底电流分析

最新推荐文章于 2024-11-20 16:12:18 发布

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#android #功能测试

本文介绍了Android设备在bringup阶段如何定位功耗问题，包括底电流和VDD最小化状态的检查，以及功耗异常时的排查方法，如SMPS和LDO泄漏、GPIO配置、外围器件功耗等。同时解释了XO shutdown和VDD min的概念，并提供了功耗分析处理流程。

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一、什么是底电流？

底电流即机器完全睡眠时的最低电流；待机电流即机器在一段时间内的待机平均电流，通常指的就是测试机器的飞行待机电流。

一般测试机器电流，用到的工具：power monitor（功率监视器）

power monitor使用：Power monitor使用说明（非常不错）.doc

二、项目bringup阶段，软件方面如何定位功耗问题

1.跟踪每天的daily版本，观察飞行待机平均电流以及电流波形，及时给予反馈；

2.查看底电流是否正常:

2.1 如果底电流电流过高（先检查是否进入最低功耗模式）

通过xo shutdown 和Vdd min的检查命令，查看是否进入系统功耗最小化状态。（如果XO shut down计数为零，VDD min计数不断增加，则已经进入了VDD min）；

XO关闭和VDD最小化计数的adb shell命令
a. 输入以下命令获取RPM数据：
mount -t debugfs none /sys/kernel/debug
cat /sys/kernel/debug/rpm_stats

以下内容是以上命令的输出；计数代表XO关闭和VDD最小化出现的数量。
RPM Mode:xosd
count:0
time in last mode(msec):0
time since last mode(sec):791
actual last sleep(msec):0
client votes: 0x00020001
RPM Mode:Vdd Min
count:28
time in last mode(msec):8000
time since last mode(sec):475
actual last sleep(msec):233000
client votes: 0x00000000

b.或者检查以下RPM RAM转储的变量，以确定XO关闭和VDD最小化的计数
– sleep_stats[0] --XO关闭计数（系统进入XO关闭的次数）
– sleep_stats[1] --VDD最小化计数
注意：若系统进入VDD最小化状态，则只有VDD最小化计数会增加。VDD最小化是最低的功耗状态，包括了XO关闭。仅当系统未成功进入VDD最小化而进入XO关闭时，XO关闭计数才会增加。

2.2 如果系统未进入VDD min，则需要检查各个子系统休眠情况，通过查看子系统sleep count命令(cat /sys/power/system_sleep/stats,cat /sys/power/rpmh_stats/master_stats)能看到ADSP MPSS APSS等子系统休眠情况，如果sleep count未发生变化，则对应的子系统未进入休眠。

ADSP：产生问题点：sensor radio audio；

解决方案：拿掉不必要的器件，定位sensor。

MPSS：产生问题点：①modem未启用；②NV未配置完善；

解决方案：①分析MPN日志；②抓取ram dump。

APSS：产生问题点：AP侧（上层）wake_lock持锁；

解决方案：①在代码中打开功耗debug，添加必要的打印log；②wakeup_sources。

2.3 xo shutdown 和Vdd min计数最小化后就一定表示系统功耗正常了么？

不一定，若终端成功进入VDD最小化后，基底电流仍大于预期值，则可以得出结论，终端中存在一个或多个泄漏源计入总电流消耗中。泄漏可能有多处来源，例如：

（1）睡眠期间未使用但启用了的SMPS和LDO的泄漏；

定位方式：PMIC转储有助于检查SMPS和LDO 泄漏。

（2）某个或多个GPIO的最低泄漏设置不正确配置导致的GPIO管脚泄漏；

定位方式：GPIO转储有助于确定MSM™ GPIO的睡眠配置。