- 博客(5)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 LTspice实现双脉冲测试仿真
电压源：V1为主回路电压源，V2为下方MOSFET的驱动电压源，V3为上方MOSFET的 驱动电压源，由于上管在测试中只发挥续流二极管的作用，因此给予其负驱动电压使其稳定的关断。根据MOSFET器件的数据手册，选取合适的V1、V2和V3。由于图中MOSFET器件的模型有壳温和结温端口，因此需要输入25V的电压给壳温端口，即表示当前给出的温度时25℃。电感：L1和L3为回路中的杂散电感，取较小值。如图所示，关于如何搭建电路图，可以参照前期发布的快捷键汇总。如此即可实现双脉冲测试的仿真。基本的电路图如下所示。
2024-10-18 19:36:06
3629
原创 IGBT的关断过程详解（续）
随着耗尽层的Cgc的逐渐减小，栅极开始通过Cge放电，此时Vge开始下降，直至栅极电压阈值。，由于Cgc很大，这段时间栅极电流Ig几乎都是从电容Cgc流过的电流Igc，也就是通过Cgc泄放储存的电荷，此时耗尽层未展开，所以耐压未增加。这个阶段开始时耗尽层开始展开，IGBT开始承担电压VDC，电压VCE开始上升。由于电压上升的过程是Cgc放电的过程，因此有。随着电流下降速度的降低，产生拖尾电流VL逐渐降低，IGBT承受的电压恢复到Vdc，栅极电压Vge降为0，关断过程结束。第三阶段结束的时候，
2024-09-07 10:52:26
3041
1
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人