Eric Lippert对C#的评论和展望

Eric Lippert对C#语言进行了深入分析,探讨了其在Windows生态系统中的广泛应用,如X-Box360、Windows Phones、Active Server Pages等,并解释了C#与其他语言的关系。此外,他还讨论了C#与Visual Basic的战略定位,以及未来的可能发展路线,特别是引入异步编程支持的特性。Lippert强调了C#和Visual Basic在设计哲学上的区别,以及如何通过不同工具满足多样化的编程需求。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

O'Reilly编辑Rachel Rouemeliotis最近跟Eric Lippert聊过。Eric Lippert在微软的C#编译器团队担任Principal Software Design Engineer。谈话自然离不开C#主题,Lippert对C#世界进行了一番总结。看了他们的讨论,InfoQ也跟风联系Lippert,请他为先前对语言设计哲学的深入分析补充一点背景情况。

\

Lippert在O'Reilly的访谈中首先评价了C#“遍及整个Windows生态系统”的流行度,指出C#被用于X-Box 360、Windows Phones、Active Server Pages等平台,以及各种业务线应用的开发。C#的优势之一是它的通用性,它不是一种领域专用语言。虽然通用,不过Lippert强调,C#并不不以包罗万象为目标。

\

Lippert这番话提醒了InfoQ,所以我们请他澄清一下Microsoft目前对C#和Visual Basic的战略和目标定位。C#和VB的相互关系是这样的,Microsoft把两者都设定为通用语言,而且两者的发展将齐头并进。但这并不意味着它们是披了不同语法外衣的同一种语言,而应该陈述为,微软“打算让C#的主要特性在VB中存在类似的对应物,反之亦然”。

\

现在已经有这样的例子,例如LINQ特性和泛型协变(generic covariance)特性。接下来要增加的特性是通过async/await关键字实现的异步编程支持。Lippert在与O'Reilly的谈话中指出,“……问题是我们活在一个有延迟的世界里”,程序员必须在程序里处理用户输入、网络通信等带来的延迟。为了减轻这种负担,async/await关键字让程序员在代码里做标注,然后编译器可以协助管理异步代码段。结果是代码更好懂,开发更轻松。

\

在和InfoQ的谈话中,Lippert承认说,历史上“C#和VB有着深刻的设计哲学区别,它们分别支持不同的特性只是表面”:

\
一直以来VB的设计哲学是“尽可能不要把用户拦下来检查;如果代码不够清晰,尽量推断其含义”。而一直以来C#的设计哲学是“如果代码不够清晰,那么它可能是错的;告诉用户改正之后才能继续前进”。两者的目标相同,都是程序员的生产效率,但它们解决方向正好相反!有所区别是好事;不同的程序员对于怎样解决问题效率最高,有着不同的看法,我们能为多样化的工作风格提供相应工具,是一件好事。
\

最后,Lippert在O'Reilly访谈中评估了C#未来可能的几种发展路线——不过他事先声明这只是个人想法,不代表Microsoft的官方意见。

\

在Roslyn项目的问题上,Lippert向InfoQ确认,Roslyn项目的编译器开发完成后,将取代目前随Visual Studio发布的编译器。而且Roslyn分析工具系列将取代现在的编辑期代码分析引擎(就是当你写代码的时候,负责在VS编辑器窗口中给你实时反馈那个东西)。

\

Lippert希望澄清一件事情,现在对于Visual Studio 2012之后的C#/VB语言版本,“还没有确定的特性集合”。目前Microsoft对于C# 5得继任者“还没有确定的特性集合”,但正密切关注业界的趋势,看哪些语言研究领域能提供一些启发。Lippert声称他的团队还处在探索阶段,一方面尝试更好地定义从业界观察到的问题,另一方面尝试寻找最好的解决方案。

\

查看英文原文:Eric Lippert Reviews C# and Speculates on its Future

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持代理商服务,可为用户在产品选型应用过程中提供有
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值