dll2004的博客

FET全称为Filed Effect Transistor，场效应管。是一种靠电场效应控制其电流大小的半导体器件，基本无电流。1、MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）2、JFET（结型场效应管）1、由于基本无电流，所以消耗的功率特别小2、只有多子（电子或空穴）参与导电，所以称FET为单极型器件3、体积小、重量轻、耗电省、寿命长4、输入阻抗高、噪声低、抗辐射能力强、制造工艺简单5、MOSFET由于制造工艺的成熟，体积非常小，在超大规模集成（VLSI）电路中由广泛运用。

为什么需要放大电路？传感器输出的电信号都是非常微弱的，无法直接显示和进一步分析处理，无法进行数字化处理，也无法输出较大的功率，所以需要将电信号放大。此处的“放大”是指线性放大，即只改变信号的幅度和功率，不对输入信号进行任何变形，如果有变形的情况出现，则认为是信号失真。放大电路为双口网络，一段输入原始信号，一段输出放大后的信号。

BJT有两种常见类型：NPN 和 PNP。顾名思义，NPN就是两个N型材料夹着P型材料，PNP则相反。以不同的材料将BJT划分为三个区域，分别为基区、集电区和发射区，以NPN为例，其的物理结构如下所示：名称特点作用基区（base）很薄，掺杂浓度最低控制集电区（college）面积最大，掺杂浓度较高收集载流子发射区（emit）掺杂浓度最高发射载流子NPN和PNP的结构示意图和电路符号如下所示：其中，每个区域引出一个电极，基区引出的电极就叫做基极，以此类推。

是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。其中的载流子是由热激发产生的。：获得足够热能的价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子的情况。：电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后在共价键中留下的空位。：指空穴和自由电子：一般分为P型半导体和N型半导体：在硅的晶体中参入少量三价元素杂质（如硼）形成。多子为空穴，少子为自由电子，但整体仍呈现电中性。：在硅的晶体中参入少量五价元素杂质（如磷）形成。多子为自由电子，少子为空穴，但整体仍呈现电中性。：由于电场作用而导致载流子的运动：由于浓度差异而导致载流子的运动。

最近在复习，所以准备写文记录一下对模电各个内容的理解，可能存在错误，期待指正。