深圳市泛海微电子有限公司

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其次，由于MOSFET的工作原理，它在开关过程中可能会产生较大的电压尖峰，这可能会影响到周围电路的正常工作，因此在实际应用中需要采取适当的措施来抑制这些电压尖峰。除了以上提到的优点，FM3080K 3080K还具有较小的体积和轻便的重量，这使得它在空间有限、对重量敏感的电子设备中也有广泛的应用。同时，FM3080K 3080K还具有很好的热稳定性，能在高温甚至过热的环境下正常工作，这使得它在一些需要持续高负荷运行的设备中，如电动车、电焊机、工业控制设备等，都能发挥出优秀的性能。

FS8205A低压20V N 沟道增强型 MOS 场效应管，20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.0A = 28mΩ RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.0A = 24mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 21mΩ特点 专有的先进平面技术  高密度超低电阻设计  大功率、大电流应用