EEPROM 与FLASH的区别

本文详细解析了FLASH和EEPROM的显著差异,包括操作方式、寻址方法、电路结构及应用领域。FLASH适用于程序存储,因其结构简单、成本低;而EEPROM则更适合非易失性数据存储,操作更为灵活。此外,还探讨了现代MCU中二者的集成使用。

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FLASH和EEPROM的最大区别

FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,

二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,

FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,

EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。

当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,

所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。 至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话,那是连基本概念都不对,只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计,就连MCU系统的基本结构都没掌握。

在芯片的内电路中,FLASH和EEPROM不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同,不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。

技术上,程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构,甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”,但就算如此,概念上二者依然不同,这是基本常识问题。 没有严谨的工作精神,根本无法成为真正的技术高手。 现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼 上说的很好另外,一些变量,都是放到RAM里的,一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面,都是放到FLASH区里的(也就是以前说的ROM区),EEPROM可用可不用,主要是存一些运行中的数据,掉电后且不丢失。

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