互补输出级对于运放的输出级。我们希望:1.输出电阻低 2.最大不失真输出电压尽可能大 3.功率尽可能大。由前面所学的电路可知,共集放大电路满足上述需求。但是由功率角度来看,不管有无输入交流信号时,其平均功率都为Vcc*Icq,也就是说,当没有交流信号输入时,其功率都用于发热;而当有交流信号输入时,只有一小部分的功率用于信号放大。所以其功率放大的效率很小,由此我们希望提供功率放大的效率。提出假想:我们希望当无交流信号输入时整体功耗小,而当有交流信号输入时,才产生功耗。那么如原创 2021-10-22 20:12:15 · 1636 阅读 · 0 评论 -
电流源电路分析
电流源电路分析镜像电流源电路比例电流源微电流源多路电流源电路改进型电流源基本放大电路静态工作点一般是利用外接电阻元件来建立的,但在集成电路当中制造一个三端元件比制造一个电阻所占用的面积小、经济。集成电路中采用电流源电路为各级设置静态电流,或作为有源负载取代高阻值的电阻,增大放大电路的电压放大倍数。镜像电流源电路三极管T0 、 T1特性相同,T0 在放大状态,二者呈镜像关系由电路分析可知则我们得出来的关系为I C 约等于 I R此电路具有一定的温度补偿作用其中I C1为应用电流,若应用中原创 2021-10-20 21:06:11 · 4422 阅读 · 0 评论 -
放大电路的频率响应
晶体管电流放大倍数的频率响应我们在电路频率的前提下,定义一个电流放大倍数这是在ce间无动态电压,即所示电路ce电压为0时的动态电流之比,则此时相量K=0以下为推导过程当以发射极电流作为输入电流,以集电极电流作为输出电流时,Ic与Ie之比称为共基直流放大系数,共基交流放大系数也类似此定义。且其与共射放大系数存在数学关系,则我们也可推出α的截止频率。可见,共基电路的截止频率远远高于共射电路的截止频率,因此共基电路可作为宽频带放大电路。单管放大电路的频率响应中频电压放大倍数此时两个电容原创 2021-11-22 08:49:36 · 1477 阅读 · 0 评论 -
晶体管的高频等效模型(模电4.2小节)
由于电抗元件(如电容、电感等)与半导体管间极间电容的存在,当输入信号的频率过高或过低时,会产生超前或滞后的相移,此时放大倍数是信号频率的函数,这种函数关系称为频率响应。正是因为频率响应,所以我们在第二章放大电路的性能指标中提出了通频带的概念。通频带宽,代表放大电路对不同频率信号的适应能力强。耦合电容,对信号构成了高通电路,1.对频率够高的信号相当于短路,信号几乎可以无损失的通过。2.信号频率低时,容抗不可忽略,信号将在其上面产生压降,导致放大电路的放大倍数减小且产生位移。半导体极间电容,对信号构成原创 2021-10-29 21:06:59 · 3664 阅读 · 0 评论 -
放大电路的反馈(5.1~3小节)
反馈将电路的输出量(电压或电流)的部分或全部,通过一定的元件,以一定的方式回送到输入回路并影响净输入量(放大电路电压或电流)和输出量的过程。正反馈:使放大电路净输入量增大的反馈负反馈:使放大电路净输入量减小的反馈直流反馈:仅在直流通路中存在的反馈交流反馈:仅在交流通路中存在的反馈闭环放大电路——放大电路有反馈开环放大电路——放大电路无反馈我们在前几章曾经学过静态工作点稳定电路,其实就是通过电阻反馈输入一个信号。判断是不是反馈电路,一般是通过看是否有反馈通路。判断是正负反馈可以看下面原创 2021-11-22 09:20:01 · 2825 阅读 · 0 评论 -
模电之深度负反馈详解
由反馈深度引入深度负反馈即在研究深度负反馈时,我们近似忽略净输入量,得到放大倍数几乎仅仅决定于反馈网络而与基本放大电路无关。这样得到的深度负反馈电路有利于计算分析。电压串联负反馈电流串联负反馈...原创 2025-02-22 17:54:21 · 1033 阅读 · 0 评论 -
模电学习第二天--二极管梳理(附习题解释)
分类1.点接触型二极管2.面接触型二极管3.平面型二极管伏安特性1.二极管存在半导体体电阻和引线电阻,则二极管的端电压大于PN结的压降。且二极管表面存在漏电流(PN结在截止时流过的很微小的电流),则反向电流较大2.开启电压:Uon使二极管导通的电压以下为不同材质的二极管性质差别3.温度对伏安特性的影响温度升高–正向特性曲线左移–反向特性曲线下移。温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV,即具有负的温度系数。温度每升高10°C,反向电流Is约增大一倍参数描述1.最大整流电流If原创 2021-09-06 19:17:46 · 16101 阅读 · 3 评论 -
模电学习第一天--PN结梳理
基本概念本征半导体:纯净的、具有晶体结构的半导体两种载流子:自由电子、空穴(两种载流子均参与导电)本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象复合:电子填补空穴动态平衡:一定温度下,本征激发与复合产生的自由电子和空穴相等温度影响:热运动加剧–挣脱共价键束缚自由电子增多–空穴增多–载流子浓度提高–导电能力增强N型半导体:自由电子浓度大于空穴浓度,前者为多子,后者为少子P型半导体:空穴浓度大于自由电子浓度对于杂质半导体的温度影响:可以认为多子浓度约等于所掺杂质原子的浓度,且受温度影响很原创 2021-09-04 20:44:45 · 3747 阅读 · 0 评论