SDRAM 布线说明

SD RAM介绍及 PCB Layout处理 SD RAM介绍及 PCB Layout处理 SDRAM—Synchronous dynamic random-access memory (SDRAM)。 同步动态随机存取存储器,即数据的读写需要时钟来信号同步。其存储单元不是按线性排列的,是分页的。 DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大,但是读写速度不如SDRAM(DRAM),且不需要刷新操作。 DDR SDRAM X8 DDR SDRAM X16 DDR信号(我们以16位DDR SDRAM为例说明) CK差分-时钟 CK和CK#是 阅读详情

摘抄于:http://processors.wiki.ti.com/index.php/Sitara_Layout_Checklist#DDR2_SDRAM_Signals


DDR2 SDRAM Signals

DDR2 SDRAM signals are particularly prone to noise, skew, and jitter which will all affect the timing margins of the signals with respect to the clock and consequently the overall max throughput that can be achieved. The SDRAM devices should be placed close to the processor with adequate routing channels to place the signal traces in between the processor and the SDRAM packages. The traces should be controlled to 50ohm signal ended impedance for the length of the traces with solid reference planes on the adjacent layer. The differential pairs such as clk/clkn and dqs/dqsn should be run with controlled impedance of differential 100ohms.

When two or more SDRAM packages are used to connect to the same DDR2 SDRAM bus, then the signals which run to both packages should be routed in a T architecture with the short legs of the T to each SDRAM package having the same length to minimize the reflection effects. Be careful not to run other high speed signals from other non-SDRAM busses across the area where the DDR2 SDRAM signals are routed as crosstalk from these aggressor nets can affect the signal characteristics of the DDR2 SDRAM signals. All the SDRAM signals should be length matched to the clk/clkn signal pair length average. The clk/clkn signals should be length matched to each other to within 10mils.


Ultrascale系列DDR4接口设计规则 整理Xilinx设计手册中DDR4布线部分硬件要求 阅读详情

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