11、高速电子器件在光通信系统中的应用与发展

高速电子器件在光通信系统中的应用与发展

在当今科技飞速发展的时代，高速电子器件在光通信系统中扮演着至关重要的角色。本文将深入探讨小尺寸 InGaP/GaAs 异质结双极晶体管（HBT）以及 InP 基集成电路（IC）技术在 100 - Gbit/s 级光通信系统中的应用和发展前景。

小尺寸 InGaP/GaAs HBT 的特性与优势

小尺寸 InGaP/GaAs HBT 技术专为高速和低电流操作而开发。通过采用 WSi/Ti 作为基极电极，并在基极电极下方的外部基极 - 集电极区域掩埋 SiO₂，实现了发射极尺寸和基极 - 集电极电容的同时减小，从而使 GaAs HBT 具备高速和低电流操作的特性。

• 性能测试 ：对跨阻放大器在 45 MHz 至 50 GHz 的频率范围内进行了晶圆测试。跨阻增益 Z 和输出回波损耗特性 S₂₂ 与频率的关系如图 1 所示。跨阻特性通过测量的 S 参数计算得出。该放大器的跨阻增益为 46.5 dBQ，3 - dB 带宽为 41.6 GHz，在低于 42.0 GHz 的频率范围内，回波损耗低于 - 10 dB，增益带宽积达到 8.8 THz - Q，功耗仅为 150 mW，不到先前报道的同类放大器功耗的一半。
  |参数|数值|
  | ---- | ---- |
  |跨阻增益|46.5 dBQ|
  |3 - dB 带宽|41.6 GHz|
  |回波损耗（<42.0 GHz）|<-10 dB|
  |增益带宽积|8.8 THz - Q|
  |功耗|150 mW|

• 不同尺寸